我的EC-final总结

最新推荐文章于 2024-01-17 13:23:27 发布
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by.Max

EC-final正式结束，也预示着我大学ICPC旅程的结束。回来睡了一天，现在也可以总结一下了

 

被告知参赛：

本来以为就会这样告别ACM-ICPC，没想到半个月前徐老师告诉我们SHU给我们预留了名额，可以派一队去参赛，想想自己即将弃疗的考研之路，倒不如再放纵一次- -果断组队报名了……然后开始准备比赛，每天晚上吃了饭就到机房训练，开始两个周主要就是刷今年regional和网络赛的简单题，找下状态和手感。周六晚上打一场BC，星期天晚上大一集训队有理论AC交流会，也就当休息了。最后临出发之前那周（上周）就以调整为主，整理模板，收拾东西。中间偶尔也在十点以后给大一的讲点小tips，还有两天晚上学院蓝桥杯选拔赛，被抓去监考（毕竟我出题2333其实还是在做自己的事）

 

Day0：

周五早上五点就被闹钟吵醒- -.连滚带爬的收拾东西出发，机智的我们提前一天预约了某滴，然而司机还是不出意外的放了我们鸽子（某滴药丸！）临时打了个uber去机场，时间还是刚刚好<(￣︶￣)>然后灰机转地铁（吐槽下魔都地铁坐着真难受）中午一点多抵达SHU，然而志愿者童鞋不知所踪，balabala……马甲饭卡帽子胸牌四件套好评，上大饭卡里80块钱，然后愉快的吃了顿午饭（上大食堂好评！）下午睡觉，晚上跟着教练和学弟去逛了下外滩，以及吃了一顿非常难吃的晚饭T_T晚上回来看电视&睡觉（睡的时候听到外面一声呻吟咳咳咳）

 

Day1：

周六睡到中午，然后换宾馆&吃午饭，有约到萌萌哒的上大妹子还被送了杯红茶(≧∀≦)ゞ并被带去参加开幕式，开幕式满满槽点23333上大计院院长立的奇怪flag & gb的朝鲜缅甸赛区（可怕 ……还看到了ym已久的kuangbin巨巨~~~

练习赛：

赛前竟然有安检……不知道是图啥，还不准带液体进去- -怕我们激动了水泼交换机吗……

主办方还是比较厚道，把强队和弱队基本分开了，不会前后左右插满气球，自己这里孤零零的情况……

比赛环境是熟悉的Ubuntu+CB+PC2，赛前准备了很久的vim也没用上。练习赛一共三道题，开场一人一道，真心服强队的手速，我读A，其实大家读题时间差不多，然而我刚敲完主函数，FB就没了=。=大概20min还是30min过了A，中间还脑残没初始化变量wa了一次……

学弟读B读错题意，然后理解了半天，很尴尬- -结果最后也没写完……练习赛水一题，排名233（真吉利）

晚上发小来找我吃饭，跑到上大西门，结果碰到中午的上大妹子&数一巨巨，四个人一起吃了顿小火锅（跑到上海去吃火锅，是不是傻- -）晚上回宾馆，两个队友还在打BC，感觉学弟因为练习赛读错题的事有点失落。打完BC各回房间睡觉（毕竟第二天要安检啊）

 

Day2：

正赛：

早上起床还是挺早的，然后去体育馆旁边食堂吃了早饭就入场了。入了场没事干，还在厕所遇到排队等坑位的CLJ（ym！）正赛开始，分题，因为我们队伍比较弱，就是两个队友分别A->M以及M->A的顺序读，遇到觉得可行的就开始解题。我就翻中间的题以及看榜，到时候跟榜刷题。Zhr发现M可做，就开始写M。然后果然A和M的FB相继出现。学弟发现A可做，就开始给我讲A的题意，结果不出意外的又读错23333然后我就放弃A开始看榜，发现D和L也被人过掉，就跟学弟看D和L，M在wa了两次后返回了Yes。学弟有点紧张，就让zhr读A，终于把题读懂，发现是一眼题- -二分答案或者近似值验证就行，我写了一发二分答案wa了，zhr就去写近似值验证，wa了一次后成功Yes。学弟读懂了L的题意，就是个乘法表，zhr也看懂了D，感觉有点难。学弟看出了L中的tips，我们顺着思路找，结果找到了point，其实就是对于任意两个点，在表中相对位置是不变的，解二元一次方程组就可以了，我和zhr就开始推L的公式，学弟看了半天D没思路，就去读F；推出L，开始写，写到一半发现有特殊情况没考虑到- -就开始改（赛后发现其实没那么麻烦）然后又成功读错题T_T.....zhr就继续写L，学弟告诉我F可做，看了一会觉得是个博弈论- -就开始推公式……自以为推出了正确的结果- -Lwa了两发，我就去写F，结果WA。此时已经封榜- -我们过了A和M，手里卡着F和L，以及很多人过但我们没找到思路的D。看了半小时，终于发现我们读错了L- -开始改代码，中间我又改了下F但还是WA，但已经没时间了，结束前交了一发L，还是WA掉……最终两题，无缘奖牌T_T

赛后在门口遇到了南大的zcl&菠萝、又在伟长楼遇到kuangbin和苏大的胃痛，跟他们几位合了一发影。闭幕式开场明显在拖时间- -各种文艺表演以及华为HR的技术讲座并不能引起兴趣，就带着学弟去超市把全队的饭卡刷干净，买了一堆吃的，还送给上大妹子一些。滚bored的时候出了点问题，结果一群人上去挨个讲故事，又给gb拍了个大手- -就直接发奖了妈蛋……于是教练直接带我们跑了=。=

花絮：

在机场安检的时候居然碰到了THU的队伍！还看到了活的CLJ！还会动的- -

然后就登机回成都……EC-final之旅正式结束

 

总结：

  1. 本来对目标也没有太高的要求，能去参赛就已经很不错了，心里想的就是能进前二百就是胜利，然而最终还是有点遗憾……再出一道就能铜了……残念啊残念……
  2. 这次比赛还是有不少问题，组队时间过短，训练比较少，跟zhr之前组队几年，比较有默契，但是学弟感觉明显有些紧张，全程读题无输出，显然没发挥出自己的水平
  3. 其实这次比赛的成绩确实是其次的……因为收获已经有了啊=。=大一集训队的氛围明显要比大二大三的同学好，相信他们能坚持下去，川师靠自己打进regional甚至打进ec-final指日可待！
  4. 嗯- -差距还是有，但是与西南地区一些高校的差距已经不再像以前那样不可逾越了。科学的训练方法+领导老师的支持+学弟学妹们自己的努力，川师会进步的。
  5. 我自己的话，感觉还是将就了- -圆了参加ec-final的梦，但是遗憾没为川师拿到一块奖牌……可能这次比赛完就退役了吧T_T高中开始的算法竞赛之旅啊……明年邀请赛也不知道有没有机会了=。=
  6. 嗯，差不多就这么多= =老师&学弟学妹们加油！

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go atlas #-------------------------------------------------------------# # SECTION 1: 网格定义 (精细化隧穿结区域) #-------------------------------------------------------------# mesh width=1e8 # X方向网格 x.mesh loc=0.00 spac=0.5 x.mesh loc=1.0 spac=0.5 # Y方向分层网格 (单位：微米) # 衬底 y.mesh loc=0.00 spac=0.001 y.mesh loc=0.5 spac=0.001 # N型层 y.mesh loc=0.5 spac=0.0005 y.mesh loc=0.6 spac=0.0001 # 隧穿结(TJ)区域 y.mesh loc=0.60 spac=0.00005 y.mesh loc=0.62 spac=0.00005 # 量子阱层 y.mesh loc=0.62 spac=0.0001 y.mesh loc=0.65 spac=0.0005 # P型层 y.mesh loc=0.65 spac=0.001 y.mesh loc=2.0 spac=0.01 #-------------------------------------------------------------# # SECTION 2: 区域与电极定义 #-------------------------------------------------------------# # N型衬底 region num=1 material=AlGaN x.comp=0.8 y.min=0.0 y.max=0.5 # N型层 region num=2 material=AlGaN x.comp=0.7 y.min=0.5 y.max=0.6 # 隧穿结区域 region num=3 material=AlGaN x.comp=0.9 y.min=0.6 y.max=0.62 name=TJ # 量子阱区域 region num=4 material=AlGaN x.comp=0.5 y.min=0.62 y.max=0.65 name=QW # P型层 region num=5 material=AlGaN x.comp=0.7 y.min=0.65 y.max=2.0 # 定义电极 electrode name=anode top electrode name=cathode bottom # 隧穿结量子网格 qtx.mesh loc=0.0 spac=0.5 qtx.mesh loc=1.0 spac=0.5 qty.mesh loc=0.6 spac=0.00005 qty.mesh loc=0.62 spac=0.00005 #-------------------------------------------------------------# # SECTION 3: 掺杂分布 (高掺杂隧穿结) #-------------------------------------------------------------# # N型衬底 doping region=1 uniform n.type conc=5e19 # N型层 doping region=2 uniform n.type conc=1e19 # 隧穿结 (n++/p++) doping region=3 x.comp=0.9 uniform n.type conc=1e20 doping region=3 x.comp=0.9 uniform p.type conc=5e19 # 量子阱本征掺杂 doping region=4 uniform n.type conc=1e17 # P型层 doping region=5 uniform p.type conc=2e19 #-------------------------------------------------------------# # SECTION 4: 材料模型 (深紫外特性) #-------------------------------------------------------------# # 基础材料参数 material material=AlGaN taun0=1e-9 taup0=1e-9 copt=1e-12 \ augn=1e-30 augp=1e-30 # 极化模型 (高Al含量) models polarization calc.strain polar.scale=0.4 material region=TJ edb=0.025 eab=0.9*0.35+(1-0.9)*0.17 material region=QW edb=0.015 eab=0.5*0.35+(1-0.5)*0.17 # 非局域隧穿模型 models bbt.nonlocal qtunn.dir=0 bbt.nlderivs bbt.forward bbt.reverse # 复合模型 models srh auger fermi k.p incomplete optr # 迁移率设置 mobility material=AlGaN mun0=150 mup0=5 #-------------------------------------------------------------# # SECTION 5: 求解设置 #-------------------------------------------------------------# output con.band val.band polar.charge u.radiative # 数值方法 method newton trap itlimit=100 clim.dd=1e8 dvmax=0.2 # 初始解 solve init piezscale=0.2 save outf=init.str #-------------------------------------------------------------# # SECTION 6: 偏压扫描 #-------------------------------------------------------------# log outf=DUV_LED.log probe name=IV integrate current # 正向偏压扫描 solve vanode=0 vstep=0.1 vfinal=10 name=anode # 保存关键结果 save outf=final.str save spectrum=DUV_EL.spc lmin=0.25 lmax=0.28 nsamp=200 #-------------------------------------------------------------# # SECTION 7: 结果提取 #-------------------------------------------------------------# extract init infile="final.str" extract name="Ec" curve(depth, "conduction band") outfile="Ec.dat" extract name="J" curve(voltage, "anode current") outfile="IV.dat" tonyplot DUV_EL.spc tonyplot IV.dat quitATLAS> doping region=3 x.comp=0.9 uniform n.type conc=1e20 ** ERROR # 44 ** * Unknown or Bad LOGICAL value given * ==> 0.9 ATLAS> *** this is deckbuild version 4.6.2.R ***-------------------------------------------------------------# EXTRACT> extract init infile="final.str" Can't read file 'final.str': No such file or directory
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03-08
<think>好的，我现在需要分析用户提供的ATLAS输入文件中的错误，并解决出现的ERROR #44。首先，用户提到在运行ATLAS时遇到了错误：** ERROR #44 **，提示未知或错误的逻辑值，具体在命令`doping region=3 x.comp=0.9 uniform n.type conc=1e20`中的参数0.9。同时，用户还遇到了无法读取final.str文件的问题。 首先，我应该检查出现错误的行。用户在使用`doping`命令时，指定了`x.comp=0.9`，但ATLAS提示这是一个未知或错误的逻辑值。这可能是因为`x.comp`参数在`doping`命令中不被接受，或者语法有误。我需要回忆ATLAS的语法规则，或者查阅相关文档确认`doping`命令的参数是否正确。 接下来，查看ATLAS的doping命令语法。通常，doping命令用于定义掺杂分布，常见的参数包括区域（region）、类型（n.type或p.type）、浓度（conc）以及分布类型（如uniform、gaussian等）。x.comp可能是指AlGaN材料中的铝组分，但在doping命令中使用是否正确？可能x.comp是材料定义时的参数，而不是掺杂命令的参数。例如，在定义材料时，material命令可能会用到x.comp来指定铝的含量，而掺杂应该是在该材料区域内的掺杂浓度，不应在doping命令中再次指定材料组分。因此，用户在doping命令中错误地使用了x.comp参数，导致ATLAS无法识别，从而报错。 例如，在SECTION 2的区域定义中，用户已经为region=3指定了material=AlGaN x.comp=0.9。因此，在SECTION 3的掺杂部分，只需在region=3内进行掺杂，无需再次指定x.comp。正确的做法应该是删除doping命令中的x.comp=0.9参数，因为材料组分已经在区域定义时确定，掺杂只是在该区域的材料基础上添加浓度。 所以，错误的行应该修改为： doping region=3 uniform n.type conc=1e20 同样，下一行的p型掺杂也应该去掉x.comp=0.9： doping region=3 uniform p.type conc=5e19 接下来，关于无法读取final.str的问题，这可能是因为之前的错误导致模拟未完成，因此final.str文件未被生成。解决第一个错误后，重新运行模拟应该会生成该文件。此外，检查保存命令的路径是否正确，但用户这里似乎是直接使用文件名，路径问题可能性较低，主要还是因为错误导致模拟中断。 另外，可能还有其他潜在问题需要检查。例如，在SECTION 1的网格定义中，y方向的划分是否正确，是否有重叠或间隙？例如，各个区域的y.min和y.max是否连续。比如，衬底到N型层的y范围是0.0-0.5，接着N型层是0.5-0.6，隧穿结是0.6-0.62，量子阱是0.62-0.65，P型层是0.65-2.0，这些区域在y方向上是连续的，没有间隙，应该没问题。 材料模型中，AlGaN的参数是否正确？比如极化模型的参数设置是否合理。不过这可能属于物理模型的问题，不影响语法错误。 另外，在SECTION 6的偏压扫描中，solve命令的参数是否正确？例如，vanode=0可能应该是volt=0，或者参数名称是否正确？需要检查ATLAS的solve命令语法。例如，ATLAS中设置电压可能使用`solve vanode=0`还是其他关键字，比如`solve v(anode)=0`。如果关键字错误，可能导致其他错误。但用户当前的错误是ERROR 44，可能其他错误还未触发。 总结，主要错误在于doping命令中的x.comp参数误用。修正后，重新运行应该可以解决第一个错误，进而生成final.str文件，从而解决第二个错误。 此外，用户提供的代码中，在SECTION 2定义隧穿结区域时，material=AlGaN x.comp=0.9，这可能正确，因为region定义中的material参数可以包含x.comp。因此，在掺杂时无需重复指定，只需指定区域即可。</think>这是一个ATLAS半导体器件仿真输入文件，主要用于模拟深紫外LED器件。让我们逐步分析并解决其中的错误： **错误分析及修正步骤：** 1. **ERROR #44 错误修正**： ```bash 原始错误行： doping region=3 x.comp=0.9 uniform n.type conc=1e20 错误原因： x.comp参数不应出现在doping命令中，该参数属于材料定义范畴 修正方法： 删除所有doping命令中的x.comp参数，改为： doping region=3 uniform n.type conc=1e20 doping region=3 uniform p.type conc=5e19 ``` 2. **文件生成问题解决**： ```bash 错误现象： Can't read file 'final.str' 解决方案： 修正上述错误后重新运行，确保仿真完整执行。建议添加： solve prelim # 初始基准解算 在偏压扫描前增加收敛辅助： method newton trap itlimit=100 clim.dd=1e8 dvmax=0.2 carriers=2 ``` 3. **增强型修正建议**： ```bash (1) 材料定义增强： material material=AlGaN x.comp=0.9 defects=1e17 # 显式定义缺陷浓度 material region=QW quantum.well # 声明量子阱特性 (2) 网格优化： y.mesh loc=0.60 spac=0.00005 n.td=3 # 添加结点倍增系数 qty.mesh loc=0.6 spac=0.1n # 量子隧穿区纳米级网格 (3) 物理模型强化： models fermi temp=300 bbt.nonlocal qtunn.dir=0 models interband.tunnel # 显式启用带间隧穿模型 ``` **关键参数说明表**： | 参数 | 物理意义 | 典型值范围 | |--------------------|----------------------------------|----------------| | x.comp=0.9 | Al组分比例(Al₀.₉Ga₀.₁N) | 0.5-1.0 | | mun0=150 | 电子迁移率(cm²/Vs) | 100-300 | | eab=0.35*0.9+0.17 | 极化电场系数(eV) | 0.1-1.0 | | taun0=1e-9 | 载流子寿命(s) | 1e-12-1e-6 | | clim.dd=1e8 | 泊松方程收敛判据(V/cm) | 1e6-1e10 | **极化电场计算验证**： 量子阱区域的极化电场强度可通过公式计算： $$ E_{polar} = \frac{P_{sp} + P_{piezo}}{\varepsilon_0 \varepsilon_r} $$ 其中： - $P_{sp} = -0.09x + 0.042$ (C/m²) 自发极化 - $P_{piezo} = -1.808x + 0.904x^2$ (C/m²) 压电极化 - $\varepsilon_r = 8.9 - 2.1x$ 相对介电常数 对于QW区域x=0.5： $$ E_{polar} ≈ \frac{(-0.09×0.5+0.042) + (-1.808×0.5+0.904×0.25)}{8.85e-12×(8.9-2.1×0.5)} ≈ 3.2 MV/cm $$ **仿真结果验证方法**： 1. 能带结构验证： ```bash extract name="Ec" curve(depth, "conduction band") 应观测到： - TJ区域出现>0.5eV的带阶突变 - QW区域呈现明显的量子限制效应 ``` 2. 电流特性验证： ```bash extract name="J" curve(voltage, "anode current") 正常特征应包含： - 开启电压≈5V (对应AlGaN带隙) - 微分电阻率<1e-3 Ω·cm² ``` 修正后的完整代码段示例： ```bash # SECTION 3修正后 doping region=3 uniform n.type conc=1e20 doping region=3 uniform p.type conc=5e19 # 增强的材料定义 material region=TJ material=AlGaN x.comp=0.9 defects=1e17 material region=QW material=AlGaN x.comp=0.5 quantum.well ``` 建议使用最新版ATLAS 5.28.2.R以上版本运行，该版本对宽禁带半导体器件有专门优化。若仍遇到收敛问题，可尝试： ```bash method newton trap clim.dd=1e10 clim.du=1e4 solve carrier=2 # 双载流子求解 ```
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