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RSS订阅原创 电机驱动模块低频辐射测试频点余量不满足辐射发射管控标准该如何解决？
电机驱动模块旧版本板卡辐射发射测试是通过的，新板卡辐射发射摸底测试结果却是Fail的，在测试场景布置、辅助设备等都不变的情况下，更换旧版本板卡辐射发射测试的结果仍然是通过的，基本排除是测试环境布置、辅助设备的影响，确认是新版本板卡设计问题。某电机驱动模块电，低频辐射测试时发现56MHz、76MHz频点超标。图1：新版本模块辐射发射测试原始数据。图2：辐射发射测试环意布置图。旧版本模块辐射发射测试数据。
2025-04-11 10:54:03
102
原创 LISN工作原理分类参数要求及电路连接原理图！
LISN是Line Impedance Stabilization Network的缩写，即线性阻抗稳定网络，也称人工电源网络，主要用于测量EUT沿电源线向电网发射的骚扰电压。LISN在测试频率范围内给EUT提供一个稳定的阻抗，并将EUT与电网进行干扰隔离，使EUT产生的干扰耦合到测量接收机上。针对不同频段，不同负载情况和电网情况，实际的LISN电路形式和种类很多，在GB6113标准的附录F中已经给出一些典型电路的LISN。50Ω/50uH+5Ω V型（使用于9KHz-150KHz）
2025-04-10 12:04:04
128
原创 传导骚扰测试实验条件，场地要求，LISN以及EMI接收机设备要求
在开关被测产品时，人工电源网络（AMN）会产生很强的的瞬态信号，有可能损坏接收机的RF输入电路，脉冲限幅器ESH3-Z2能抑制这类瞬态信号，保护接收机。电源端传导骚扰测量需使用符合GB/T6113.102-2008中4.2和4.3项规定的V型人工电源网络（50W/50μH、50W/50μH+5W）峰值测量接收机应符合GB/T 6113.101-2008 ，并具有GB/T 6113.101-2008 中6.2.1所要求的6dB带宽。准峰值测量接收机应符合GB/T 6113.101-2008。
2025-04-09 09:45:57
211
原创 电源端传导骚扰测试实验标准限值与依据目的！
测量的电压包括来自时基电路、视频电路的窄带骚扰，及诸如半导体开关器件、整流器件等产生的宽带骚扰。网络也提供合适的滤波器，隔离受试设备电路和电网中的无用RF电压。A级ITE是指满足A级限值但不满足B级限值要求的那类设备。注2：在0.15MHz~0.50MHz频率范围内，限值随频率的对数呈线性减小。B级ITE是指满足B级骚扰限值的那类设备。注1：在过渡频率（0.50MHz和5MHz）处应采用较低的限值。不在固定场所使用的设备，例如由内置电池供电的便携式设备。注：在过渡频率（0.50MHz）处应采用较低的限值。
2025-04-08 10:39:19
255
原创 电容的测试方法及测试过程遇到的问题
这个被消耗的能量我们也叫它漏电流。这些小的贴片电容的容量一般都非常小，在电路板中都是起到滤除高频的作用，并且损坏的概率相对来说比较小，除非被高压击穿，否则很难损坏。所以我们在测量它们的时候，第一个方法是用万用表的电阻挡测量其阻值，如果阻值很低，说明可能是此电容或者其他芯片损坏。如果想测量电容，第一个办法也就是最简单的办法就是在板子中在路测量，这种办法测量的不准确，只能大致判断电容的好坏。在设计高压电路时，会用到一些贴片电容，我们不仅要考虑其容量，同时也要考虑其耐压值可以用耐压测试仪来测量电容的耐压值。
2025-04-07 17:07:52
206
原创 反激变压器设计EMI问题如何解决？附带案例分析！
问题源头是变压器补偿绕组过补偿，改善措施是降低补偿绕组圈数，从10匝降到5匝，测试反激变压器共模电流降低到-37,再次进行传导测试，300KHz频点余量均≧16dB，改善效果非常明显。已经批量板卡，由于变压器是安规器件，客户已经认证完成，继续使用改善前的变压器型号。③ 分别测试不良单体变压器与OK单体变压器的共模电流，发现共模电流越小，传导余量越大，初步结论是与变压器共模电流大小成相关联。④ 分别拆解OK变压器与NG变压器进行比对，发现OK变压器绕线平整，疏密均匀，而NG变压器绕线绕线紧密，疏密不均匀。
2025-04-07 09:49:09
168
原创 反激变压器共模噪声电流大小的改变受哪些因素的影响并如何优化？
两个导体互相绝缘的导体之间，中间加入介质就构成了电容，电容的容值的大小受到两者之间平行长度，距离、介质材料影响，在介质、平行长度都不改变的前提下，增大两者之间的距离是降低容值最简单易行的办法。副边整流二极管或者同步整流二极管放在负极时，会使原边耦合到副边的共模电流无法回流到原边，通过副边对地分布电容到参考地回流到源端，使原边到副边的电流，与副边到原边的电流同向，共模电流加剧。绕组设计的原则是：原边绕组与紧邻的副边绕组电压差越小，则两者之间在绕组均匀绕制时的dv/dt就越小，原副边的共模耦合电流就越小。
2025-04-03 09:32:36
459
原创 信号发生器+示波器测量反激变压器共模噪声电流原理说明
理论上希望原副边的分布电容为零是最好的，这样就原副边就不存在共模电流，实际上是无法做到的。设计中尽可能的使其越小越好，就如右图中2和4，三角波是信号源。Cpsh是原边对屏蔽绕组的分布电容。Cssh是副边对屏蔽绕组的分布电容。Cps是原边对副边的分布电容。Csp是副边对原边的分布电容。变压器共模噪声电流测试原理图。变压器共模噪声实际测试波形。
2025-04-02 09:28:04
133
原创 永磁同步电机工作原理全解析以及应用场景
采用高矫顽力永磁体（如钕铁硼NdFeB），按磁极布置方式分为表面贴装式（SPM）和内置式（IPM）。（FOC）：通过坐标变换（Clark/Park变换）将三相电流解耦为直轴（id）和交轴（iq）分量，分别控制磁场和转矩。同步运行机制：转子永磁体建立恒定磁场，定子旋转磁场与转子磁场相互作用，通过磁拉力产生电磁转矩。直接转矩控制（DTC）：通过滞环比较器直接调节转矩和磁链，动态响应快，但存在转矩脉动。反电动势特性：反电动势波形为正弦（SPM）或梯形（BLDC），与设计相关。
2025-04-01 15:58:37
288
原创 反激变压器共模噪声耦合问题分析和设计的优化方案
一是从原边MOS管的漏极通过对参考地的分布电容形成的电流路径，流过LISN后返回源头；二是通过变压器初次级分布电容耦合到副边，再通过副边对参考地的分布电容形成电流路径，流过LISN后返回源头；变压器原副边绕组本身存在电场耦合，即原副边绕组自身的分布电容，此分布电容对EMI的贡献相对较小。变压器原副边绕组间电场耦合，即原副边绕组间的分布电容，此电容将原边开关噪声耦合到副边，并通过副边与参考地间的分布电容（或者副边接参考地）耦合到LISN，被EMI接收机拾取到，造成传导测试超标；减小原副边绕组间的面积。
2025-04-01 09:34:12
283
原创 反激变压器EMI影响原因以及如何减小反激变压器漏感？
反激变压器是反激式开关电源的核心器件，是影响反激电源电磁兼容特性的关键器件，其原、副边分布电容是共模噪声的传输路径，其阻抗参数，对传导共模噪声的大小和特性都有着非常重要的影响。因此，漏感对电路性能和转换效率的影响特别重要。反激变压器初次级存在漏感，漏感产生漏磁场空间辐射，漏感与功率器件寄生参数（尤其是寄生电容）形成的寄生振荡是传导骚扰与辐射骚扰的源头。漏感的存在可以与电路中的电容或者变压器绕组之间的分布电容构成振荡回路，满足振荡条件后，产生振荡，向外辐射电磁能量，造成电磁干扰。减少初次级绕组的匝数。
2025-03-31 09:55:12
309
原创 如何解决二极管寄生电容引起的寄生振荡问题？
改善寄生振荡可以通过改变二极管寄生电容、寄生电感的角度来考量，在二极管两端增加并联RC电路，辐射发射问题改善非常明显，二极管增加RC吸收电路会影响到温升。由于磁珠具有电感的特性，根据电感两端电流不能突变的特性，电感会产生反向电压尖峰，电压尖峰必须在二极管承受的电压应力范围内，否则二极管会因为过压反向击穿，给电路设计带来巨大隐患。寄生电感通常是由PCB布线产生，降低寄生电感可以从缩短PCB布线，增加PCB布线宽度，缩小环路面积的角度进行，还可以增加高频旁路电容进行环路旁路，从而达到降低布线寄生电感的目的。
2025-03-28 10:27:35
365
原创 二极管反向恢复电流辐射发射的问题？如何有效调试和设计策略？
在电子电路中，二极管作为续流或整流元件扮演着重要角色。然而，二极管反向恢复电流所引发的辐射发射问题却常常困扰着设计师们。今天，我们就来聊聊这个问题，并探讨一些有效的调试与设计策略。
2025-03-27 09:41:28
354
原创 功率开关二极管EMC问题产生的原因和解决方案！
这个电流越大（比如二极管工作电流大），关断时就会产生更猛的电压尖峰和电磁干扰，就像水管突然被堵住时“咣当”的震动声。比如Boost电路中，开关管一开一关，二极管这头就会像被弹弓弹了一下，电压上下乱跳，形成振铃干扰。RCD吸收电路的二极管：吸收电容充电瞬间电流会突增，如果二极管关断太快（反向恢复时间短），就像突然掐断水流，反而会让电容充电更猛，辐射更大。反激电源的次级整流管：主开关管一开，次级二极管刚关断，漏感和寄生电容就开始“蹦迪”，产生高频噪声。举个栗子：就像开车急刹车容易打滑，慢慢刹车更稳当。
2025-03-26 11:04:30
133
原创 功率开关二极管主要应用场景有哪些？又有哪些问题？
在电力电子高压控制电路中，经常使用继电器在开关控制，继电器关断的过程中产生的瞬态尖峰电压，如果没有二极管做续流释放时，很容易在继电器的两个触点之间产生拉弧放电而损坏继电器。在反激式开关电源中，为解决MOS管关断时变压器电感产生的电压尖峰，对开关MOS管的电应力的损伤，通常在变压器线圈电感两端增加RCD吸收电路。在异步开关Buck DC-DC电路中，使用二极管续流，原理是当MOS管关断时二极管导通，电流通过二极管、电感、负载构成电流环路，为负载提供持续电流。
2025-03-25 14:03:18
207
原创 常见的耐高温电线电缆能耐多少温度？
敷设温度：大部分电缆需在0℃以上环境安装，部分耐寒电缆（如PTFE、硅橡胶）可支持-25℃以下敷设。过载与短路：如交联聚乙烯电缆短时过载允许130℃，短路允许250℃（5秒内）。耐温范围：长期可达250℃；耐温范围：-60℃至180℃（特殊处理可达250℃）特点：弹性好，耐高低温，常用于工业设备高温区域。短期耐温：1000℃（持续90分钟）耐温范围：-200℃至260℃。长期耐温：125℃至150℃。耐温范围：200℃至250℃。长期耐温：-20℃至200℃。耐温范围：70℃至105℃。
2025-03-24 14:33:56
189
1
原创 驱动控制电路对EMI影响的优化策略，让电路更安静！
简单来说，就是等磁芯能量放完，两者就开始谐振，等到MOS管结电容放电到最低点，初级开关就“咔嚓”一声，开通了。这样一来，驱动信号的高频份量就被“过滤”掉了，开关噪声也就降低了。MOS管的开通速度和开关损耗，除了受控制IC的开关频率、占空比影响外，还得看驱动电路设计和MOS管本身的寄生参数。总的来说，优化驱动控制电路对EMI的影响，就像是给电子设备“降噪”，让它们运行得更安静、更稳定。这就像是开车时，踩油门别太猛，慢慢来，虽然加速慢了点，但车子更平稳，也更省油。驱动控制电路对EMI影响的优化策略。
2025-03-24 11:38:48
318
原创 变压器励磁电感与MOS管D-S极寄生电容形成的LC振荡
原边MOS管在Toff期间，D-S极间寄生电容与变压器励磁电感会形成寄生的LC振荡，振荡频率由励磁电感感量与D-S极间寄生电容参数共同决定。由于此寄生振荡环路包含在原边MOS管的开通电流环路中，属于功率环路无法通过串联电阻的方式破坏LC振荡，只可通过电源滤波器滤除。为解决励磁电感与原边MOS管D-S极间寄生电容的振荡问题，在变压器励磁电感与原边MOS管之间串联磁珠，抑制高频振荡。下图删除串联6mm磁珠后的测试波形，MOS管电流振幅有微小改变，而D极电压振幅变大，振铃也更加明显。
2025-03-21 10:24:41
106
原创 为什么芯片需要外围电路？外围电路为什么不集成到芯片内部？
例如：你手机里的CPU芯片已经很牛了，但它还得靠外挂的电源管理芯片来省电，靠外置的射频芯片来打电话——全集成进去？所以外围电路就像芯片的「工具人队友」，脏活累活它们干，让芯片专心秀技术~所以干脆把「音响功放」、「无线电发射」这种暴躁型电路放外面，避免「内讧」。比如你想滤除电源噪声得用大电容，但芯片里只能做出指甲盖大小的电容，效果完全不够，只好外挂个「充电宝级」的电容。不如让外置电路扛下所有发热，芯片安心「吹空调」。比如5G天线、USB接口的静电保护电路，如果硬塞进芯片，芯片面积得翻倍，价格贵到没人买。
2025-03-20 15:42:00
287
原创 MOS管与散热片寄生电容对EMI的影响分析与对策
同时，在PCB布局布线的过程中，也要避免MOS管散热铜皮靠近开关电源滤波器、敏感电路等关键部位，以防止发生不必要的干扰。想象一下，散热片就像一个巨大的天线，不断向外发射电磁波，这无疑会对我们的电子设备的电磁兼容性（EMI）造成不良影响。这个散热铜皮通常与MOS管的D极相连。在MOS管开关的过程中，D极既是电压的突变点，也是电流的突变点。总的来说，MOS管的散热结构对EMI的影响是不可忽视的。在电路设计和布局布线的过程中，我们需要充分考虑这些因素，并采取相应的措施来降低EMI干扰，确保电路的稳定性和可靠性。
2025-03-20 10:57:31
141
原创 天线里的dBi 是什么意思？和dB、dBm、dBd、dBc有什么关系？
定义：相对于载波（Carrier）信号的相对值，常用于描述谐波、杂散或干扰的强度。dBi ↔ dBd： 1 dBi=dBd+2.151dBi=dBd+2.15（例如，3 dBd = 5.15 dBi）天线中的 dBi 是衡量天线增益的单位，表示相对于一个“理想各向同性天线”的增益。链路预算计算： 发射功率（dBm） + 天线增益（dBi） - 路径损耗（dB） = 接收功率（dBm）。定义：dBi 表示天线在特定方向上的辐射强度相对于“理想各向同性天线”（均匀辐射到所有方向）的增益。
2025-03-19 15:54:57
348
原创 如何通过优化PCB设计解决电磁兼容性问题并附上案例解决方案
修改PCB Layout，调整RCD电路设计，将二极管由垂直摆放改为水平摆放，使其产生的磁场方向避开AC输入端PCB布线，避免在其环路中产生感应骚扰电压，修改PCB设计后，传导测试顺利通过。修改PCB Layout，调整RCD吸收环路设计，缩小其PCB上布线的环路面积，降低环路空间辐射，修改PCB设计后，辐射测试顺利通过。修改PCB Layout，调整RCD吸收环路设计，缩小其PCB上布线的环路面积，降低环路空间辐射，修改PCB设计后，辐射测试顺利通过。PCB修改后RCD吸收电流环路设计。
2025-03-19 10:15:34
269
原创 运算放大器（Op-Amp）工作原理以及需要注意的事项！
虚短（Virtual Short）：由于开环增益无限大，负反馈迫使 V+ ≈ V−（输入电压差趋近于零）。结构：运算放大器有两个输入端（反相端“−”和同相端“+”）和一个输出端。结构：输入信号通过电阻R1接反相端，反馈电阻Rf连接输出端与反相端，同相端接地。电源电压限制：输出摆幅受供电电压约束（轨到轨运算放大器可接近电源电压）。数学运算：加法器、减法器、积分器（反馈电容）、微分器（输入电容）。若 V− > V+，输出饱和至负电源电压（接近−Vcc）。结构：输入信号接同相端，反馈网络连接反相端与输出端。
2025-03-18 11:56:13
290
原创 为什么数字电源爱用DSP，不用普通单片机？
普通单片机就像普通电子表，分针都跳不准，高频时误差一多电源就可能炸管。DSP有个绝活：一条指令同时做乘法和加法（比如算y=ax+b这种公式），还能边算边搬运数据，就像火锅店服务员一手端锅底一手拿菜。用DSP开发电源，厂家早就准备好了现成的控制库（比如PID调节、PWM生成），就像用预制菜做饭。DSP能边算数学公式边控制开关，普通单片机算着算着可能就错过开关时机了。电源控制需要实时调整（比如过流了马上关断），DSP能在1微秒内完成计算，单片机可能还在慢悠悠地算除法。PWM控制太精细，单片机扛不住。
2025-03-18 10:40:33
348
原创 RCD吸收电路的参数调整对电路性能的影响以及测试波形的影响因素
这一去，原边MOS管的电流过冲幅度降了，RCD吸收二极管的阴极电压过冲也明显降低了。当我们把串联电阻改为30欧姆时，原边MOS管的D极电压振荡波形的斜率变了，过冲幅度也相对减小了。原边MOS管的D极电压过冲和振铃都有了明显的改善，RCD吸收二极管的阴极电压过冲也降低了，就连MOS管的电流尖峰都跟着降了下来。不同的二极管、不同的串联电阻参数、是否并联电容以及是否串联磁珠，都会对电路的波形产生不同的影响。这一并联，原边MOS管的过冲幅度虽然降低得不多，但RCD吸收二极管的阴极电压过冲幅度可是有了明显的降低。
2025-03-18 10:20:30
394
原创 RCD电路分析和EMI影响以及变压器励磁电感/漏感与二极管寄生参数形成的寄生振荡
当然，变压器确定了，励磁电感/漏感的参数也就固定了，能动的就只有二极管寄生电容参数了。这时候，变压器初级绕组电压就变成下正上负了，RCD里的二极管一看机会来了，立马正向导通，给吸收电容充起电来。为了管住它，咱们可以在RCD吸收电路中增加个串联电阻，这样电容充电速度就慢了，电流尖峰也就小了，EMI性能自然就改善了。当原边MOS管关断（Toff期间）时，电流可忙了，它得从变压器初级线圈的输出引脚跑出来，经过二极管、串联电阻、串联电容，最后再回到变压器初级线圈的输入引脚，形成个环路。希望这篇文章能帮到大家！
2025-03-17 09:50:27
238
原创 二极管的工作原理是如何的？一分钟带你了解原理结构应用！
电子从N区扩散到P区，空穴反向扩散，形成耗尽层（无自由载流子的区域）。-多数载流子（N区电子和P区空穴）越过势垒，形成大电流（指数型增长，阈值电压约0.7V硅管）。内建电场：扩散导致P区带负电，N区带正电，产生由N指向P的内建电场，阻止进一步扩散，达到平衡。P型半导体：掺入硼（三价原子），形成空穴（多数载流子为空穴，相当于正电荷）。反向击穿：高压下发生齐纳击穿（高掺杂）或雪崩击穿（低掺杂），用于稳压二极管。N型半导体：掺入磷（五价原子），提供多余自由电子（多数载流子为电子）。
2025-03-14 15:45:41
283
原创 为什么电机启动电流大，启动后电流又小了？
转子静止状态下的高感应电流 电机启动时，转子处于静止状态，定子绕组通电后产生旋转磁场。为维持原有磁通量，定子被迫吸收更大的电流，形成高达额定电流4-14倍的启动电流峰值。转差率降低与感应电势减小 随着转子加速，定子磁场与转子的相对切割速度（转差率）逐渐降低，转子绕组中的感应电势和电流相应减小。堵转电流的固有特性 以Y系列三相异步电动机为例，5.5kW电机在同步转速3000r/min时，堵转电流可达额定电流的7倍；负载影响：重载会延长高电流持续时间，但启动电流峰值由电机固有特性决定。
2025-03-14 15:09:13
355
原创 反激式（Fly back）开关电源电流环路是怎么样的？电路图详解
在MOS管关断的时候，电流就会从变压器初级线圈的输出引脚跑到二极管那儿，再经过串联的电阻和电容，最后回到初级线圈的输入引脚。想象一下，电流从那个大电解电容的正极出发，一路狂奔到变压器的输入线圈，再绕个弯儿从输出线圈出来，经过开关MOS管，再到RENSE电阻，最后回到大电解电容的负极。当原边开关MOS管关断的时候，次级整流二极管就会导通，电流就会从那儿跑过去，形成一个环路，就像紫红色方框标的那样。而当原边开关MOS管开通的时候，次级整流二极管就关断了，这时候它的RC吸收环路就会起作用，就像黑色方框标的那样。
2025-03-14 10:26:30
339
原创 反激式开关电源EMI干扰源都有哪些？涉及的干扰因素公式又有哪些？
特别是当原边反激MOS管导通，次级整流二极管关断时，副边励磁电感被钳制，副边漏感LES和二极管杂散电容CJ就发生振荡了。在没有RCD吸收电路的情况下，当反激MOS管关断，副边整流二极管导通，原边的励磁电感就被箝位了。当开关管关断时，变压器初级线圈就产生了反电动势E=Ldi/dt，这值与MOS管漏极的电流变化率成正比，与漏感也成正比。简单，减小变压器的漏感LEP，加大CDS和电路的阻抗R，或者加个Snubber电路，都挺有效。而且，这振荡噪声还会通过变压器耦合到次级，形成共模电流环路，那可就更热闹了。
2025-03-13 09:55:19
323
原创 AD采样电路该怎么样设计？从原理公式到测试注意事项全流程解析
运放输出 -- R3 (10kΩ) --+-- R4 (10kΩ) -- GND | +-- C1 (1.6μF) -- GND | +-- TVS -- ADC输入。+5V (TL431) | R1 (10kΩ) +---[运放+]---> 电压跟随器 --> 分压电路 --> ADC | Vin --- R2 (10kΩ)若ADC输入范围为0-5V（如ADS1115）： 使用电阻分压（R3=R4=10kΩR3=R4=10kΩ），将0-10V信号压缩至0-5V（图2）。
2025-03-12 11:31:44
521
原创 Fly back开关电源基础知识和工作原理以及电流模式原理图解析
嘿，小伙伴们，今天咱们来聊聊反激式（Fly back）开关电源的那些基础知识。别看这名字挺高大上的，其实原理并不复杂。
2025-03-12 09:55:55
357
原创 硬件工程师需要知道的万用表使用方法和绝缘体测量方法
交流电压挡：测量交流电电压，直接将红黑表笔并联在物体两边，在使用时可直接将万用表看成断路，所以不会影响原电路上的电压。测出来的值为交流电压的平均值。欧姆挡：测量被测物体电阻，测量方法与电压挡一致，并联在物体两端，测出来的就是物体的电阻值。二极管挡：此挡位主要测量二极管的管压降，一般用于测试二极管，还有一些三极管，MOS管，IGBT内部的体二极管。直流电压挡：和交流电压挡测量方法一样，并联在被测物体两边，测出来的就是直流电压值。直流毫伏电压挡：这个挡位比上两个挡位的量程更小，适合量一些微弱的电压。
2025-03-11 15:29:42
239
原创 关于噪声耦合路径中差模噪声和共模噪声的相关原理和电路图分析
在电子设备的世界里，噪声可是个让人头疼的问题。今天，咱们就来聊聊噪声耦合路径，特别是差模噪声和共模噪声那点儿事，尽量用大白话来解释，让大家都能明白。
2025-03-11 11:18:53
261
原创 电机驱动技术有哪些？
这几年最猛的趋势是高速化和去稀土化——新能源车电机转速三年翻了三倍，同时更多厂商在学特斯拉搞无稀土电机，既能降成本又符合环保要求。无稀土电机：特斯拉带头搞的，减少对稀土依赖，更环保（比如Model 3稀土用量减了25%）。PWM调速：靠调节脉冲宽度控制转速，就像调油门深浅控制车速一样，省电又灵活。步进电机：用“八拍”或“四拍”驱动法，适合精确定位（比如数控机床）。自粘接铁芯：减少电机震动和噪音，飞机、高铁的电机里用得越来越多。一、按驱动方式分。二、按电机类型分。
2025-03-10 17:04:28
257
原创 电子电路中，为什么频率高就会出现EMC问题？
电子电路中频率升高导致EMC问题，说白了就是高频信号“脾气更暴躁”，稍微设计不好就容易“炸毛”。例如：低频信号像散步的老大爷，走哪条路都行，绕个弯也不急；高频信号波长更短，电路里的导线、焊盘甚至缝隙的物理尺寸刚好接近信号波长的1/4时，直接变成高效天线。比如一个5GHz的信号，波长约6cm，电路里随便一根3cm的线就能当发射天线用，就像你拿根铁丝对着收音机乱晃，高频信号更容易被辐射出去或接收干扰。比如一个10nF的陶瓷电容，在GHz频段反而可能因为内部电感谐振变成“开路”，完全失去滤波能力。
2025-03-10 15:50:15
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原创 电机控制方向的核心是什么？
这行当不变的底层是电磁理论，而天天在变的是应对新器件的控制策略，就像打游戏要不断适应新装备一样。（FOC）的坐标变换 —— 这才是矢量控制的灵魂，别被数学公式吓到，要理解如何把三相电流分解成转矩/磁场的分量。第三代半导体 —— 碳化硅（SiC）器件能让开关频率翻倍，但带来的EMI问题得用新的控制策略解决，这可是电动汽车的香饽饽。AI掺和进来 —— 用神经网络做参数辨识、用强化学习调PID，虽然现在看着花里胡哨，但确实是趋势。 —— 现在连百元的筋膜枪都在搞无感FOC，
2025-03-10 14:37:26
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原创 逆变器噪声源与耦合路径都有哪些？又该如何解决噪声问题？
嘿，小伙伴们，今天咱们来聊聊逆变电路里的噪声问题。你们知道吗，逆变电路里那些让人头疼的噪声，其实有不少来源呢！
2025-03-10 11:09:07
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原创 电机逆变器之三相逆变器的不同类型分析，另配三相逆变器电路图
扛得住不平衡：三相负载不均匀也能正常工作，甚至能接单相设备（比如220V灯泡）应用遍地开花：小到空调变频、电动汽车，大到太阳能电站、工厂生产线，没它还真转不动搞明白这些，下次见到变频器或者光伏逆变器，你就能嘚瑟一句：“害，这不就是IGBT开关管在蹦迪嘛！
2025-03-07 16:40:28
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原创 在电机控制中，位置环为什么常用P，PD？而不用PI?
积分项的副作用 PI 的积分虽然能消除稳态误差，但位置控制中误差通常较小，积分容易累积噪声或微小误差，反而导致“积分饱和”（比如电机反复震荡）。超前滞后控制结构简单，适合手动调参，而电流环需要更精确的模型支持（比如磁场定向控制），当时技术条件有限。实际应用中的噪声问题 电机的位置传感器（如编码器）容易引入高频噪声，微分项（D）对噪声敏感，但比例项（P）影响更直接。电流运放的限制 电流环需要实时测量电机相电流，但早期电流传感器（比如霍尔元件）精度低，运放的共模抑制比不足，导致电流环容易受干扰。
2025-03-07 14:36:42
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空空如也
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