【FPGA基础】DDR的基本原理介绍,DDR快速上手使用

本文介绍了DDR SDRAM的基本原理,包括差分时钟、DQS信号的作用,以及与SDRAM的主要区别,如两位预取设计、写入延迟、突发长度和DLL技术,展示了DDR如何实现双倍数据传输率。

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(一)、DDR的基本原理

DDR SDRAM 全称为 Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据流 SDRAM”(S:Synchronous)。DDR SDRAM 在原有的 SDRAM 的基础上改进而来。也正因为如此,DDR 能够凭借着转产成本优势来打败昔日的对手 RDRAM(R:Asynchronous),成为当今的主流。本文只着重讲 DDR 的原理和 DDR SDRAM 相对于传统 SDRAM(又称 SDR SDRAM)的不同

注:同步(Synchronous)和异步(Asynchronous)

DDR 正规的时序图
在这里插入图片描述

从中可以发现它多了两个信号: CLK#DQS,CLK# 与正常 CLK 时钟相位相反,形成差分时钟信号。而数据的传输在 CLK 与 CLK#的交叉点进行,可见在 CLK 的上升与下降沿(此时正好是 CLK#的上升沿)都有数据被触发,从而实现 DDR。在此,我们可以说通过差分信号达到了 DDR 的目的,甚至讲 CLK#帮助了第二个数据的触发,但这只是对表面现象的简单描述,从严格的定义上讲

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