《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集36

最新推荐文章于 2025-12-08 20:56:11 发布
原创 最新推荐文章于 2025-12-08 20:56:11 发布 · 295 阅读 · 0 ·
CC 4.0 BY-SA版权
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
文章标签：

#stm32 #算法 #自然语言处理

该技术资料合集详细探讨了半导体工艺的多个方面，包括湿式热氧化GaN的构成、碳化硅半导体衬底、晶片清洗工艺、磷化铟纳米管的合成、晶圆级封装的可靠性分析等。涵盖了从材料性质、器件制造到封装技术的广泛内容，尤其关注磷化铟的光子特性及其在微纳米器件和光子电路中的应用。

一：《湿式热氧化GaN构成》

二：《平面碳化硅半导体衬底》

三：《晶片清洗工艺评估》

四：《磷化铟纳米管的合成

最低0.47元/天 解锁文章
hlkn2020
关注
Image sensor 知识简介
leonardohaig的博客
02-02 1万+
转载自公众号 像由芯生 ，原文链接 前言 摄像机用来成像的感光元件叫做Image Sensor或Imager。目前广泛使用的2种Image Sensor是CCD和CMOS Image Sensor（CIS）。在数码摄影机市场上已经广泛应用了CCD技术，但是CCD需要消耗大量的能量和相当多的支持芯片。所以CMOS Image Sensor应运而生。其每个像素都可以进行自己的电荷转换，从而显著减少产生图像所需要的能量和支持电路。此外，CMOS Image Sensor采用与大多数微处理器和存储器芯片相同的材
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集21
hlkn2020的博客
09-01 372
一：《新型氮化镓功率晶体管特性分析》 二：《氮化镓晶体管的DC_DC电源模块》 三：《适用于GaN器件的谐振驱动电路》 四：《高性能GaN纳米线阵列》 五：《GaN单晶片的表面加工工艺研究》 六：《超薄氮化镓制备及其光学性质》 七：《SiO2蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响》 八：《大规模GaN纳米线阵列的制备及表征》 九：《应用于LLC谐振变换器的GaN器件电路设计》 十：《GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究》 十一：《具有双异质结的氮化镓高压肖特基二极管》 十二：《
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集27
hlkn2020的博客
09-07 331
一：《薄型封装PTP和多层薄型封装》 二：《封装测试工艺技术指导资料》 三：《集成电路封装芯片互连技术》 四：《集成电路封装市场现状》 五：《IC封装的发展趋势》 六：《芯片测试常见问题处理》 七：《CMOS电路工艺流程》 八：《裸芯片封装技术的发展与挑战》 九：《芯片封装测试流程详解》 十：《芯片封装引线电性能的测试》 十一：《晶片基本知识介绍》 十二：《钛种植体阳极氧化的分析》 十三：《种植体腐蚀设备》 十四：《SLA种植牙的表面分析》 十五：《SPM工艺在光刻胶全湿剥离中的
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集25
hlkn2020的博客
09-06 210
一：《半导体硅淀积和刻蚀》 二：《硅片制备中的热工设备介绍》 三：《直拉单晶硅工艺技术》 四：《6英寸重掺砷硅单晶及抛光片》 五：《300mm硅单晶及抛光片标准》 六：《化学机械抛光技术的研究进展》 七：《半导体单晶抛光片清洗工艺分析》 八：《硅片的表面起伏问题与解决方案》 九：《半导体制造工艺中的化学原理》 十：《半导体CMP和蚀刻流程》 十一：《硅抛光片CMP市场和技术现状》 十二：《化学机械抛光液行业研究》 十三：《直径12英寸硅单晶抛光片》 十四：《半导体IC清洗技术》
《炬丰科技-半导体工艺》硅片湿法清洗技术
jfkj2021的博客
01-12 704
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：硅片湿法清洗技术 编号：JFHL-21-1063 作者：炬丰科技 引言 以DRAM及CPU为代表的超大规模集成电路硅半导体器件，近年来成为个人电脑热潮的导火索，预计今后器件的需求也会扩大。 那么，该硅半导体器件的基板材料几乎都是通过直拉法(CZ)法培育的单晶硅。 通过对单晶硅锭进行切割、研磨、蚀刻、镜面抛光以及湿法清洗工序，制作出厚度为700-800μm的镜面晶圆。 随着半导体器件的微细化及高性能化，晶圆表面的高品质化被进一步要求。晶圆表面质量有粒子、金属杂质、有机物、
《炬丰科技-半导体工艺》半导体集成电路技术概论
hlkn2020的博客
08-10 257
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：半导体集成电路技术概论 编号：JFKJ-21-203 作者：炬丰科技 介绍 集成电路是一种小而复杂的装置，实现多种电子功能。它由两个主要部分组成:一个微小且非常脆弱的硅片和一个封装主要在保护内部硅芯片并为用户提供实用的方法处理组件。这篇笔记描述了各种“前端”和“后端”制造过程，并以晶体管为例，因为它使用MOS技术。事实上，在电子公司生产的大多数集成电路都采用了这种技术。 半导体器件的制造 集成电路的制造阶段可分为两个步骤。第一, 晶...
《炬丰科技-半导体工艺》用于半导体的RCA清洁技术
jfkj2021的博客
01-06 703
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：用于半导体的RCA清洁技术 编号：JFKJ-21-1073 引言 RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术，由于其高可靠性，30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先，用过氧化氢氧化硅晶片的表面，用作为碱的氨蚀刻氧化硅，并通过剥离去除各种颗粒。此外，如图1所示，在pH 10.5附近的S
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集一
hlkn2020的博客
08-12 788
一：《背金腐蚀工艺》 二：《wet clean技术》 三：《Lift off工艺》 四：《湿法刻蚀要点》 五：《沟槽刻蚀工艺》 六：《电化学蚀刻重心》 七：《多孔硅层湿法腐蚀要领》 八：《刻蚀清洗原理操作》 九：《CMP后清洗技术的研究》 十：《单晶片清洗技术》 十一：《多晶硅刻蚀特性的研究》 十二：《B---clean湿法清洗工艺》 十三：《晶片的清洗液及清洗方法》 十四：《光学滤光片镀膜前清洗技术》 十五：《ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究》 十六：《石英玻璃性能及湿法刻.
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集37
hlkn2020的博客
10-08 361
一：《碳化硅薄膜的选择性刻蚀》 二：《碳化硅衬底和外延》 三：《碳化硅衬底及其制造方法》 四：《碳化硅热氧化》 五：《碳化硅单晶的制造方法》 六：《碳化硅的化学机械抛光》 七：《碳化硅等薄膜及沉积方法》 八：《碳化硅等离子刻蚀方法》 九：《碳化硅晶体的生长方法》 十：《碳化硅衬底上的氮化物基晶体》 十一：《铜锌锡硫薄膜的化学气相沉积》 十二：《微型LED技术的多视图显示》 十三：《形成不含氧的硅基薄膜的方法》 十四：《旋涂、喷涂和电沉积技术比较》 十五：《退火对InP上ZnO薄膜
我在高职教STM32（新23）——基本定时器扫描按键
gmc832002的博客
12-08 34
本篇在上一篇基础上增加新的效果：启用基本定时器 TIM7，使其能够识别 KEY1 按键的单击、双击和长按这几种动作，并通过串口打印结果，效果如图 2 所示，该实验分为 4 个小节：1）按键动作编程要点；2）准备工程目录和文件；3）程序源码解析；4）下载测试和验证
STM32--BH1750光敏传感器
沉在嵌入式的鱼的博客
12-04 911
本文详细介绍了STM32F407IGT6驱动BH1750光敏传感器的方法。BH1750是一款高精度数字光照传感器，通过I2C接口输出16位数字量，无需外部AD转换。文章从工作原理、接线方式到软件实现三方面进行说明，重点解析了传感器的光电转换原理、I2C通信协议和四种工作模式，并给出了完整的驱动代码，包括初始化、数据读取和光照强度计算。关键注意事项包括上拉电阻配置、地址选择和供电要求。该方案测量精度可达±5%，适用于各类光照检测应用场景。
STM32 ISP下载原理
victorwjw的博客
12-04 555
‌ISP‌（In-System Programming，系统内编程）指无需将芯片从电路板上取下，就能对芯片内部的Flash存储器进行编程或擦除的技术。通常通过芯片出厂时自带的Bootloader实现，例如使用UART、USB等接口进行烧录。这种方式常用于产线初始烧录或重大版本升级。‌‌IAP‌（In-Application Programming，应用内编程）指芯片在运行程序时，通过软件机制对自身Flash存储器进行修改的技术。
【STM32--平衡车】编码器——用于测速
2301_76153977的博客
12-05 1062
其实属于定时器内容，但是都放一块内容太多了~初识 定时器https://blog.youkuaiyun.com/2301_76153977/article/details/154427841?速度、方向、位置想象编码器内有两个马盘，一个接入A相，一个接入B相，有所错开正交编码器输出 A/B 两相脉冲（相位差 90°），TIM2/TIM3 的 CH1/CH2 引脚分别接 A/B 相，定时器会根据 A/B 相的上升 / 下降沿自动增减计数 —— 正转时计数增加，反转时计数减少，无需软件中断处理，硬件自动完成，效率极高。
STM32 底层固件架构与驱动设计
weixin_75051493的博客
12-08 428
运动执行：通过 I2C 总线控制四轮差速电机驱动板，实现全向移动与平滑调速。数据感知：采集 IMU (MPU6050) 的姿态数据与电机编码器的里程计数据。数据交互：通过 UART 串口与上位机 (ROS 2 节点) 进行高频数据通讯。上行 (STM32 -> ROS)：纯文本 CSV 格式，以换行符结尾。下行 (ROS -> STM32)WASD(前后左右)。T+ 时间戳文本。
STM32跑飞，进入HardFault_Handler如何精准的确定问题
最新发布
p6666666668的博客
12-08 420
激进优化引入未定义行为未对齐访问或严格别名违规解决方法：保证结构体与访问对齐，必要时降低优化级别视情况使用。
STM32--编码器（E6B2-CWZ1X）
沉在嵌入式的鱼的博客
12-05 874
本文介绍了STM32F407驱动欧姆龙E6B2-CWZ1X增量式编码器的实现方法。该编码器通过A/B相正交脉冲检测旋转方向与角度，Z相提供零位校准。硬件方面需注意NPN集电极开路输出需外接上拉电阻，5V供电并与STM32共地。软件实现采用STM32定时器编码器模式自动解码正交信号，支持四倍频提高精度，并通过外部中断处理Z相信号。文中详细说明了接线方式、寄存器配置及注意事项，包括32位定时器选择、输入滤波设置等关键点，为电机控制等应用提供了完整的编码器驱动解决方案。
STM32 HAL 软件SPI任意GPIO控制st7735
雾削木的优快云博客
12-07 109
本文介绍了如何通过软件SPI控制任意GPIO驱动ST7735屏幕的硬件接口和驱动实现。主要内容包括： 硬件接口定义 使用STM32F1系列MCU，通过GPIO模拟SPI接口控制ST7735液晶屏 定义了复位(RST)、数据/命令选择(DC)、片选(CS)、时钟(CLK)和数据(SDA)等控制引脚 显示驱动功能 实现了屏幕初始化、旋转设置、区域选择等基本功能 提供了像素点绘制、矩形绘制、直线绘制等图形绘制函数 实现了ASCII字符和32x32中文字符的显示功能 包含图片显示功能，支持40x40像素图片显示 颜
STM32低功耗学习-待机模式-（学习笔记）
d111111111d的博客
12-04 1006
摘要：本文介绍了STM32待机模式的实现方法。首先基于RTC实时时钟代码进行修改，设置OLED显示秒计数器、闹钟值和标志位。通过设置闹钟值（当前秒数+10）触发待机模式，测试表明待机模式唤醒后程序从头执行。文章详细讲解了待机模式函数的工作原理，包括清除唤醒标志位、设置STANDBY模式和深度睡眠等步骤。实测待机电流仅3.3μA，符合手册参数。最后提供了完整的main.c和MyRTC.c代码实现，包括RTC初始化、时间设置和读取等功能。
stm32g431定时器1pwm触发adc的位置
sjh2100的博客
12-08 140
摘要：视频中对ADC触发点选择存在疑问，认为应设在低电平中心而非高电平中心。提出了两种触发方式：1)通过CH4比较输出(OC4REF)触发；2)利用ARR更新事件触发（重复计数设为1）。其他触发方式尚待理解。（字数：97）
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值