《炬丰科技-半导体工艺》APCVD多晶硅薄膜沉积

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：APCVD多晶硅薄膜沉积

编号：JFKJ-21-698

作者：炬丰科技

关键词——硅外延，化学气相沉积，晶体缺陷，均匀性，功率半导体，滑移线

摘要

   外延薄膜对功率mosfet至关重要。外延层堆叠是实现超结电力器件的一个主要概念。epi层的相互生长产生了重大挑战，特别是在处理300mm基质时。在不同的工具中进行了单次沉积和多次沉积，并重点研究了外延薄膜特性，如厚度均匀性以及结构和晶体学特征。与200mm相比，由于300mmepi工具提供的调整可能性更大，300mm的厚度均匀性得到了显著提高。在不同的epi生长温度下进行的实验表明，在较高的生长温度下，以及随着epi运行次数的增加，表面雾霾会增加。较高的热预算和大量的epi沉积导致在晶片边缘形成滑移线。测试了epi生长过程中不同的温度梯度分布。结果表明，与晶圆中心相比，即使经过大量的epi连续运行后，一个温暖的边缘区域也几乎不会产生滑移。