嵌入式技术

本文详细介绍了FreeRTOS在STM32H750上的移植过程。主要内容包括：从官网下载源码包，筛选核心内核文件；移植步骤涉及文件拷贝、保留关键文件夹（MemMang和RVDS）；工程配置要点如添加必要文件、屏蔽冲突中断、调整配置文件；创建任务的基本方法；以及各源码文件的功能说明。文章还分析了FreeRTOS架构特点，强调其通过RVDS文件夹提供不同芯片架构的底层接口。最后总结了移植的关键步骤：获取源码、筛选文件、工程配置、解决冲突和调整参数。全文为嵌入式开发者提供了清晰的FreeRTOS移植指南，适用于A

正弦波RMS有效值的计算基于热效应等效原理，通过积分推导可得$V_{rms}=V_{max}/\sqrt{2}$。常见误区是将半周期电压平均值（0.637$V_{max}$）误认为有效值，实际上有效值需考虑功率（电压×电流）。整流后直流脉动输出约为有效值的0.9倍（280V/311V），这是由峰值与有效值的换算关系决定的。该计算过程澄清了有效值与平均值的本质区别。

有时候需要在KeilC51中把变量或函数定义到绝对位置，以下简述做法以上方式对于函数定义来说是以函数段链接来定位，在MAP文件中可以查看各个函数段名技术交流群 : 745662457群内专注 - 问题答疑，技术研究。

有时候需要在MDK中把变量或函数定义到绝对位置，以下简述做法attribute方式一：方式二:以上方式都不需要修改分散加载文件，方便快速实现技术交流群 : 745662457群内专注 - 问题答疑，技术研究。

随着MCU的资源增大以及物联的普及，许多产品已经使用上了远程升级OTA技术，可以远程优化掉产品的BUG，大大降低了程序风险，以下详解KeilC51/MDK平台下的OTA步骤技术交流群 : 745662457群内专注 - 问题答疑，技术研究。

详解TL431计算以及推导过程

MDK编译后，会列出Code, RO-data , RW-data, ZI-data，详解各区域

详解施密特比较器的全过程

数据整理过程中经常需要把数据排序，这篇文章主要详解快速排序技术交流群 : 745662457群内专注 - 问题答疑，技术研究。

数据整理过程中经常需要把数据排序，这篇文章主要详解选择排序

数据整理过程中经常需要把数据排序，这篇文章主要详解冒泡排序

一般来说，C语言有符号与无符号比较，编译器默认情况下，如果有符号的值在无符号类型的范围内，则比较将基于该值转换到无符号类型中的表示，如果值超出无符号类型的范围，则行为是超纲的，以下便详解此类C语言的编译器百花齐放，了解编译器的编译行为有助于对程序稳定性的加固，上述情况在实际开发中尽量避免不同类型的有/无符号之间比较，再次抛出比较的概念当有符号的值在无符号范围内会把有符号转换成无符号比较，有符号的值超出无符号范围会让编译器无所适从，以下详解这类情况

有时候希望通过类定义的类型指向数据包来解析，恰好又想结构体内定义指针指向一段数据，那很常见，不过有时候会忽略一个覆盖重叠的问题，以下详解指针覆盖重叠

平台调试用到printf接口打印一些数据，但是由于printf用到可变形参的概念，又由于KeilC51为8位平台，当我们在可变形参传入8位，16位，32位变量时，printf接口是不知道的，因为不像MDK平台是32位地址操作，因此需要在%d中加入对应类型修饰。本文秉持深入浅出风格展示内容，以上内容可了解到由于KeilC51是8位平台，可变形参并不知道传入的参数的几位的，因此协会标准制定了一个传入位数扩展字符，因此在8位平台里要留意printf的打印输出扩展字符。

当在后台循环判断变量时，要留意编译器把变量送进寄存器变量中判断引发的细节问题

详解KeilC51/MDK平台下各细节注意事项

当中断中操作了变量，回到后台判断变量时有时候会判断不过是因为编译器优化在判断时不从ram区域地址取值判断，而是从寄存器变量中取值判断。

详解双向可控硅原理

描述KeilC51平台的注意事项

详解C++模板

1 . 遵循原运算符语意扩展，即+运算，扩展后遵循+的逻辑交互内存2 . 大部分运算符可以重载，小部分不可以(如上述描述)3 . 个别运算符仅能在成员中重载4 . 个别运算符仅能在全局中重载5 . 运算符重载触发机制取决于是否属于全局/成员，参数列表是否符合

在面向对象语言中，经常提到重载与重写，以下内容直观描述两者差异。

全文详解C++各种情况下类的内存排布。

C++ 多态向下转型详解

C++ 多态向上转型详解

C++ namespace 命名空间详解

C++详解

USB协议从物理层，协议层，应用层从下到上逐层解析。

CAN协议深入浅出

其中，τ是RC时间常数，单位为秒（s），R为电阻值，单位为欧姆（Ω），C为电容值，单位为法拉（F）根据 以上信息，那么我们就可以通过改变R或C的参数，控制电容充电的时长从而达到我们的预期。如图所示，一般5倍RC常数时长后，电容即几乎充/放完电。掌握了RC常数，大家即加深了对电路的理解。群内专注 - 问题答疑，项目外包，技术研究。。

文章从物理层,协议层,应用层，从下往上深入浅出剖析

技术分享

文章从物理层,协议层,应用层，从下往上深入浅出剖析

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C语言深入浅出讲述，C语言运算符优先级

为什么运放能放大，这里抛出一个 “控制概念” ，只要正相输入电压 > 反相输入电压，那么输出电压就会从0逐步上升到运放供电电压，由于输出连回了输入负端，那么负端输入电压就会被抬高，直到与正相输入电压平衡，此时输出就稳定了，那么这个过程中，输出电压相当于一开始从0上升到稳定的电压，这个电压就是“被放大的电压”，那从哪个环节放大的？答案是反馈回路的电阻与输入电阻之比，通过改变抬高输入电压的比例从而控制输出。图中的R2为了平衡输入,为什么要平衡,因为运放始终希望共摸输入阻抗一致。

先算两路之间的相对GND分压合成值，再把这个合成值 与 另一路进行新一轮的分压合成值。1 . 先根据R1 R2算出 V1与V2的分压值， R1/(R1+R2)2 . 得出 V1V2 相对GND 的分压合成值 得到。为 V1，V2相对GND的分压合成值，为三电压源并联分压合成值。以V1 < V2情况分析。

描述BUCK, BOOST电路电感计算