书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:半导体集成电路的可靠性设计
编号:JFKJ-21-704
作者:炬丰科技
摘要
基于高度集成半导体电路的产品开发面临各种挑战。为了确保电路的功能,每个设备的电气参数必须在特定的窗口中。这个窗口受到竞争机制的限制,如工艺变化和器件退化。负偏置温度不稳定性(NBTI)或热载流子注入(HCI)等退化机制会导致操作过程中的参数漂移,进而增加工艺变化。
在先进技术下,金属氧化物半导体场效应晶体管的实际寿命和产品寿命要求之间的安全裕度降低。确保产品寿命的任务分配在未来必须改变。到目前为止,技术开发的主要责任是调整技术流程,以实现所需的寿命。未来,可靠性不再仅仅是技术发展的任务。器件退化成为半导体技术专家、可靠性专家和电路设计人员的共同挑战。可靠性问题也必须在设计中考虑,以获得可靠和有竞争力的产品。对于这项工作,设计师需要内置可靠性技术的智能软件工具的支持。可靠性设计将是现代产品设计的关键要求之一。
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半导体集成电路的可靠性设计挑战与方法

本文探讨了半导体集成电路在先进工艺下面临的可靠性挑战,特别是负偏置温度不稳定性(NBTI)和热载流子注入(HCI)导致的参数漂移。随着技术发展,可靠性设计成为电路设计师的重要任务,需要借助智能软件工具来应对器件退化。文章阐述了NBTI和HCI的机制及其对电路功能的影响,并讨论了低功耗技术对可靠性的影响及可靠性设计方法。
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