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原创 Motor-CAD 图解电机结构:表贴 / 内嵌、极对数、定转子比例、绕组截距/层数

本文介绍了永磁同步电机的基本结构,重点分析了表贴式与内嵌式两种转子的特点。表贴式结构简单、低速扭矩大但高速性能差;内嵌式机械强度高、弱磁能力强但工艺复杂。文章还详细阐述了极对数、定转子比例、绕组节距和层数等关键参数对电机性能的影响,比较了不同槽极比和绕组方式的优缺点,为电机设计提供了实用参考。

2025-11-23 22:33:54 719

原创 UART 和 USART 通讯详解——以 OSI 模型分析 物理层、数据链路层和应用层

摘要:UART(通用异步收发器)是一种点对点串行通信协议,通过起始位和波特率实现异步数据传输。其特点包括:仅需TX/RX两条线、无需时钟线、支持全双工通信,但存在波特率需严格匹配、不支持总线结构等局限。UART协议涵盖数据链路层(帧结构、校验)和物理层(电平标准),物理层可采用TTL、RS-232/485/422等不同电气规范,其中RS-485支持多节点组网。应用层需自定义协议实现寻址、校验等功能,典型方案包括帧头标识、Modbus CRC校验及主从式轮询机制。该技术广泛用于嵌入式系统,具有简单可靠的特点,

2025-11-20 20:38:14 645

原创 SPWM 与 SVPWM 电压利用率简谈

本文分析了电压利用率的概念及其在不同调制方式下的表现。电压利用率定义为逆变器最大相电压(峰值)与母线电压之比。通过相电压与线电压的向量关系推导,得出线电压=√3×相电压的关系。重点对比了SPWM和SVPWM两种调制方式:SPWM的相电压利用率为50%,线电压利用率为86.6%;而采用零序分量注入的SVPWM可将相电压利用率提升至57.73%,线电压利用率达到100%。文章通过数学推导和波形分析,阐明了SVPWM在提升电压利用率方面的优势。

2025-11-17 23:08:55 821

原创 FOC 的 Simulink 仿真

本文系统阐述了电机FOC控制中的关键变换算法与闭环控制策略。首先详细介绍了Clark变换(三相转两相静止坐标系)和Park变换(静止转旋转坐标系)的原理、公式及仿真实现,展示了电流信号的坐标转换过程。然后解析了Park逆变换和SVPWM调制技术,重点说明了零序注入法提升电压利用率的原理。最后探讨了电流环和速度环的PI控制方法,揭示了从电流控制到转速调节的闭环控制机理。全文通过理论公式推导和仿真模型搭建,完整呈现了FOC控制系统的核心算法实现过程。

2025-11-17 20:03:28 851

原创 Simulink 基础模块使用

In1 是 Simulink 中的一个输入端口模块,它用于接收来自模型外部或其他模块的信号输入。具体来说,In1 模块的作用是将外部信号 (比如从传感器、其他系统或外部硬件设备) 传入 Simulink 模型中,供后续的计算和仿真使用。它通常与 out 1 端口配对,后者用于输出模型的结果。In 模块作为信号的输人端口,当它存放于子系统模块中时,为子系统模块增加一个输入端口,它是连接上层模型与当前层次模型的接口,将父层模型的信号传递到当前层次模型中。

2025-11-11 23:08:27 971

原创 IIC 通讯详解——以 OSI 模型分析 物理层、数据链路层和应用层

摘要:IIC(Inter-Integrated Circuit)是由Philips提出的串行通信总线标准,采用两根信号线(SCL时钟线和SDA数据线)实现主从设备间的短距离通信。其特点包括半双工通信、多主多从结构、7/10位地址寻址、支持多种速率(100kbit/s至5Mbit/s)以及硬件开销小等优点,但也存在速率较低、总线电容限制通信距离等缺点。物理层定义了电气特性和拓扑结构,数据链路层则负责数据封装、差错检测和流量控制。IIC广泛应用于嵌入式系统,适用于板内模块间通信和传感器连接等场景。

2025-11-03 23:28:52 1023

原创 SPI 通讯详解——以 OSI 模型分析 物理层、数据链路层和应用层

SPI(Serial Peripheral Interface)是一种高速同步串行通信协议,采用主从式全双工设计,具有传输速度快(可达100MHz)、支持灵活字长等优点,广泛应用于MCU与外设(如Flash、ADC等)的通信。其物理层采用4线制(SCLK、MOSI、MISO、SS/CS),支持四种工作模式(0-3),由CPOL和CPHA参数定义时钟极性和数据采样时机。SPI的缺点包括缺乏寻址机制、流控制和校验功能,且仅适合短距离通信(通常<1m)。应用层上,SPI以帧结构传输数据,如93C46 EEP

2025-11-02 00:58:52 867

原创 实现 RTOS 操作系统 【二】临界区保护、调度锁、优先级

本文介绍了RTOS中的三种关键机制:临界区保护、调度锁和任务优先级管理。临界区保护通过禁用中断或使用互斥锁保护共享资源,确保数据一致性;调度锁通过计数器控制任务切换,保护关键操作;任务优先级采用位图数据结构快速检索最高优先级任务,实现高效调度。文章详细分析了每种机制的实现原理和代码示例,包括临界区嵌套保护、调度锁计数器和位图查找算法等核心技术。这些机制共同保障了RTOS的实时性和可靠性,是嵌入式系统开发的重要基础。

2025-10-19 00:07:56 585

原创 FOC 中 Iq、相电流和母线电流的关系

三相电机的实际电流经过驱动器采样得到的电流,也就是电机实际流过的电流。:q 轴电流,控制。:d 轴电流,控制(对于永磁同步电机,通常控制为 0)。:控制器输入的直流电流。

2025-10-16 20:07:14 961

原创 实现 RTOS 操作系统 【一】基本任务切换实现、时间片切换、空闲任务

本文介绍了基于Cortex-M架构实现任务切换的三种方法:1. 基本任务切换:通过保存和恢复任务堆栈及寄存器状态实现,使用PendSV中断进行上下文切换。2. 时间片轮转调度:利用SysTick定时器定期触发任务切换,实现公平的CPU时间分配。3. 空闲任务机制:在没有任务就绪时运行空闲任务,并增加了任务延时功能。文章详细阐述了任务控制块、堆栈初始化、上下文切换的汇编实现等关键机制,展示了如何通过修改PSP/MSP指针和寄存器操作实现任务切换。最后通过实验验证了三种调度方式的效果,包括任务交替执行、时间片轮

2025-10-15 20:06:03 926

原创 实现 RTOS 操作系统 【零】内核编程实践

本文摘要:Cortex-M3内核采用双工作模式(线程模式/处理器模式)和两种特权级别(特权级/用户级),支持权限隔离。其核心特性包括双堆栈指针(MSP/PSP)、异常自动压栈机制(保存xPSR、PC等8个寄存器)以及PendSV延迟中断特性。重点分析了异常响应流程、寄存器组操作(含MRS/MSR指令使用)、堆栈管理机制(向下生长满栈模型),并通过PendSV中断实现任务切换的案例,演示了手动保存R4-R11寄存器的方法。最后给出具体代码实现,展示了如何设置PendSV最低优先级并触发中断,完成上下文保存与恢

2025-10-05 14:45:19 1006

原创 死区补偿 平均电压补偿和线性补偿法

无刷电机驱动中,为防止上下MOS管同时导通导致短路,需设置PWM死区时间。但死区时间会带来电流波形畸变和转矩波动,尤其在过零点附近会产生"零电流钳位"现象。本文分析了死区影响的机理,并提出两种补偿方法:平均电压补偿法通过电流方向判断补偿极性,计算固定补偿量;线性补偿法则根据电流大小动态调整补偿电压,形成梯形补偿波形。两种方法都通过Clarke变换将补偿量转换到αβ坐标系实现。文末给出了两种补偿方法的C语言实现代码,为无刷电机驱动中的死区补偿提供了实用解决方案。

2025-10-02 13:14:32 1254 1

原创 滑模控制与电机角度滑模观测器解析

滑模控制是一种非线性控制方法,通过设计滑模面使系统快速收敛到理想状态。与PID控制相比,滑模控制具有非线性特性,通过符号函数产生跳变输出。滑模观测器则利用滑模控制思想估计系统状态,如电机反电动势和角度。文中通过直流电机调速和PMSM无传感器控制案例,详细阐述了滑模控制器的设计流程,包括误差定义、滑模面构造、控制律实现及离散化代码。特别分析了滑模观测器在电机控制中的应用,通过电流误差预估反电动势,进而计算转子角度。最后给出了基于滑模观测器的角度估计代码实现,验证了该方法的有效性。

2025-09-24 11:16:37 963

原创 电机的磁链常数、反电动势系数、转矩系数和 KV 值都是什么?

文章摘要: 本文系统阐述了电机特性参数间的相互关系。首先介绍了磁链常数的定义与测量方法,指出其等于相电压与电角速度的比值,可通过拖动电机测量反电动势获得。其次分析了磁链常数与转矩的关系,推导出SPMSM电机的简化转矩公式。然后对比了反电动势系数(Ke)与Kv值的倒数关系,说明高Kv电机具有高速低转矩特性,低Kv电机则相反。最后引入转矩系数Kt,建立了电流与输出转矩的量化关系。全文通过数学公式揭示了磁链常数、反电动势系数、Kv值和转矩系数四个关键参数的内在联系,为电机性能分析提供了理论依据。

2025-09-11 08:52:18 1833

原创 永磁同步电机 FOC 控制中 d、q 轴杂谈与角度偏移影响

本文系统阐述了永磁同步电机控制中的关键理论:1.详细解析Clark和Park变换原理,将三相坐标系转换为d-q轴坐标系;2.推导d-q轴下的磁链方程和转矩方程,说明id控制磁链、iq控制转矩的物理机制;3.重点分析弱磁控制原理,通过d轴注入负电流降低反电动势实现高速运行;4.通过实验验证角度偏移对d-q轴电流的影响,揭示了电流闭环系统对角度误差的调节特性。研究表明,表贴式电机采用id=0控制策略可最大化转矩输出,而弱磁控制虽能扩展速度范围但会降低效率。

2025-09-06 23:11:56 1808

原创 无刷电机强拖程序解析

V/F 启动,是保持电压 (V) 与频率 (F) 的比值恒定。并不需要控制器采集包括电机自身任何的外部信息,它仅需要设置目标电频率 (可以去我之前文章搜搜电频率是啥,目前可粗浅的将电频率看作为转速) 以生成虚拟的电机位置角度,和目标调制的电压即可运行,这里所谓的调制电压可以看作母线电压的百分比。优点:无需采集电流。缺点:负载突变时易失步,恢复速度慢,转速会随负载波动。I/F 启动,保持电流(I)与频率(F)的比值恒定。

2025-08-12 08:54:46 1364

原创 位置式 PID、增量式 PID、PI、PD控制和前馈控制简谈

在过程控制中,PID 控制器,一直是应用最为广泛的一种自动控制器。PID 控制也一直是众多控制方法中应用最为普遍的控制算法。它不依赖复杂的数学模型,更具象和通俗一点,对于 PID 来说,之后再采集实际测量值反复循环这个过程。比如:你开车时,眼睛看路(),大脑对比车道(),手调方向盘(如果车偏左了,PID会让你往右打方向盘,直到车回到车道中央。

2025-08-05 20:20:13 2453 4

原创 无刷电机三项霍尔连接线序组合详细分析与波形实例

组合的角度极性是正确的,但是B-C-A 和 C-A-B两种组组合的角度有固定偏差,导致电机效率不高。其他三种的极性是错误的,会导致电机不能旋转。在拿到一个新电机和新控制器时,如果我们搞不清楚控制器的接口也搞不清电机的线序,此时建议先跑一下不依赖霍尔的强拖程序,电机相线的六种组合下会有一种正转一种反转,此时先让电机转起来。之后根据上述规律组合搭配出霍尔顺序即可。根据上述技巧,最多尝试 8 次 (5次电机相线组合,3次霍尔组合) 即可找到正确的线序。

2025-07-27 21:59:18 2095 9

原创 无刷电机 PWM 配置、调试技巧

按下图所示,PWM counter 会从 0 升至 ARR 的目标值,然后回降到 0。其中,PWM counter 从 0 升至 CCR 寄存时 PWM 呈高电平,PWM counter 小于时呈低电平。14.1.4.1 MCPWM 波形输出-中心对齐模式4 个 MCPWM IO Driver 采用独立的控制门限,独立死区宽度(每一对互补 IO 的死区需要独立配置,即 4 个死区配置寄存器),共享数据更新事件。采用 TH<n>0 和 TH<n>1 控制第<n>个 MCPWM IO 的启动、关闭动作。

2025-07-20 02:09:13 1704

原创 KEIL 编译器高级使用与调试技巧【一】 手工编译、编译选项、预处理分析

无论是我们使用手动方案还是 keil 自动所编译的,均是这个流程:将标准库头文件或自定义头文件插入到当前文件的当前位置。处理 #define 指令,将宏定义的常量、函数式宏或代码片段替换为相应的结果。处理条件编译指令,用于根据条件决定是否编译某段代码删除源代码中的所有注释(/*...*/和 课//..),以减少编译器的处理负担。保留#pragma等指令,从而向编译器传递特定实现相关的指令。处理某些特殊指令,如#error,用于在预处理阶段生成错误信息并停止编译,或者完成其它操作。

2025-05-30 12:17:34 1548

原创 永磁同步电机公式总结【一】——反电动势、磁链、转矩公式;三项、两项电压方程;坐标表换方程

​​定义​​:是永磁体在定子绕组中产生的固定磁链幅值,单位为韦伯 (Wb)。其大小由永磁体的材料特性(如剩磁 Br​)、体积和充磁方向决定,理想情况下为常数​​,但实际受温度影响 (如钕铁硼永磁体温度每升高100℃,下降10%~15%)电机旋转时,= 反电动势= 电角速度绕组磁链是指​​定子绕组中由电流和永磁体共同作用产生的总磁通量​​,单位为韦伯 (),​​随电流、转子位置 () 和时间变化,是电机控制的核心变量。感磁链​​:由定子电流通过绕组自感 () 产生。​​互感磁链​。

2025-05-17 18:38:54 7243

原创 测量电机的电阻、电感、磁链常数和极对数办法

LCR 电桥 或者万用表和 LCR 电桥选用 Ls-Rs 档, 电平选用 1V, 频率根据电机实际运行的电频率来设置, 常用的检测频率为 100Hz(有些电桥只有 120Hz,差不多这个范围就行)。电感使用 LCR 电桥的 Ls-Rs 档测试, 选用 Ls-Q 档测试电感,万用表或者 LCR 电桥电阻档测试电阻。用手旋转一圈电机转子, 记录电感最大值和当时的电阻值,还需要记录电感最小值和当时的电阻值。

2025-04-27 18:37:05 2083 2

转载 总结电机控制中常见的频率

本文总结了电机控制中常见的18种频率概念,包括电频率、额定频率、机械转速、开关频率、采样频率等关键参数。重点区分了电角频率与机械转速的关系,解释了PWM相关频率、控制环执行频率与带宽的区别,以及滤波器截止频率等概念。通过公式举例说明了频率计算方法,并对比了单采单更和双采双更模式下的频率关系。文章还涉及高速/低速电机特性、主频分频原理,以及SVPWM、SPWM和高频注入等调制技术的频率特点,为电机控制系统的频率参数设计提供了参考。

2025-04-20 00:18:53 1972

原创 南京凌鸥 FOC 方案培训 Lv3 笔记

在这里保存了所有自动回复的时间MC_Parameter.h 232 行/* 故障恢复时间 */#define VOLT_FAULT_RECOVER_TIME (2000) /* 单位:ms 过欠压恢复时间 */#define CURRENT_FAULT_RECOVER_TIME (2000) /* 单位:ms 过流恢复时间 */#define STALL_FAULT_RECOVER_TIME (2000) /* 单位:ms 堵转恢复时间 */

2025-04-15 11:46:57 2174 1

原创 FOC 控制笔记【三】磁链观测器

磁链(magnetic linkage)是电磁学中的一个重要概念,指导电线圈或电流回路所链环的磁通量。单位为韦伯(Wb),又称磁通匝。我们可知,磁链的微分就是负的反电动势,反电动势的积分就是负的磁链。

2025-03-31 23:05:51 3117 2

原创 FOC 控制笔记【二】无感控制、滑膜观测器和 PLL

最后根据反正切函数计算出角度。

2025-03-09 18:53:41 3986

转载 为什么要在信号上串一个电阻

防止静电放电(ESD)和电气超载(EOS):串联电阻可以与其他保护元件(如 TVS 管)一起使用,在电路受到静电放电或电气超载时,电阻可以限制电流的上升速率和峰值电流,从而保护电路元件不受过电压冲击的损害。例如,在高速数字电路中,如 DDR 内存的数据线和时钟线等,通常会串联电阻进行阻抗匹配,以确保信号的完整性和高速传输的准确性。进行滤波调试:在一些需要进行滤波调试的电路中,串联电阻与电容组成的 RC 滤波器可以方便地调整滤波器的参数,如截止频率等,以达到最佳的滤波效果。

2025-03-09 18:49:44 866

原创 ARM Cortex-M3/M4 权威指南 笔记【一】技术综述

处理器内部的寄存器细节一般被称作编程模型。

2025-02-11 22:32:08 3622

原创 ARM Cortex-M3/M4 权威指南 笔记【二】架构

异常是会改变程序流的事件,当其产生时,处理器会暂停当前正在执行的任务,转而执行一段被称作异常处理的程序。在异常处理执行完后,处理器会继续正常地程序执行。对于ARM架构,中断就是异常的一种,它一般由外设或外部输入产生,有时也可以由软件触发。中断的异常处理也被称作中断服务程序(ISR)。NVIC 处理异常。NVIC 可以处理多个中断请求(IRQ)和一个不可屏蔽中断(NMI)请求,IRQ 一般由片上外设或外部中断输入通过 I/O 端口产生。

2025-02-09 15:57:00 3194

原创 FOC 控制笔记【一】有感控制和SVPWM

无刷电机由内部线圈与外部的六颗mos管相连接。与mos管相连接的线圈称之为。中间能转动的磁铁叫。

2025-01-13 01:24:14 3261 1

原创 Altium Designer 操作快捷键

本篇持续更新...

2024-11-20 14:57:16 3226

原创 硬件基础知识补全计划【七】MOS 晶体管

MOS 是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

2024-11-09 21:49:30 2160

原创 硬件基础知识补全计划【六】BJT 晶体管(三极管)

晶体三极管(Transistor)是一种半导体电子器件,也是电子工程中最基本的元件之一。它有三个区域,分别是 P 型半导体,N 型半导体和 P 型半导体,从而形成 PNP 型晶体三极管或者 NPN 型晶体三极管。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。

2024-11-07 22:07:09 1684 1

原创 硬件基础知识补全计划【五】齐纳、TVS 二极管

在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管,英文名字 Zener diode,又叫齐纳二极管,利用 PN 结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。从曲线中,IT 是微安级,而 IPP 却是几百毫安。IZ:稳压二极管工作电流(Zener Current),稳压二极管反向击穿后,流过稳压管的电流,需要限流。

2024-11-06 10:02:34 2226

原创 硬件基础知识补全计划【四】通用、整流和肖特基二极管

负极,又叫阴极,给二极管两极间加上正向电压时,二极管导通, 加上反向电压时,二极管截止。原理是:继电器吸合状态,通过继电器线圈的电流是从上往下,但是在继电器断开状态,线圈上会产生反向的感应电动势,如图所示,线圈的上端会变为负,下端变为正,加一个续流二极管,和线圈形成了一个放电回路,电流方向是从下往上,避免损坏三极管。一定范围内,二极管的正向电压其实和正向电流成正比,电流越大,压降越大,这个时候要看一下我们的实际电路电流情况。关注参数:正向电流,正向压降,功耗,反向最大电压,封装等。

2024-11-05 23:04:02 2091

原创 硬件基础知识补全【三】电感

电感定义电感定义将漆包线、纱包线或塑皮线等在绝缘骨架或磁心、铁心上绕制而成的器件,当线圈通过电流后,在线圈中形成磁场感应,感应磁场又会产生感应电流来阻碍线圈中电流的变化,这种电流与线圈的相互作用关系称为电的感抗,也就是电感,相应的器件成为电感器。简单来说,电感将电力转化为磁场储存起来,需要释放的时候又将磁场转化为电能输出。在电容能量未饱和下,磁畴排列是无规律的。通电后根据楞次定律得知,磁畴逐渐同一方向,储存能量。N 为线圈的匝数,A为线圈环绕的面积,l 为线圈匝叠成的长度,μ 为线圈内部物质的磁导率。

2024-11-05 22:42:20 1667

原创 硬件基础知识补全【二】电容

电容是电子电路中重要的储能元件,由两个金属板和绝缘介质组成,其容量由极板面积、间距和介质常数决定。电容具有通交流阻直流特性,容抗与频率成反比。实际应用中需考虑ESR(等效串联电阻)、ESL(等效串联电感)等寄生参数,不同电容类型(如MLCC、电解电容)适用于不同场景。电容在电路中主要功能包括滤波(旁路/去耦)、储能、自举升压和振荡等。选型时需关注精度、温度系数、耐压和温度范围等参数。例如,高频滤波常用0.1μF陶瓷电容,电源储能需大容量电解电容。特殊应用中,如自举电路利用电容两端电压不可突变的特性实现升压功

2024-10-29 23:27:00 1780

原创 硬件基础知识补全【一】电阻

电阻单位为欧姆 Ω,电阻越大,阻碍作用越大,通过导体的电流自然就越小。但是真正决定电阻阻值大小的,是和电阻的体积有关系,电阻的决定式​ρ为比例系数,即电阻率,单位制为欧姆/米(Ω · m);L——绕制成电阻的导线长度,单位制为米(m);S——绕制成电阻的导线横截面积,单位制为平方米(m²);​。

2024-10-24 22:32:22 983

原创 硬石电机控制【一】无刷电机基本原理和硬件解析

无刷电机基本组成部分如图其中电机内部结构如下,中间的 S/N 是转子,外侧的铁环是定子,通过改变电磁铁的通电方式即可使得电机旋转。其中的 A、B、C 一般被称为 U、V、W三个项。

2024-10-22 08:13:21 1910 2

原创 蓝桥杯 EDA 组 历届国赛真题解析

这个板子是一块锂电池充电板,同时通过 485 总线可以实现远程控制或检测功能。是历年题目中较为特殊的一套题。这个板子有电机驱动和红外接收,我们可以推断这是一个小车驱动板,还带有光耦模块可能是驱动有较高电压的外设。这是四套国赛题中最简单的一套了。这个板子应该是历年最复杂的一套题,有摄像头,屏幕、继电器等。应该是一个GD32的学习板。

2024-05-16 02:07:29 5331 2

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