反激变压器共模噪声电流设计优化
改变变压器绕组线端点位降低共模有效电容
两个导体互相绝缘的导体之间,中间加入介质就构成了电容,电容的容值的大小受到两者之间平行长度,距离、介质材料影响,在介质、平行长度都不改变的前提下,增大两者之间的距离是降低容值最简单易行的办法。
将动点与静点位置互换,静点本身就起到了电场屏蔽作用,静点在两个动点之间的情况下,理论是可以实现的。
原副边增加屏蔽降低共模噪声电流
由于屏蔽层屏蔽作用,变压器原副边的共模电荷感应大大降低,相当于原副边的共模有效电容在减小,屏蔽的最终目的是减小共模电流。
最优化屏蔽是共模电流为零
通过跨接电容补偿
对变压器的优化,核心问题将产生噪声的等效电容减小至零。如何来减小等效电容,可以通过原副边增加补偿电容的方式来解决。如果是过补偿可以在副边高电位动点到原边地之间增加跨接电容;如果是欠补偿则可以在原边高电位和副边地之间增加跨接电容。
上图中Qps=Qsp,即当Vp*Cps=Vs*Csp时,变压器副边的净电荷将相互抵消为零。
Negative CADD1=-CBD Positive CADD2=n.CBD
通过变压器绕组设计减小EMI
对于相邻绕组来说,如果绕组是均匀且紧密绕制的,其总电容是可以用间距为d,相对面积为2πrh的平板电容器来计算的。,其中d为绕组间距,h为绕组高度,r为绕组对磁芯中心的距离。
绕组两端的dv/dt已知,假设此dv/dt沿绕组均匀变化,则相邻绕组间流过的共模电流可以积分求得。简单结论,相邻绕组间的共模电流,与相邻绕组的dv/dt的平均值的差成正比。因此,设计时的原则即是尽量减小相邻原副边绕组的dv/dt之差。
绕组设计的原则是:原边绕组与紧邻的副边绕组电压差越小,则两者之间在绕组均匀绕制时的dv/dt就越小,原副边的共模耦合电流就越小。
原副边之间dv/dt的方向和变压器绕组的极性是有关系的,也与电路的拓扑结构有关。副边整流二极管或同步整流二极管在正极或者负极,对EMI性能影响很大,应引起重视。
副边整流二极管或者同步整流二极管放在负极时,会使原边耦合到副边的共模电流无法回流到原边,通过副边对地分布电容到参考地回流到源端,使原边到副边的电流,与副边到原边的电流同向,共模电流加剧。
同步整流原副边共模电流噪声总是同方向增强的
增加补偿绕组降低共模电流
传统方法在原副边之间增加铜箔屏蔽并将其接原边地的方法,可有效降低原副边之间的dv/dt,从而降低共模电流。磁场穿过铜箔产生涡流效应的同时,降低了原副边的磁场耦合,增加了功率损耗,且生产效率降低。
使用补偿绕组,即可以达到降低原副边之间dv/dt,抑制共模电流,还可以改善原副边之间的磁场耦合,减小功率损耗。补偿绕组是一个一端接地,另一端悬空的绕组,优势是便于自动化生产,且使用灵活。
下图给出了两电容模型中共模电流为正值时的接法:既可以从原边地开始,以相对原边的相反极性绕制,也可以从副边高电位开始,以相对副边的相同极性继续绕制。绕制完成后,可以通过测量电容来确定变压器已经达到平衡。
补偿屏蔽绕组的灵活应用
传导测试数据对比
测试说明:
黑色是未增加屏蔽的传导测试数据。
深蓝色是使用铜箔屏蔽的传导测试数据。
紫红色是使用补偿屏蔽绕组的传导测试数据。
结论是使用补偿绕组效果是最优。
调整反激变压器共模有效电容的各种方法总结