nullccc的博客

防止静电放电（ESD）和电气超载（EOS）：串联电阻可以与其他保护元件（如 TVS 管）一起使用，在电路受到静电放电或电气超载时，电阻可以限制电流的上升速率和峰值电流，从而保护电路元件不受过电压冲击的损害。例如，在高速数字电路中，如 DDR 内存的数据线和时钟线等，通常会串联电阻进行阻抗匹配，以确保信号的完整性和高速传输的准确性。进行滤波调试：在一些需要进行滤波调试的电路中，串联电阻与电容组成的 RC 滤波器可以方便地调整滤波器的参数，如截止频率等，以达到最佳的滤波效果。

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MOS 是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

晶体三极管（Transistor）是一种半导体电子器件，也是电子工程中最基本的元件之一。它有三个区域，分别是 P 型半导体，N 型半导体和 P 型半导体，从而形成 PNP 型晶体三极管或者 NPN 型晶体三极管。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管，英文名字 Zener diode，又叫齐纳二极管，利用 PN 结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。从曲线中，IT 是微安级，而 IPP 却是几百毫安。IZ：稳压二极管工作电流（Zener Current），稳压二极管反向击穿后，流过稳压管的电流，需要限流。

负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通， 加上反向电压时，二极管截止。原理是：继电器吸合状态，通过继电器线圈的电流是从上往下，但是在继电器断开状态，线圈上会产生反向的感应电动势，如图所示，线圈的上端会变为负，下端变为正，加一个续流二极管，和线圈形成了一个放电回路，电流方向是从下往上，避免损坏三极管。一定范围内，二极管的正向电压其实和正向电流成正比，电流越大，压降越大，这个时候要看一下我们的实际电路电流情况。关注参数：正向电流，正向压降，功耗，反向最大电压，封装等。

电感定义电感定义将漆包线、纱包线或塑皮线等在绝缘骨架或磁心、铁心上绕制而成的器件，当线圈通过电流后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来阻碍线圈中电流的变化，这种电流与线圈的相互作用关系称为电的感抗,也就是电感，相应的器件成为电感器。简单来说，电感将电力转化为磁场储存起来，需要释放的时候又将磁场转化为电能输出。在电容能量未饱和下，磁畴排列是无规律的。通电后根据楞次定律得知，磁畴逐渐同一方向，储存能量。N 为线圈的匝数，A为线圈环绕的面积，l 为线圈匝叠成的长度，μ 为线圈内部物质的磁导率。

两个相互靠近的金属板中间夹一层绝缘介质组成的器件，当两端存在电势差时，由于介质阻碍了电荷移动而累积在金属板上，衡量金属板上储存电荷的能力称之为电容，相应的器件称为电容器。电容的符号为 C，单位为法拉 (F)。电容越大,储存电荷的能力越强。C - 电容；Q - 电荷量；U - 电势差在电路学里，在电势差 1V 下，电容器的储存电荷的能力，称为电容。

电阻单位为欧姆 Ω，电阻越大，阻碍作用越大，通过导体的电流自然就越小。但是真正决定电阻阻值大小的，是和电阻的体积有关系，电阻的决定式​ρ为比例系数，即电阻率，单位制为欧姆/米(Ω · m)；L——绕制成电阻的导线长度，单位制为米(m)；S——绕制成电阻的导线横截面积，单位制为平方米(m²)；​。

首先我们需要使用一颗 CH340N 将串口转化为差分信号，这样才能输出到 usb 中。CH340 内置时钟，不需要外接晶振。同时 CH340 也作为一个系列出现，我们在这里使用最小封装CH340N。手册说明，VCC 需要外接 0.1uF 的电容。同时 UD+ 和 UD- 可直接接入到 usb 无需电阻。