《炬丰科技-半导体工艺》 3D-TSV集成的材料和工艺研究进展

最新推荐文章于 2025-07-11 15:27:54 发布

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#自动驾驶 #物联网 #stm32

本文回顾了3D-TSV集成的材料和工艺研究，包括TSV技术、键合方法以及芯片和晶圆对准工艺。半导体技术遵循摩尔定律快速发展，3D集成在自动驾驶、物联网等领域具有重要应用。3D集成面临技术平台创建、关键工艺创新、基础设施开发等挑战。铜TSV与不同键合技术如CoC、CoW和WoW的材料选择和工艺细节被详细讨论。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：3D-TSV集成的材料和工艺研究进展

编号：JFKJ-21-755

摘要

3D集成中的各种过程需要考虑多种材料。这些材料对于关键工艺的发展至关重要，例如穿层过孔(TSV)、晶圆和芯片键合以及晶圆处理。本文回顾了一些可变材料和工艺的最新进展，比较了它们的优势和技术挑战，并讨论了实现完全三维TSV集成的选择。

介绍

半导体技术是过去半个世纪中最强大的技术之一，它遵循著名的摩尔定律呈指数级发展。从单核微处理器(CPU)，到双核、四核、现在的六核，以及48核和80核的演示，再加上256核或更多的图形处理单元

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《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集15

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TSV简介TSV简介TSV技术本质上是通过在硅片中制造垂直通孔并填充导电材料，实现垂直方向的高密度电互连，可用于晶圆与晶圆之间的连接，但不局限于此。TSV 是（将晶圆直接与TSV链接）和（芯片与TSV和倒装片焊点叠加核心。3DIC集成包括现在热门的存储芯片堆叠技术，2.5D、3D封装技术，以及记忆、逻辑芯片封装技术。

TSV封装技术

10-16

硅通孔技术（Through Silicon Via, TSV）技术是一项高密度封装技术，正在逐渐取代目前工艺比较成熟的引线键合技术，被认为是第四代封装技术。TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互连。硅通孔技术可以通过垂直互连减小互联长度，减小信号延迟，降低电容/电感，实现芯片间的低功耗，高速通讯，增加宽带和实现器件集成的小型化。基于TSV技术的3D封装主要有以下几个方面优势： 1）更好的电气互连性能， 2）更宽的带宽， 3）更高的互连密度， 4）更低的功耗， 5）更小的尺寸， 6）更轻的质量。

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##一、 Al 布线 VS Cu布线我们都知道，铜的导电性比铝好，而且我们的生活中的电线都是铜丝做的，那么为什么集成电路早期要用铝布线呢？这是因为铜与硅的接触电阻很高，而且铜容易扩散进入硅中，引起器件性能灾难。铝虽然导电性差一些，但它对二氧化硅有良好的粘附性，高纯度的硅有很低的接触电阻，而且容易干法刻蚀。那么铝作为互联线时会遇到什么问题呢？铝和硅在577℃下会共熔，容易破坏浅结形成短路，即“铝钉”；第二个问题是，大规模集成电路里面的铝导线很细长，经常要承受很高密度的电流，内部的Al容易在在电场作用和

《炬丰科技-半导体工艺》湿法刻蚀三维集成电路硅片减薄技术

jfkj2021的博客

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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：湿法刻蚀三维集成电路硅片减薄技术编号：JFKJ-21-666 作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html 索引术语-三维集成电路，硅通孔，TSV，湿法蚀刻，硅片，减薄技术。摘要三维集成电路技术已经发展成为半导体行业的新兴技术。硅片减薄是三维集成电路和硅通孔形成的关键技术之一。本文报道了三维集成电路硅片湿法刻蚀减薄技术。介绍通过应用摩尔定律，半导体已经小型化。然而，小型化的发展仍然是复杂性急剧增加和设备成本巨大的问题