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RSS订阅原创 低价芯片是如何做到高利润？小芯片是如何闷声发大财的？
撕开任何一部手机或电脑的内部世界，你会看到几十个甚至上百个看似不起眼的芯片：USB接口的通信芯片、供电的电源管理芯片、联网的WiFi芯片...它们单价低廉至几毛钱，工艺落后至100纳米以上，却构筑了科技行业最隐秘的利润王国。当苹果为15美元的基带芯片支付百亿学费，当博通在数据中心交换芯片上赚取70%毛利，当英飞凌的“电子废品”创造26%净利润，我们终于看清：数字世界的真正王者，是那些在阴影中编织连接网络的硅基外交官。当基带芯片需要适配全球数百家运营商的频段参数时，技术标准让位于通讯“方言”的适配能力。
2025-08-01 10:35:54
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原创 台积电称2025年将如期量产2nm芯片？其核心高管人员都有哪些？
公开资料显示，其2nm工艺开发顺利，高雄厂和新竹宝山厂已进入设备安装和试产阶段，试产良率突破90%，远超初期目标，且主要客户如苹果、英伟达和AMD已完成IP设计验证，量产时间锁定在2025年下半年。台积电虽然在美建厂，甚至是投资超650亿美元，但2025年，才会在美量产4nm芯片，2027年量产3nm芯片，至于2nn芯片，时间更是未知。台积电2025年量产2nm芯片，还是在高雄工厂，这说明魏哲家说的没错，台积电根留台湾，最先进的技术，也留在了台湾省。相关内容如有错误之处，欢迎指正！
2025-07-31 09:57:49
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原创 MOS管的反并联二极管有什么作用？防反接电路中的应用都有哪些？
在现代电子电路设计领域，MOS管作为一种重要的半导体器件，被广泛应用于各类电路当中。然而，MOS管自身存在一些固有的特性和局限性，特别是其内部体二极管的高损耗问题，给电路的性能和效率带来了一定的挑战。为了克服这些问题，工程师们通过外接反并联二极管等一系列优化手段，显著提升了电路的性能。接下来，我们将详细探讨这些优化措施的原理、作用以及应用场景。
2025-07-30 10:02:07
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原创 英特尔首次警告考虑放弃研发下一代尖端芯片，美媒：可能是美芯片制造业末日的开端
如果我们无法赢得重要的外部客户，也无法实现为英特尔14A工艺寻得重要客户的里程碑式目标，我们可能面临的局面是：继续研发和制造英特尔14A及其后继前沿节点在经济上的不可行。据美国网站报道，美国芯片制造商英特尔当地时间24日发出警告，称其可能由于财务问题停止研发下一代芯片14A（14A意指1.4纳米技术，为目前最为先进的芯片生产工艺）。这很可能是美国芯片制造业末日的开端。我们不仅是技术的传播者，更是行业生态的构建者，致力于打造一个集技术展示、高端交流与商业合作于一体的平台，共同突破技术边界，探索无限可能。
2025-07-28 09:58:29
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原创 MOS管的开通关断过程都是怎么样的？实测过程图分析
VGS从VTH到V miller:此过程MOS管开始导通，MOS流过的电流与VGS呈线性关系，VGS继续增大，VGD微降，保持开通准备状态；VGS从V miller到VTH:此过程MOS管开始关断，MOS管流过电流与VGS呈线性关系，G极电流主要由CDS放电提供，此区域为线性区，随着VGS减小，漏极电流减小直到为零，漏极电压VDS(OFF)不变。VGS=V miller:VDS由ID*RDSON上升到VDS（off）,驱动电流全部由CGD充电提供，促始VGS恒定在一个值，俗称米勒平台，漏极电流保护恒定；
2025-07-24 09:40:06
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原创 MOSFET栅极驱动电路常见类型都有哪些？
需要加入反相电路的图腾柱，驱动的dｉ/dｔ更大，对IC的逻辑干扰较大。存在电流反灌的风险，驱动IC引脚负压较大，可能导致驱动IC损坏，驱动能力也受驱动IC限制，会导致驱动IC的损耗变大，发热严重，充放电电流都流过驱动IC,驱动信号线长还容易耦合外部噪声，干扰驱动IC内部的逻辑电路、时钟电路，出现工作状态异常。MOS管根据应用场景不同，驱动电路的类型也较多，主要有IC直接驱动型、推挽输出电路增强驱动型、二极管加速关断驱动型、三极管加速关断驱动型、变压器加速关断驱动（隔离驱动）型。二极管关断加速驱动电路。
2025-07-23 09:47:53
365
原创 MOSFET的动态参数指标都有哪些？涉及的问题都有哪些？
指栅极电压在TDOFF后达到门限电压的时间，即输出电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间，两个阶段：漏极电压从导通电压上升到输入电压，漏极电流从负载电流下降到零这两个区域，在TF内损耗也较大，此段时间要通过减小栅极反抽电阻和输入电容来减小。栅极总充电电荷（QG）、栅源充电电荷（QGS）、栅漏充电电荷（QGD）、跨导（Gm）、导通延迟时间（TDON）、关断延迟时间（TDOFF）、上升时间（TR）、下降时间（TF）、输入电容（CISS）、输出电容（COSS）、反向传输电容（CRSS）。
2025-07-22 09:55:45
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原创 MOSFET的动态参数指标都有哪些？涉及的问题都有哪些？
指栅极电压在TDOFF后达到门限电压的时间，即输出电压下降到90%开始到VDS上升到其关断电压时10%的时间，两个阶段：漏极电压从导通电压上升到输入电压，漏极电流从负载电流下降到零这两个区域，在TF内损耗也较大，此段时间要通过减小栅极反抽电阻和输入电容来减小。栅极总充电电荷（QG）、栅源充电电荷（QGS）、栅漏充电电荷（QGD）、跨导（Gm）、导通延迟时间（TDON）、关断延迟时间（TDOFF）、上升时间（TR）、下降时间（TF）、输入电容（CISS）、输出电容（COSS）、反向传输电容（CRSS）。
2025-07-21 10:11:56
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原创 电路中常见的电子元器件都有哪些？各自的作用是什么？
电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶(带)制品、电子化学材料及部品等。因为它本身能产生电子，对电压、电流有控制、变换作用(放大、开关、整流、检波、振荡和调制等)，所以又称有源器件。作用：具有电子控制特性，用于控制电流的流动，实现信号的放大或开关控制功能。
2025-07-18 09:31:39
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原创 什么是看门狗定时器WDT（Watch Dog Timer）?注意事项都有哪些？
产品在认证机构进行静电放电测试时，会因不同的认证机构、不同的测试操作人员、不同的测试操作方法可能造成板卡工作状态出现异常（如花屏、死机）。静电放电测试的结果判定标准中明确说明被测设备在静电放电过程中出现异常情况下，不需要人工介入的情况下能够自动恢复判定符合B级要求，否则视为不合格。WDT是个特殊定时器，软件在预订时间内会去清WDT标志位。进入WDT功能后能够回到当前频道继续播放，在USB模式下进入WDT功能后自动恢复标准为可恢复到出现异常之前播放的文件及时间点，记忆的播放时间允许在异常点3分钟以内的误差）
2025-07-16 09:27:56
301
原创 如何在PCB设计阶段解决ESD问题？同时如何优化ESD性能？
对于六层板来说，通常采用对称叠层设计，顶层、第3层参考第2层完整平面，底层、第4层参考第5层完整平面。信号换层优选顶层换到第3层，底层换到第4层，保持信号参考平面不变，当底层信号布线敏感时，可以采用中间层布线的方式，将底层调整为电源层或者参考地平面层，通过电源层与地层屏蔽敏感信号的方式。对于四层板来说，通常顶底层布信号线，第2层或者第3层保持完整的参考地平面层，电源层则根据电源种类多少进行分割，并根据电源层临近的信号层布线来保持对应的信号参考完整性，降低跨分割等影响。关键器件、敏感器件远离静电放电测试点。
2025-07-15 09:38:23
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原创 什么是气体放电管？其应用场景都有哪些？
在电场作用下，管内气体开始游离，当外加电压增大到使极间场强超过气体的绝缘强度时，两极之间的间隙将放电击穿，由绝缘状态转换为导电状态。气体放电管的主要参数是：直流击穿电压、冲击击穿电压、冲击耐受电流、工频耐受电流、响应时间、直流过保持电压、绝缘电阻、极间电容、气体放电续流能力等。气体放电管的冲击放电电压必须低于线路所能承受的最高瞬时电压值，才能保证在瞬间过电压时气体放电管能比线路的响应速度更快，提前将过电压限制在安全值。气体放电管的直流放电电压必须高于线路正常工作时的最大电压，以免影响线路的正常工作。
2025-07-14 09:53:50
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原创 什么是稳压二极管？其主要应用的场景都有哪些？
稳压二极管可以串联使用，不建议并联使用。由于反向击穿时稳压管动态电阻很小，电流在Izmin到IZmax变化时，电压变化很小基本维持不变，起到稳压效果。稳压二极管主要参数是：稳定电压UZ、稳定电流IZ、动态电阻RZ、额定功率PZ、漏电流IR、温度系数α。在反向电压达到UZ时，二极管有截止转向导通，此时的电流为最低稳压电流Izmin。由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压UZ和允许最大电流Izm的乘积。指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。稳压二极管应用场景图。
2025-07-10 09:28:29
360
原创 电磁兼容（EMC）发展史及数十家国内外代表企业
我们不仅是技术的传播者，更是行业生态的构建者，致力于打造一个集技术展示、高端交流与商业合作于一体的平台，共同突破技术边界，探索无限可能。EMC（Electro Magnetic Compatibility，电磁兼容）是指电子、电气设备或系统在预期的电磁环境中，不会因为周边的电磁环境而导致性能降低、功能丧失或损坏，也不会在周边环境中产生过量的电磁能量，以致影响周边设备的正常工作。相关内容如有错误之处，欢迎指正！电极限，以技术为纽带，用创新链接未来，携手合作伙伴，构建电子硬件技术生态圈。
2025-07-09 09:27:16
1090
原创 TVS管工作原理是什么？主要的应用场景都有哪些？
受保护器件两端的电压被限制在TVS管两端的箝制电压，过压消失后TVS管又恢复到高阻抗状态。时，TVS 迅速由高电阻状态突变为低电阻状态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在较低的水平，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。TVS管的电容由硅片的面积和偏置电压来决定，电容在零偏置情况下，随着偏置电压的增加，该电容呈下降趋势，电容大小会影响TVS管响应时间。器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流IBR下，测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路。
2025-07-08 11:00:48
775
原创 全球ESD防护器件的主要认证体系及数十家知名厂商信息！
ESD防护元件工作原理见图，四个模式的含义如下，PS-mode: VSS接地，正的ESD电压出现在IO端口引脚PAD上；对于通用IO端口，一般选MOS管作为ESD防护元件，采用其击穿的snapback特性，可以做到比较好ESD防护能力，但寄生电容大，因而不适用于高速信号的IO端口。我们不仅是技术的传播者，更是行业生态的构建者，致力于打造一个集技术展示、高端交流与商业合作于一体的平台，共同突破技术边界，探索无限可能。电极限，以技术为纽带，用创新链接未来，携手合作伙伴，构建电子硬件技术生态圈。
2025-07-07 09:31:18
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原创 什么是压敏电阻？选型的时候注意事项都有哪些？
通过压敏电阻的峰值电流不应超过最大峰值电流，在浪涌脉冲重复产生的应用场合下，通过压敏电阻的浪涌峰值电流和浪涌能量不超过〝脉冲寿命特性〞中的规定值。按结构分类：结型压敏电阻器、体型压敏电阻器、单颗粒层压敏电阻器、薄膜压敏电阻器。压敏电阻器的工作环境温度应该在技术条件规定的范围内，压敏电阻器不应靠近发热或可燃元器件安装，最好有大于3mm的距离，以免损坏器件。压敏电阻器主要参数有：标称电压、电压比、残压比、通流容量、漏电流、电压温度系数、电流温度系数、电压非线性系数、绝缘电阻、静态电容。
2025-07-04 09:28:29
568
原创 ESD防护器件基本要求是什么？选型的时候有哪些
在ESD应力冲击或者说大电流冲击条件下，ESD保护元件的第一个要求就是必须能够正常工作，要有足够低的阻抗以便能够限制受保护点的电压；低速信号几乎不考虑ESD防护器件寄生电容的影响，高速信号忽略ESD防护器件寄生电容的影响就非常致命。ESD防护器件在不动作状态下对所保护电子电路、电子系统的功能应不造成任何影响，可以通过维持低电流以及足以在特定数据传输速率下维持数据完整性的低电容值来达成。以聚合物为代表的ESD器件。ESD防护器件的钳位电压不要超过受保护器件的最大承受电压，在不同的应用场合还。
2025-07-03 09:23:22
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原创 半导体发展史，2025国内外近三十家半导体厂商所占市场份额数据！
此外，根据半导体材料的物理特性，还有磁性半导体、压电半导体、铁电半导体、有机半导体、玻璃半导体、气敏半导体等之分。目前获得广泛应用的半导体材料有锗、硅、硒、砷化镓、磷化镓、硫化镉、锑化铟等，其中锗、硅材料的半导体生产技术最为成熟、应用得最多自然界中物质存在的形态有气态、液态和固态。固体材料是由原子组成的，原子是由原子核及其周围的电子构成的，一些电子脱离原子核的束缚，能够白由运动时，称为白由电子。此外，很多半导体对光十分敏感，当有光照射在这些半导体上时，这些半导体就像导体一样，具有较强的导电能力。
2025-07-02 09:58:43
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原创 静电放电的危害及干扰形式都有哪些？
指带电体所静电位或存储的静电能量较低，或静电放电时电路有限流电阻存在，那么，一次静电放电脉冲可能不足以引起电子元器件的完全失效，但它会在元器件内部造成轻度损伤，使器件的参数缓慢变坏，直至在某一可以预测的时刻发生失效，丧失工作能力。静电吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响产品的功能与寿命，因电场或电流破坏元件的绝缘或导体，是原件不能工作（完全破坏），因瞬间的电场或电流产生的热，元件受伤，仍能工作，寿命降低。隐蔽性：人体不能感知静电，除非是发生了静电放电，但是发生静电放电，人体也不一定能有电击的感觉。
2025-07-01 09:22:32
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原创 硬件工程师的你知道什么是静电放电吗？放电方法有哪些及专业术语？
是一种静止的不平衡电荷。标准定义：根据GB/T4365-2003 电工术语 电磁兼容对静电放电的定义：具有不同静电电位的物体靠近或者接触引起的电荷转移。IEC61000-4-2 定义的静电放电典型曲线的上升时间约为 1 ns，峰值电流水平约为 30A。将试验发生器的电极靠近受试设备直至接触到受试设备并由发生器内的放电开关激励放电的一种试验方法。试验发生器的电极保持与受试设备的并由发生器内的放电开关激励放电的一种试验方法。对受试设备附近的耦合板实施放电，以模拟人员对受试设备附近的物体的放电。
2025-06-27 09:49:07
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原创 硬件工程师的你知道多层板HDMI回流路径设计需要遵循哪些原则吗？
而部分芯片差分信号两侧的包地线在靠近芯片引脚处，需要换层到底层回流到芯片的参考地平面，此时需保障包地线过孔到的底层参考平面能够低阻抗的回流到芯片参考地平面。采用双层板设计时，回流路径有两种设计方式，且两种设计方式的优劣，前文已经做了深入的分析。有时，会因为信号密度，成本控制因素，差分信号存在换层的情况，如果差分信号换层后回流路径设计不当，同样会造成严重的辐射问题。多层板设计时，差分信号两侧不做包地设计，但需保证每组差分信号之间，以及与其它信号布线间距保持3W设计原则，以邻近层参考平面为回流路径。
2025-06-26 09:57:54
362
原创 EMC工程师的必修课之高速差分信号辐射发射影响因素都有哪些？阻抗设计管控原则又有哪些？
而实际上由于源端阻抗、Cable线阻抗、SINK端阻抗不可能完全做到阻抗匹配，主要原因是连接器处阻抗突变、Cable线材阻抗的控制、PCB布线阻抗的控制、器件本身的阻抗设计。在满足100±15Ω阻抗标准限值的情况下， 瞬时阻抗更加平坦（阻抗变化范围越小越好）则意味着信号感受到的瞬时阻抗变化越小，向外空间辐射发射的能量也相应的最小。前面我们谈到元件的焊盘或者引脚宽度与厚度是影响阻抗的因素之一，从而说明在高速差分信号链路中应尽量使用最少的元件，严格控制阻抗突变点，阻抗测试曲线趋于平坦。
2025-06-25 09:47:28
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原创 什么是串扰（Crosstalk）？影响串扰大小的因素都有哪些？并如何抑制？
感性耦合〞当信号在干扰线上传播时，由于信号电流的变化，在信号跃变的附近区域，通过分布电感的作用将产生时变的磁场，变化的磁场在受害线上将感应出噪声电压，进而形成感性耦合电流，并分别向近端和远端传播。〝容性耦合〞是当干扰线上有信号传输时，由于信号边沿电压的变化，在信号边沿附近的区域，干扰线上的分布电容会感应出时变的电场，而受害线处于这个电场里面，所以变化的电场会在受害线上产生感应电流。串扰的大小与线间距成反比，随着线间距的增大，无论是近端串扰还是远端串扰都将减小，当线间距≧3倍线宽时，串扰已经很小了。
2025-06-24 09:58:09
855
原创 网络变压器的组成与作用都有哪些？涉及的参数是那些？
网络变压器也称网络隔离变压器，或称数据泵，主要应用于路由器、网卡、集线器、网络交换机。其主要作用如下：信号耦合阻抗匹配电气隔离共模干扰抑制。
2025-06-23 09:50:39
584
原创 以太网的电路都是由哪些构成？
网络直通线常用于异种网络之间的互连（比如计算机交换机之间），交叉线常用于同种网络之间的互联（比如计算机与之间）。在FCC（美国联邦通信委员会标准和规章）中RJ是描述公用电信网络的接口，计算机网络的RJ45是标准8位模块化接口的俗称。以太网电路主要有CPU、MAC控制器、PHY芯片、网络变压器和RJ45接头组成，有的系统会有DMA控制。一般的系统中CPU和MAC以及DMA控制器都是集成在一块芯片上的，为了节省空间简化设计，很多时候网口的变压器和RJ45的接头集成在一起。终端系统以太网电路设计。
2025-06-20 09:49:07
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原创 网线结构RJ45信号基础知识及CAT3、CAT5、CAT6什么意思？
双绞线由两根绝缘铜导线相互缠绕而成。两根绝缘的铜导线按一定密度互相绞在一起，可降低信号干扰的程度，每一根导线在传输中辐射的电波也会被另一根线上发出的电波抵消。把一对或多对双绞线放在一个绝缘套管中便成了双绞线电缆，在局域网中常用4对双绞线组成的。UTP与STPUTP（非屏蔽双绞线）：非屏蔽双绞线抗干扰能力较差、误码率高，但由于价格便宜、安装方便、故广泛应用于电话系统和计算机网络中，成为最普遍的传输媒体。STP（屏蔽双绞线）：屏蔽双绞线的外面有一个金属构成的屏蔽层，其内部结构与非屏蔽双绞线相同。
2025-06-19 09:45:27
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原创 DDR PCB布线拓扑结构都有哪些？其要求都是怎么样的？
T型拓扑对等长有严格要求，即从主芯片到每颗DDR芯片之间的同类信号PCB布线长度要保持等长、图示PCB Layout布线中L1+L2+L6=L1+L2+L7、L1+L3+L4=L1+L3+L5等臂分支等长;单颗DDR采用点对点布线方式，两颗DDR采用T型结构布线方式，四颗DDR时根据芯片是否具有读写平衡功能，选择T型结构布线、Fly-By Scheduling布线、T型+Fly-By Scheduling的方式。树型拓扑结构又叫对称型的远端簇型拓扑结构，我们也习惯叫T型拓扑、等臂分支拓扑等。
2025-06-18 09:51:45
855
原创 DDR的基础知识及DDR的功能引脚和原理框架图都有哪些？
从DDR到DDR3，每一代DDR技术的内存预取位数都会翻倍，前三者分别是2bit、4bit及8bit，以此达到内存带宽翻倍的目标，不过DDR4在预取位上保持了DDR3的8bit设计，因为继续翻倍为16bit预取的难度太大，DDR4转而提升Bank数量，它使用的是Bank Group（BG）设计，4个Bank作为一个BG组，可自由使用2－4组BG，每个BG都可以独立操作。使用2组BG的话，每次操作的数据16bit，4组BG则能达到32bit操作，这其实变相提高了预取位宽。DDR功能引脚简介及原理框图。
2025-06-17 09:26:46
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原创 辐射发射（RE）分析与调试：寄生天线的影响都有哪些？如何解决？
此时若简单的增加磁环或改善机器内部接地是无法解决的，出现这种情况说明机器内部有较强的干扰源，辐射噪声能量很大，一旦有线材靠近它就很容易辐射出去，此时必须找到干扰源并抑制其辐射能量方可解决问题，这一点是许多工程师容易忽略的。电路板上工作频谱较高的器件在工作时易产生较强辐射，在TV产品中主芯片内置DDR及外部DDR器件辐射能量较强，当主芯片散热片靠近时，易被耦合变成天线向空间辐射，解决主芯片散热片辐射问题的思路是采用多点接地、浮地以及选择合适的接地点。机器外部连接的电缆很容易成为天线，将噪声辐射到空间。
2025-06-16 09:54:04
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原创 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验的目的及流程依据都是什么？
没有适用的通用标准、产品或产品类标准时，这种分类可以由负责相应产品通用标准、产品标准和产品类标准的专业标准化技术委员会制定用于作为明确性判据的指南，或作为制造商和购买方协商的性能判据的框架。电快速瞬变脉冲群抗扰度测试的目的是为评估电气和电子设备的供电电源端口、信号、控制和接地端口在受到电快速瞬变脉冲群干扰时的性能确定一个共同能再现的评定依据。试验结果应依据受试设备的功能丧失或性能降级进行分类，相关的性能水平由设备的制造商或需要方确定，或由产品的制造商和购买方双方协商同意。耦合/去耦网络试验配置实例。
2025-06-13 09:39:01
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原创 电感详解同时其主要特性参数是什么？都有涉及哪些方面？
电感，作为一种电磁器件，指的是当电流通过线圈时，在线圈周围形成的磁场能量。它是一个物理量，衡量线圈产生电磁感应能力的强弱，通常用“L”表示，单位为亨利（H）、毫亨（mH）或微亨（μH）。电感具有自感和互感两种形式，其中自感是单根导线或线圈在通电时产生的磁场与电流之间的关系，而互感则涉及多个线圈之间磁场的相互作用。电感器是实现电能量与磁场能量转换的器件，其特性包括阻止电流突变、通直流阻交流等，具体表现为在直流电通过时相当于短路，而在交流电通过时，电感的阻抗随频率增加而增大。
2025-06-12 10:30:02
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原创 电磁抗扰度EMS测量的基本原理和测试方法是什么？
采用性能降低主观评价方法需要规定构成性能降低的准则，而且必须规定做出主观评价所依据的工作状态。符合A的产品，试验结果应判为合格。符合B的产品，试验结果取决于其产品标准、产品使用说明书或试验大纲的规定，认为某些影响是不重要的，因而也可以判为合格。有用信号是使被测设备保持在某种正常工作状态的信号，无用信号是指抗扰度标准规定的干扰信号，可以是连续波信号、脉冲波信号、电磁场或电源的变化；耦合路径可以是线缆上的电压、电流的耦合，也可以是空间辐射场的耦合。抗扰度的主观评价是对其采用监测图像和声音的性能降低来进行的。
2025-06-11 09:54:35
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原创 实际案例USB端子±4KV接触放电测试芯片损坏问题分析！
与测试工程师进行深入沟通确认，客户对双层USB端子的中间金属横条进行接触放电±4KV，才会出现系统无法开机的问题，而对USB外壳部分金属进行接触±4KV放电则不会出现系统无法开机的问题，在实验室按照客户现场的操作方法模拟，出现系统无法开机现象，确认也是芯片孙坏。对金属横条进行静电放电测试时，由于金属横条与金属外壳之间处于开路状态，金属横条对金属外壳拉弧放电的同时金属横条对USB差分信号放电，静电干扰则通过USB差分耦合到芯片，造成芯片损坏。双层USB端子的中间金属横条结构设计。
2025-06-10 09:28:03
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原创 热敏电阻的原理和作用是什么？其分类都有哪些？并如何测量热敏电阻的好坏？
通常，热敏电阻的阻值在温度升高时会降低，反之则增加。在这种传感器的电阻温度变化关系曲线中，有一个温度值称为居里点，当温度低于居里点时，阻值比较稳定，一旦温度上升到居里点之上，阻值急剧变大，电阻温度系数可高达(+10℃-60℃)制作热敏电阻的材料较多，根据使用的材料可以将其分为：陶瓷热敏电阻、玻璃态热敏电阻、塑料热敏电阻、金刚石热敏电阻、半导体单晶热敏电阻等。当设备内部温度超过安全范围时，热敏电阻的阻值会发生显著变化，从而触发保护电路动作，切断电源或降低设备功率，以防止设备损坏或发生火灾。
2025-06-09 10:23:42
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原创 半导体放电管的工作原理及涉及的电气参数都有哪些？典型应用在哪些方面？
半导体放电管，也被称为TSS（Thyristor Surge Suppressors）或浪涌抑制晶闸管，是一种基于半导体工艺制造的四层结构器件，其结构类似于晶闸管，并展现出典型的开关特性。该区域是从电压-电流特性的高动态电阻的低电流部分开始变化，至显著的低动态电阻区、电流剧增的区域。断态区是电压-电流特性的高电阻、低电流区。VDRM：反向截止电压，亦被称为断态重复峰值电压，它是指在断态时，所能承受的包含所有直流和重复性电压分量的最高额定瞬时电压。VT：通态电压，在规定的通态电流IT条件下，器件两端的电压。
2025-06-06 10:08:49
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原创 压敏电阻的选型都要考虑哪些因素？同时注意事项都有哪些？
压敏电阻，英文名简称VDR，电子元器件中重要的成员之一，是一种非线性伏安特性的电阻器件，有电阻特性的同时，也拥有其他自身的特性，广泛应用于众多领域。一般而言，压敏电阻器的响应时间非常快，几乎可以认为是瞬时的。根据电路的工作电压，通过以下的方式来确定压敏电阻的标称压敏电压，一般情况下，实际的压敏电压是标称压敏电压存在误差，这种误差导致在计算实际压敏电压时，需要乘以1.2倍。结电容以不影响防护电路的正常工作为准，压敏电阻的电容一般都较大，不适合应用在高频的场合，不然会影响电路的工作。
2025-06-05 09:39:39
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原创 压敏电阻的工作原理结构及最基本的参数都有哪些？详细解析版！
其中I为通过压敏电阻器的电流，C为与配方和工艺有关的常数，V为压敏电阻器两端的电压，α为非线性系数，一般大于30 ，由上式可见，在击穿区，压敏电阻器端电压的微小变化就可引起电流的急剧变化，压敏电阻器正是用这一特性来抑制过电压幅值和吸收或对地释放过电压引起的浪涌能量。残压UR是指特定波形的浪涌电流流入压敏电阻器时，它两端电压的峰值。应该指出的是：在电流峰值相同的情况下，流过压敏电阻的浪涌电流的波形参数不同，残压的具体测量值也会有所不同，视在前沿时间TS对残压护的影响比较大，TS越小残压UR越大。
2025-06-04 09:57:55
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原创 稳压管工作原理及结构组成并需要应用注意的事项！
稳定电流是指稳压管正常工作时的参考电流。当反向电压达到反向电压的临界值时，反向电流骤然变大，称为击穿，反向电阻骤然降至非常小的值，尽管电流在很大范围内变化，而其两端电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现二极管的稳压功能。为使稳压二极管的电压温度系数感得到补偿，可以使用不同温度系数的稳压二极管串联，为获得较低的稳定电压，可以选择适当的稳压二极管以相反方向串联，再加以适当的工作电流来获得。对于过压保护的稳压二极管，其稳定电压的选定要依据保护电压的大小使用，其稳定电压值不能选的过大或过小，否则起到保护作用。
2025-06-03 09:50:31
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原创 气体放电管（GDT）选型时需要注意的事项
脉冲击穿电压的选取要考虑浪涌测试等级，一般浪涌测试波形的上升时间为微秒级的脉冲波形，如8/20us电流波和10/700us电压波，与GDT脉冲击穿电压测量电压上升速率1000V/us为一个数量级，例如采用10/700us的波形测试4000V，GDT的脉冲击穿电压要小于4000V，这样在测试时GDT才能导通。例如，选择600V的直流击穿电压的GDT。根据电路设计选择合适封装的GDT，GDT器件封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小，一般封装越大的器件耐冲击电流的能力也越强，防护等级也越高。
2025-05-30 09:54:37
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