《炬丰科技-半导体工艺》MEMS湿刻蚀参考程序

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：MEMS湿刻蚀参考程序

编号：JFKJ-21-349

作者：炬丰科技

摘要

  这种性质的蚀刻工艺需要在高于环境温度的情况下将器件长时间暴露于酸碱水溶液的强腐蚀性混合物中。需要一种旋涂聚合物涂层以防止这种电路暴露于腐蚀性蚀刻剂。挑战在于开发在蚀刻过程中不会分解或溶解在蚀刻剂中的保护涂层。此类涂层需要对基材具有出色的附着力，而不会破坏下面的敏感特征。这些材料专门设计用于保护在 MEMS 设备制造商使用的晶圆清洁工艺期间遭受集中 MAE 的电路。正在开发第二个多层涂层系统，用于强氢氟酸和其他各种混合酸蚀刻剂30 分钟或更长时间的 fbr 暴露。这些材料专门设计用于保护在 MEMS 设备制造商使用的晶圆清洁工艺期间遭受集中 MAE 的电路。正在开发第二个多层涂层系统，用于强氢氟酸和其他各种混合酸蚀刻剂 (MAE) 30 分钟或更长时间的 暴露。这些材料专门设计用于保护在 MEMS 设备制造商使用的晶圆清洁工艺期间遭受集中 MAE 的电路。