《炬丰科技-半导体工艺》旋涂工艺在晶圆涂覆工艺优化中的应用

通过建立一维模拟模型,研究旋涂工艺中初始轮廓、分配体积、溶剂蒸汽压、相对湿度和初始粘度等因素对涂层几何形状的影响。优化操作参数能降低光刻胶消耗,尤其在低蒸汽压和高粘度条件下效果显著。

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书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:旋涂工艺在晶圆涂覆工艺优化中的应用

编号:JFKJ-21-705

作者:炬丰科技

关键词:旋涂;光刻胶;光刻胶消耗最小化;晶圆放大

摘要  

采用移动网格技术,建立了一种新的一维模拟模型来预测旋转涂层薄膜的表面覆盖度和平均厚度。用数值方法研究了初始轮廓、分配体积、溶剂蒸汽压、相对湿度和初始粘度对涂层几何形状的影响。初步分配的体积、溶剂蒸汽压、初始粘度和晶圆转速是控制表面覆盖度和平均膜厚度的有效参数。从新模型中推导出了自旋涂层工艺参数与膜几何参数、表面覆盖度和平均膜厚度的关系。结果表明,通过优化操作参数,可以降低每给定尺寸芯片的光刻胶溶液消耗。

介绍

半导体制造业通过减小特征尺寸和增加晶片尺寸来提高生产率,

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