【FPGA基础】DDR3的前世今生(含SRAM、DRAM、SDRAM、Flash、EPROM、EEPROM概念介绍)

本文详细介绍了各种类型的存储器,如ROM、RAM、SRAM、DRAM、SDRAM、Flash和EEPROM,强调了它们的特性与区别。接着深入探讨了DDR内存的发展历程,从DDR的前世SDRAM到DDR3,分析了各代DDR的性能提升,包括速度、电压、延迟、预取差异等方面,并对比了DDR、DDR2和DDR3的特性。

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一、各种存储器介绍

(1)ROM(Read-Only Memory,只读存储器)只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来,即使切断电源,信息也不会丢失,所以又称为固定存储器。ROM所存数据通常是装入整机前写入的,整机工作过程中只能读出。

  • 可编程只读存储器(PROM);
  • 可擦可编程序只读存储器(EPROM);
  • 带电可擦可编程只读存储器(EEPROM,一般使用 IIC 接口读写)。

(2)RAM(Random Access Memory,随机存取存储器),而且速度很快,RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果,比如计算机的8G内存,掉电丢失;

(3)SRAM(Static Random-Access Memory,静态随机存取存储器)是 RAM 的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以保持

(4)DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器),需要周期性地更新存储数据,所以叫“动态”

SRAM 和 DRAM 比较:SRAM 不需要动态刷新,速度快,性能高,但是功耗大、集成度低,同时体积也比 DRAM 大,由此 SRAM 的造价更高

(5)SDRAM(Synchronous Dynamic Random-access Memory

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