《炬丰科技-半导体工艺》制造氮化镓微电子层的方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：制造氮化镓微电子层的方法

编号：JFKJ-21-554

作者：炬丰科技

摘要

通过将硅层的表面转化为3c-碳化硅，制备了氮化镓微电子层。然后在硅层的转化表面上外延生长一层3c-碳化硅。然后在3c-碳化硅的外延生长层上生长一层2h-氮化镓。然后将2h-氮化镓层横向生长，产生氮化镓微电子层。在一个实施例中，硅层是硅基板，其表面被转化为3c-碳化硅。在另一实施例中，）硅层是植入OXygen(SIMOX)硅衬板分离的一部分，其中包括定义硅基底上的层的植入氧层。在另一实施例中，硅层是绝缘子上的硅(SOI)衬底的一部分，其中硅层被粘接到衬底上。2H-氮化镓层的外侧生长可以通过外延外侧过度生长(ELO)进行，其中，在2H-氮化镓层上形成掩模，所述掩模包括至少一个暴露2H-氮化镓层的开口。然后，2h-氮化镓层通过至少一个开口横向生长在面具上。第二，偏移掩膜也可以在2h-氮化镓的横向生长层上形成偏移掩膜，而2h-氮化镓的第二横向生长层可以过度生长到偏移掩膜上。2H-氮化镓层的侧向生长也可以使用萜烯醚分类技术进行，其中至少在2H-氮化镓层中形成一个沟槽和/或柱，以定义其中的至少一个侧壁。然后从