2021EC-Final 总结

最新推荐文章于 2024-01-28 19:40:33 发布
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分类专栏： 总结 正式赛
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本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/HOWARLI/article/details/115876273
本次ACM线下赛经历揭示了现场氛围与线上比赛的不同，队员间的有效沟通至关重要。面对签到题开数组大小失误、精度调试难题及开局思路偏差等问题，团队需要提升应对策略，确保比赛中的高效执行。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

第一次参加ACM的线下赛，打起来的感觉还是和线上赛差距挺大的，现场的氛围会把人往前推，思路没想好就被推着上机就一定会出现问题。在热身赛的时候就已经出现了这个问题，T1明明一道签到题却写了很久，思路完全没想好就上了。
还好在热身赛中我们发现了这个问题，在正式赛中并没有犯下同样的错误,但现场的氛围还是让我们多了一个罚时：签到题数组开小了。
我们队做的第二题L题也是个签到题，xhm和xfz两人交互出了一个错误的方法，在我AC了第一个签到题后xfz就直接上机了，xhm当时和我交互了一下发现方法是错误的，正确的方法是很简单的，这算是及时止损，做的不错。
D题是我一开场就看了的题目，看完后思路也差不多了，我在写L题的时候就叫xhm去看看D并和他分享了我的主要想法，AC了L题以后我就直接去写D了。D题我WA了好几次，因为这题涉及到精度，我们花了比较长的时间在调试和检查精度，最后发现WA原因是在某些情况下，可能出现4个1e9级别的数相加到一个int里面导致爆int。找这个BUG花了我们较长的时间和3次罚时。

到此为止这一场的体验还算正常，整体进度也还OK，看了榜单后我们决定开AB题。A题我看完并没有找到下手的地方，进度停滞了很久。B题我一开始就把题目转成了一个看起来简单实际十分麻烦的模型，并且将这个模型分享给了我们全队，这直接导致我们队直到最后都没能跳出这个模型的思路限制。
像B这样的题目无疑是十分克制我这样开局思路走到黑的人的，给你一个本质错误但又很有搞头的方向，跳进去就很难出来了，这一点是我们队伍待解决的问题。

总的来说，我感觉这一场我们整个队伍都没能施展拳脚，被AB两道题目局限住了，其他的题目难度又太大了做不动，这就导致我们一直卡在原地动弹不得，比赛体验也很差。而且对于第一次打线下赛的我们，虽然高中OI阶段也有不少大赛经验，但都没有过在一个嘈杂的体育场里打比赛的经历，还是很不习惯的。

本场教训

  1. 严格执行提交前检查单；
  2. 两人交互题目时，在正确方法出来之前不要和第三个人讲题意和思路！！！
[EC Final 2021] Future Coder（数学&规律）
陈进士学习的博客
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可以发现一个负数或者零，乘以正数必定符合题意，所以统计非正数的个数。乘一个正数同样符合题意，所以额外统计。组数据，每组数据第一行为一个数。组数据，每组给出一个数。的个数计算进去即可。
2016-2017 ACM-ICPC CHINA-Final（EC-final） 题解（10 / 12）
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https://codeforces.com/gym/101194
2021西安ec final游记
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第17场，第3次来西工大，打第2次ec final(middle?)了 上次小米办了线下赛以后第一场官方比赛，很佩服主办方能克服困难在有疫情风险的情况下坚持线下比赛，为参赛同学提供良好的参赛体验，而且食堂比以前更好吃了,好耶 今年的题目感觉比前两年好一些，很有区分度知识点覆盖广，很多题都可以尝试，感谢dls和wls等出题组。然而喜提4题rk1,3小时4题后和队友同时开2题都写完然后wa了。封榜前都还在金牌区，我写完B过了手造的4*4矩阵样例的时候都以为稳了，然而1w奖金无了(悲 比赛晚上华为晚宴，610个人
2021EC-final博弈论E题Prof. Pang and Poker
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Gym - 103861E，2021EC-final博弈论E题Prof. Pang and Poker 内有推理过程和AC代码
2018EC-Final 总结
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EC-FINAL总结         周六考完四级，火急火燎的赶往了西安，坐了一天的飞机和车，脑子涨涨的，到了宾馆放下东西，出去吃个饭回来收拾收拾就睡觉了，梦到了我第二天睡到了10点，没赶上比赛，心情极度失落……还好只是个梦！         进入赛场，赛场布置的很好，桌子也大，给了每个人一个方便的活动空间，好评！比赛开始，我和祥正开始读题，天心调试机器，由于没打热身赛，我们对机器比较陌生，中...
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xxyrcgtzbh554488的博客
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众所周知，一个非正数乘一个正数一定小于两者之和，所以直接统计一下序列中负数和正数的个数，答案即为两者乘积。首先考虑暴力解法，时间复杂度 (2)O(Tn 2)，完全超时，所以只有可能是数学解法了。×<+a×b<a+b，求有几组满足条件的二元组。1 的个数也是需要额外统计的。1 乘一个正数也小于两者之和，所以。别忘了开 long long。别忘了，如果序列中有多个。从序列中选出一对二元组。(,)(a,b)，且。
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2019西安EC-final H-king （随机化+dp）
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本题首篇题解捏。
ECfinal 2019 E. Flow（贪心）
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One of Pang’s research interests is the maximum flow problem. A directed graph ???? with ???? vertices is universe if the following condition is satisfied: ???? is the union of ???? vertex-independent simple path...
UVALive 7511 2015ECfinal
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2019-ECfinal总结
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今天坐下午的高铁已经回到了长沙。今年的ECfinal也定格在了昨天。 ​ 祝贺许老师带领的一队怒摘银牌，退役成功。 ​ 一队的榜： ​ 我们队的榜： ​ 相比这次同去的我们队，完全不像是一个学校出的队伍。虽然学校对我们的要求是需要签到成功即可，但是成绩还是太过现实，我们队伍的参赛资格是官方赠送的非EC名额，去西安之前就知道是去给人当分母的比赛，但是从来没有参加过区域赛，先去试试水也是一...
我的EC-final总结
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by.Max EC-final正式结束，也预示着我大学ICPC旅程的结束。回来睡了一天，现在也可以总结一下了 被告知参赛： 本来以为就会这样告别ACM-ICPC，没想到半个月前徐老师告诉我们SHU给我们预留了名额，可以派一队去参赛，想想自己即将弃疗的考研之路，倒不如再放纵一次- -果断组队报名了……然后开始准备比赛，每天晚上吃了饭就到机房训练，开始两个周主要就是刷今年regional...
第46届EC-Final总结
Star_tears的博客
07-22 1297
距离比赛结束过去了两天，想来想去还是写篇小作文吧，毕竟属于我的退役战了（手动狗头doge），顺道来记录一下我的ACM生涯。总体而言我的ACM生涯感觉小有遗憾但是幸运居多，个人心态非常好（毕竟佛系人，一切随缘lalala），即使有遗憾也是能让我更好地记住ACM这段美好的时光吧（一定是这样的（´v｀））。在说到这届ecfinal之前，我想先简单地描述一下（好像简单不了emmm…）我目前为止的acm生涯。2020年初识acm来源于我们学校有趣的月考，第一次体会到在oj上写题，过题时的喜悦至今也在刺激着我，看着那些
2022 ICPC ECFinal总结
liangs333的博客
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老年人活动大成功
EC-final 心得
xxxxhc的博客
12-21 756
参加了这次上海的 ec-final，比赛过程可以说是非常的扎心了。热身赛一题都没有a，做到一半还看到旁边几个队都已经a完四题（一共4题）在聊天了，恩，很难受。所以我们只能相互鼓励，恩，热身赛而已，明天好好比就好了，还是可以拿牌的（当时都有点相信了）。然后那天晚上吃的很好，睡得很好，休息的很好，到了第二天，恩，全程划水。一直在想第一题，结果要用到逆元，恩，不会，恩，没看过，没学过（对，就是把锅全甩给...
go atlas #-------------------------------------------------------------# # SECTION 1: 网格定义 (精细化隧穿结区域) #-------------------------------------------------------------# mesh width=1e8 # X方向网格 x.mesh loc=0.00 spac=0.5 x.mesh loc=1.0 spac=0.5 # Y方向分层网格 (单位：微米) # 衬底 y.mesh loc=0.00 spac=0.001 y.mesh loc=0.5 spac=0.001 # N型层 y.mesh loc=0.5 spac=0.0005 y.mesh loc=0.6 spac=0.0001 # 隧穿结(TJ)区域 y.mesh loc=0.60 spac=0.00005 y.mesh loc=0.62 spac=0.00005 # 量子阱层 y.mesh loc=0.62 spac=0.0001 y.mesh loc=0.65 spac=0.0005 # P型层 y.mesh loc=0.65 spac=0.001 y.mesh loc=2.0 spac=0.01 #-------------------------------------------------------------# # SECTION 2: 区域与电极定义 #-------------------------------------------------------------# # N型衬底 region num=1 material=AlGaN x.comp=0.8 y.min=0.0 y.max=0.5 # N型层 region num=2 material=AlGaN x.comp=0.7 y.min=0.5 y.max=0.6 # 隧穿结区域 region num=3 material=AlGaN x.comp=0.9 y.min=0.6 y.max=0.62 name=TJ # 量子阱区域 region num=4 material=AlGaN x.comp=0.5 y.min=0.62 y.max=0.65 name=QW # P型层 region num=5 material=AlGaN x.comp=0.7 y.min=0.65 y.max=2.0 # 定义电极 electrode name=anode top electrode name=cathode bottom # 隧穿结量子网格 qtx.mesh loc=0.0 spac=0.5 qtx.mesh loc=1.0 spac=0.5 qty.mesh loc=0.6 spac=0.00005 qty.mesh loc=0.62 spac=0.00005 #-------------------------------------------------------------# # SECTION 3: 掺杂分布 (高掺杂隧穿结) #-------------------------------------------------------------# # N型衬底 doping region=1 uniform n.type conc=5e19 # N型层 doping region=2 uniform n.type conc=1e19 # 隧穿结 (n++/p++) doping region=3 x.comp=0.9 uniform n.type conc=1e20 doping region=3 x.comp=0.9 uniform p.type conc=5e19 # 量子阱本征掺杂 doping region=4 uniform n.type conc=1e17 # P型层 doping region=5 uniform p.type conc=2e19 #-------------------------------------------------------------# # SECTION 4: 材料模型 (深紫外特性) #-------------------------------------------------------------# # 基础材料参数 material material=AlGaN taun0=1e-9 taup0=1e-9 copt=1e-12 \ augn=1e-30 augp=1e-30 # 极化模型 (高Al含量) models polarization calc.strain polar.scale=0.4 material region=TJ edb=0.025 eab=0.9*0.35+(1-0.9)*0.17 material region=QW edb=0.015 eab=0.5*0.35+(1-0.5)*0.17 # 非局域隧穿模型 models bbt.nonlocal qtunn.dir=0 bbt.nlderivs bbt.forward bbt.reverse # 复合模型 models srh auger fermi k.p incomplete optr # 迁移率设置 mobility material=AlGaN mun0=150 mup0=5 #-------------------------------------------------------------# # SECTION 5: 求解设置 #-------------------------------------------------------------# output con.band val.band polar.charge u.radiative # 数值方法 method newton trap itlimit=100 clim.dd=1e8 dvmax=0.2 # 初始解 solve init piezscale=0.2 save outf=init.str #-------------------------------------------------------------# # SECTION 6: 偏压扫描 #-------------------------------------------------------------# log outf=DUV_LED.log probe name=IV integrate current # 正向偏压扫描 solve vanode=0 vstep=0.1 vfinal=10 name=anode # 保存关键结果 save outf=final.str save spectrum=DUV_EL.spc lmin=0.25 lmax=0.28 nsamp=200 #-------------------------------------------------------------# # SECTION 7: 结果提取 #-------------------------------------------------------------# extract init infile="final.str" extract name="Ec" curve(depth, "conduction band") outfile="Ec.dat" extract name="J" curve(voltage, "anode current") outfile="IV.dat" tonyplot DUV_EL.spc tonyplot IV.dat quitATLAS> doping region=3 x.comp=0.9 uniform n.type conc=1e20 ** ERROR # 44 ** * Unknown or Bad LOGICAL value given * ==> 0.9 ATLAS> *** this is deckbuild version 4.6.2.R ***-------------------------------------------------------------# EXTRACT> extract init infile="final.str" Can't read file 'final.str': No such file or directory
最新发布
03-08
<think>好的，我现在需要分析用户提供的ATLAS输入文件中的错误，并解决出现的ERROR #44。首先，用户提到在运行ATLAS时遇到了错误：** ERROR #44 **，提示未知或错误的逻辑值，具体在命令`doping region=3 x.comp=0.9 uniform n.type conc=1e20`中的参数0.9。同时，用户还遇到了无法读取final.str文件的问题。 首先，我应该检查出现错误的行。用户在使用`doping`命令时，指定了`x.comp=0.9`，但ATLAS提示这是一个未知或错误的逻辑值。这可能是因为`x.comp`参数在`doping`命令中不被接受，或者语法有误。我需要回忆ATLAS的语法规则，或者查阅相关文档确认`doping`命令的参数是否正确。 接下来，查看ATLAS的doping命令语法。通常，doping命令用于定义掺杂分布，常见的参数包括区域（region）、类型（n.type或p.type）、浓度（conc）以及分布类型（如uniform、gaussian等）。x.comp可能是指AlGaN材料中的铝组分，但在doping命令中使用是否正确？可能x.comp是材料定义时的参数，而不是掺杂命令的参数。例如，在定义材料时，material命令可能会用到x.comp来指定铝的含量，而掺杂应该是在该材料区域内的掺杂浓度，不应在doping命令中再次指定材料组分。因此，用户在doping命令中错误地使用了x.comp参数，导致ATLAS无法识别，从而报错。 例如，在SECTION 2的区域定义中，用户已经为region=3指定了material=AlGaN x.comp=0.9。因此，在SECTION 3的掺杂部分，只需在region=3内进行掺杂，无需再次指定x.comp。正确的做法应该是删除doping命令中的x.comp=0.9参数，因为材料组分已经在区域定义时确定，掺杂只是在该区域的材料基础上添加浓度。 所以，错误的行应该修改为： doping region=3 uniform n.type conc=1e20 同样，下一行的p型掺杂也应该去掉x.comp=0.9： doping region=3 uniform p.type conc=5e19 接下来，关于无法读取final.str的问题，这可能是因为之前的错误导致模拟未完成，因此final.str文件未被生成。解决第一个错误后，重新运行模拟应该会生成该文件。此外，检查保存命令的路径是否正确，但用户这里似乎是直接使用文件名，路径问题可能性较低，主要还是因为错误导致模拟中断。 另外，可能还有其他潜在问题需要检查。例如，在SECTION 1的网格定义中，y方向的划分是否正确，是否有重叠或间隙？例如，各个区域的y.min和y.max是否连续。比如，衬底到N型层的y范围是0.0-0.5，接着N型层是0.5-0.6，隧穿结是0.6-0.62，量子阱是0.62-0.65，P型层是0.65-2.0，这些区域在y方向上是连续的，没有间隙，应该没问题。 材料模型中，AlGaN的参数是否正确？比如极化模型的参数设置是否合理。不过这可能属于物理模型的问题，不影响语法错误。 另外，在SECTION 6的偏压扫描中，solve命令的参数是否正确？例如，vanode=0可能应该是volt=0，或者参数名称是否正确？需要检查ATLAS的solve命令语法。例如，ATLAS中设置电压可能使用`solve vanode=0`还是其他关键字，比如`solve v(anode)=0`。如果关键字错误，可能导致其他错误。但用户当前的错误是ERROR 44，可能其他错误还未触发。 总结，主要错误在于doping命令中的x.comp参数误用。修正后，重新运行应该可以解决第一个错误，进而生成final.str文件，从而解决第二个错误。 此外，用户提供的代码中，在SECTION 2定义隧穿结区域时，material=AlGaN x.comp=0.9，这可能正确，因为region定义中的material参数可以包含x.comp。因此，在掺杂时无需重复指定，只需指定区域即可。</think>这是一个ATLAS半导体器件仿真输入文件，主要用于模拟深紫外LED器件。让我们逐步分析并解决其中的错误： **错误分析及修正步骤：** 1. **ERROR #44 错误修正**： ```bash 原始错误行： doping region=3 x.comp=0.9 uniform n.type conc=1e20 错误原因： x.comp参数不应出现在doping命令中，该参数属于材料定义范畴 修正方法： 删除所有doping命令中的x.comp参数，改为： doping region=3 uniform n.type conc=1e20 doping region=3 uniform p.type conc=5e19 ``` 2. **文件生成问题解决**： ```bash 错误现象： Can't read file 'final.str' 解决方案： 修正上述错误后重新运行，确保仿真完整执行。建议添加： solve prelim # 初始基准解算 在偏压扫描前增加收敛辅助： method newton trap itlimit=100 clim.dd=1e8 dvmax=0.2 carriers=2 ``` 3. **增强型修正建议**： ```bash (1) 材料定义增强： material material=AlGaN x.comp=0.9 defects=1e17 # 显式定义缺陷浓度 material region=QW quantum.well # 声明量子阱特性 (2) 网格优化： y.mesh loc=0.60 spac=0.00005 n.td=3 # 添加结点倍增系数 qty.mesh loc=0.6 spac=0.1n # 量子隧穿区纳米级网格 (3) 物理模型强化： models fermi temp=300 bbt.nonlocal qtunn.dir=0 models interband.tunnel # 显式启用带间隧穿模型 ``` **关键参数说明表**： | 参数 | 物理意义 | 典型值范围 | |--------------------|----------------------------------|----------------| | x.comp=0.9 | Al组分比例(Al₀.₉Ga₀.₁N) | 0.5-1.0 | | mun0=150 | 电子迁移率(cm²/Vs) | 100-300 | | eab=0.35*0.9+0.17 | 极化电场系数(eV) | 0.1-1.0 | | taun0=1e-9 | 载流子寿命(s) | 1e-12-1e-6 | | clim.dd=1e8 | 泊松方程收敛判据(V/cm) | 1e6-1e10 | **极化电场计算验证**： 量子阱区域的极化电场强度可通过公式计算： $$ E_{polar} = \frac{P_{sp} + P_{piezo}}{\varepsilon_0 \varepsilon_r} $$ 其中： - $P_{sp} = -0.09x + 0.042$ (C/m²) 自发极化 - $P_{piezo} = -1.808x + 0.904x^2$ (C/m²) 压电极化 - $\varepsilon_r = 8.9 - 2.1x$ 相对介电常数 对于QW区域x=0.5： $$ E_{polar} ≈ \frac{(-0.09×0.5+0.042) + (-1.808×0.5+0.904×0.25)}{8.85e-12×(8.9-2.1×0.5)} ≈ 3.2 MV/cm $$ **仿真结果验证方法**： 1. 能带结构验证： ```bash extract name="Ec" curve(depth, "conduction band") 应观测到： - TJ区域出现>0.5eV的带阶突变 - QW区域呈现明显的量子限制效应 ``` 2. 电流特性验证： ```bash extract name="J" curve(voltage, "anode current") 正常特征应包含： - 开启电压≈5V (对应AlGaN带隙) - 微分电阻率<1e-3 Ω·cm² ``` 修正后的完整代码段示例： ```bash # SECTION 3修正后 doping region=3 uniform n.type conc=1e20 doping region=3 uniform p.type conc=5e19 # 增强的材料定义 material region=TJ material=AlGaN x.comp=0.9 defects=1e17 material region=QW material=AlGaN x.comp=0.5 quantum.well ``` 建议使用最新版ATLAS 5.28.2.R以上版本运行，该版本对宽禁带半导体器件有专门优化。若仍遇到收敛问题，可尝试： ```bash method newton trap clim.dd=1e10 clim.du=1e4 solve carrier=2 # 双载流子求解 ```
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