《炬丰科技-半导体工艺》超细金属颗粒在硅片表面的行为

最新推荐文章于 2025-12-03 14:58:32 发布

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本文探讨了半导体制造中直径小于0.1μm的超细金属颗粒对产量的影响及其去除挑战。通过气体沉积法在硅片上制备颗粒，研究发现APM清洁液能去除部分150nm的Au颗粒，但对十几纳米的超细颗粒效果不佳，且某些清洁过程可能导致硅表面粗糙化。寻找有效去除超细颗粒的新方法成为当务之急。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：超细金属颗粒在硅片表面的行为

编号：JFKJ-21-462

作者：炬丰科技

摘要

随着 ULSI 设备越来越小型化，对产量产生不利影响的颗粒直径一直在缩小。最近，直径为 0.1 或更小的超细颗粒变得很重要。预计这种类型的超细颗粒难以去除。本研究建立了一种评估超细颗粒去除效率的方法。使用气体沉积方法将直径为几纳米到几百纳米的超细金属颗粒沉积在硅表面。研究了使用各种清洁溶液去除超细颗粒的效率。APM（NH4OH~H2O2-H2O）清洗可以去除150nm的Au颗粒，但不能去除直径小于几十纳米的超细Au颗粒。此外，当执行 DHF-H2O2 清洗以去除 Au 超细颗粒时，Si 表面变得更粗糙。这被认为是因为贵金属如Au? Ag和Cu具有比Si更高的电负性，从Si吸引电子促进Si氧化。

介绍

随着超大规模集成 (ULSI) 制造技术的不断进步，超洁净晶圆表面的制备至关重要。超净晶片表面的特征在于：(i) 无颗粒 (ii) 无有机污染，(m) 无金属污染，(w) 无天然氧化物，(v) 完全终止氢，表面无显微粗糙度。特别是，实现无颗粒的晶圆表面是最重要的项目，因为颗粒肯定会导致图案缺陷，从而降低 ULSI 产量。因此，颗粒是实现接近100%良率的高

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