驱动控制电路对EMI影响的优化策略，让电路更安静！

驱动控制电路对EMI影响的优化策略

在电子设备中，驱动控制电路的设计对电磁干扰（EMI）有着至关重要的影响。下面，我们来聊聊几种优化策略，让电路更加“安静”。

QR模式：让开关损耗变小

v 传统PWM控制方式Vds电压波形与传导测试数据

v QR模式Vds电压波形与传导测试数据

QR模式，听起来挺高大上的，其实就是反激准谐振模式。它有点特别，是在DCM模式的基础上，让变压器初级电感和MOS管结电容玩起“谐振游戏”。简单来说，就是等磁芯能量放完，两者就开始谐振，等到MOS管结电容放电到最低点，初级开关就“咔嚓”一声，开通了。

这种模式下，硬开关转换器和谐振“联手”，开关损耗就小多了。而且，准谐振还能让传导或辐射干扰的频谱分量“瘦身”，真是个一举两得的好办法。

抖频技术：让频谱能量分散

v 抖频与非抖频电压波形对比

无抖频功能MOS管D极电压波形           抖频功能MOS管D极电压波形

频率抖动技术，听名字就知道，它是让开关电源的工作频率“摇摆不定”。这可不是为了好玩，而是为了应对EMI测试仪器的“挑剔”。

传导测试就像是给噪声信号“拍照”，把不同频率的噪声都记录下来。而抖频技术呢，就是让谐波干扰能量“遍地开花”，不再集中在某个频段。这样一来，EMI测量的峰值就降下来了，发射能量也减少了。

v 抖频与非抖频传导测试数据对比

无抖频功能传导测试数据

抖频功能传导测试数据

就像是聚会时，大家别都挤在一起，分散开来，空间就更宽松了。

开关MOS管G极驱动：细节决定成败

MOS管的开通速度和开关损耗，除了受控制IC的开关频率、占空比影响外，还得看驱动电路设计和MOS管本身的寄生参数。

MOS管驱动电路设计                  MOS管寄生电容模型

有个简单的方法，就是调节开关MOS管G极驱动的串联电阻。这样一来，驱动信号的高频份量就被“过滤”掉了，开关噪声也就降低了。不过，副作用嘛，就是MOS管的开关损耗会增加一点，温升也会受影响。

这就像是开车时，踩油门别太猛，慢慢来，虽然加速慢了点，但车子更平稳，也更省油。

总的来说，优化驱动控制电路对EMI的影响，就像是给电子设备“降噪”，让它们运行得更安静、更稳定。