反激式开关电源EMI干扰源都有哪些？涉及的干扰因素公式又有哪些？

反激式开关电源EMI干扰源浅析

今天咱们来聊聊反激式开关电源的EMI（电磁干扰）干扰源。这东西虽然听起来挺高大上，但其实原理并不复杂，咱们一步步来揭开它的面纱。

一、变压器漏感产生的电压尖峰与振荡

首先，咱们得知道，反激式开关电源有个问题，就是EMI效果相对较差，尤其是在断续模式下。这时候，反激MOS管在开通、关断时，那频谱分量可宽了，开关频率及谐波简直就是干扰源中的战斗机。

在没有RCD吸收电路的情况下，当反激MOS管关断，副边整流二极管导通，原边的励磁电感就被箝位了。这时候，原边漏感LEP的能量就得通过MOS管寄生电容CDS放电。这一放电，就产生了振荡，频率还挺高。

振荡频率公式

而振荡的峰值，跟振荡电路的Q值有关。Q值大，峰值就大；Q值小，峰值就小。想减小峰值？简单，减小变压器的漏感LEP，加大CDS和电路的阻抗R，或者加个Snubber电路，都挺有效。

二、励磁电感产生的振荡

再说说励磁电感产生的振荡。当反激式MOS管关断，副边二极管由通转向关断，原边励磁电感就被释放了。这时候，CDS和原边电感的杂散电容并联，再和原边电感LP（励磁电感+漏感之和）发生振荡。放电回路还是那个LEP -CDS -RS-大电解-LEP。

三、次级整流二极管开关噪声

整流二极管导通、关断时，频谱含量也宽得很，开关频率及其谐波同样是干扰源中的佼佼者。特别是当原边反激MOS管导通，次级整流二极管关断时，副边励磁电感被钳制，副边漏感LES和二极管杂散电容CJ就发生振荡了。这振荡频率，也是不低。

而且，这振荡噪声还会通过变压器耦合到次级，形成共模电流环路，那可就更热闹了。

四、电流环路噪声

最后说说电流环路噪声。原边MOS管开关回路主要由原边MOS管与变压器励磁电感组成。开关管与其散热片、金属外壳和电源内部布线间分布电容产生的du/dt，那可是脉冲幅度大、频带宽、谐波丰富。

当开关管关断时，变压器初级线圈就产生了反电动势E=Ldi/dt，这值与MOS管漏极的电流变化率成正比，与漏感也成正比。这漏感产生的电压尖峰叠加在MOS管D极关断电压上，传导问题和辐射问题就都来了。

次级整流回路也一样热闹。次级输出整流二极管截止时有个反向电流，恢复到零点的时间与结电容等因素相关。这电流变化di/dt一大，高频干扰就来了，频率能达到几十MHz，甚至百MHz，辐射问题可严重了。

所以，反激式开关电源的EMI干扰源，就是这么些东西在捣鬼。咱们了解了这些，才能更好地去应对和解决它们。