《炬丰科技-半导体工艺》晶圆减薄工艺及其关键性

最新推荐文章于 2023-07-18 18:02:25 发布
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《炬丰科技-半导体工艺》中探讨了晶圆减薄的重要性，特别是硅片减薄至70微米的挑战。文章通过定性方法分析了关键设备如内联晶圆背面研磨和安装的检查项目，强调了研磨、分层和胶带等子流程步骤。随着电子封装对更薄架构的需求，晶圆减薄工艺成为集成电路小型化的关键，但同时也带来了诸多技术和制造问题。

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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：晶圆减薄工艺及其关键性

编号：JFKJ-21-279

作者：炬丰科技

摘要  

  晶圆薄化是实现集成电路小型化的主要工艺步骤，硅片背面磨至70微米的厚度被认为是非常关键的，因为它很脆弱。本文将讨论关键设备检查项目的定义和设置险。 所涉及的设备是内联晶圆背面研磨和晶圆安装。本研究采用定性方法，

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《炬丰科技-半导体工艺》单面晶圆减薄处理技术
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08-18 443
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单面晶圆减薄处理技术 编号：JFKJ-21-229 作者：炬丰科技 摘要 缩小特征尺寸的另一种选择是增加集成电路封装的密度和功能。模具尺寸和模具厚度已经大大减少。推动薄模具需求的主要因素包括便携式通信和计算设备、存储卡、智能卡、以及CMOS图像传感器、混合、箔式柔性系统、led、MEMS、太阳能和电源设备。 关键词:化学减薄、蚀刻、应力消除、波蚀、线性扫描、超薄晶片、处理、非接触卡盘。 介绍 研磨、抛光和稀释技术;以及将晶圆与载体结合以进行...
《炬丰科技-半导体工艺》 基于光电化学蚀刻技术的 GaN 微结构表面电荷光刻
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：基于光电化学蚀刻技术的 GaN 微结构表面电荷光刻 编号：JFKJ-21-1183 作者：华林科纳 引言 半导体材料的光电化学在微电子技术的发展中发挥了重要作用。特别是集成电路技术中使用的许多工艺都是基于电化学原理。原位照明允许有效控制半导体与液体接触时的电化学反应，在这种情况下指的是光电化学蚀刻。 实验 众所周知，在氢氧化钾溶液中对n-GaN进行PEC蚀刻可以去除高质量的材料，并留下代表螺纹位错的晶须或纳米线。 图1显示从PEC蚀刻的氮化镓尾声层拍摄的SEM图像显示
《炬丰科技-半导体工艺》植入后刻蚀率的调整：硅、多晶硅和氧化物
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：植入后刻蚀率的调整：硅、多晶硅和氧化物 编号：JFKJ-21-609 作者：炬丰科技 摘要 离子注入是半导体掺杂的常用方法，但也可以在局部改变硅和二氧化硅的蚀刻速率。事实上，当在蒸汽高频中蚀刻时，离子注入引起的损伤可以使二氧化硅的蚀刻率增加200倍。n型或p型的掺杂种类显著增加了HNA中硅的蚀刻速率。取代硼植入硅可以将硅的蚀刻率降低200倍。离子注入对蚀刻速率的修改对于制备埋藏掩模、牺牲层和蚀刻停止层具有重要意义。 介绍 离子植入在半导体处理中的主
《炬丰科技-半导体工艺》通过晶圆减薄提高 WL-CSP 的可靠性
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：通过晶圆减薄提高 WL-CSP 的可靠性 编号：JFKJ-21-681 作者：炬丰科技 摘要 WL-CSP是一种低调的、真正的芯片尺寸封装，完全建立在使用前端和后端处理的晶圆上。使用光电介质和再分布金属将管芯的外围焊盘重新分布到区域阵列中，消除了对衬底或插入物的需要。焊球被放置在重新分布的金属焊盘上并回流，形成一个大的间隙，提高了可靠性。通过仿真优化了试验车辆的保险杠结构和衬垫几何形状，并进行了试验验证。这种WL-CSP技术是使用一个5×5 mm2的芯片和0.5 mm间
简述晶圆减薄的几种方法
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《炬丰科技-半导体工艺》GaAs 薄晶圆的强度改进
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：GaAs 薄晶圆的强度改进 编号：JFKJ-21-368 作者：炬丰科技 摘要 近年来，在减薄步骤后提高晶圆强度一直是砷化镓（GaAs）晶圆制造的一个持续问题。晶圆强度的提高将显着减少拆卸和清洗过程中的晶圆破损。优化减薄工艺以最小化机械应力源非常关键。提高薄 GaAs 晶片强度的一种明显方法是在晶片研磨后应用湿蚀刻步骤以去除表面损伤。 简介 研磨工艺在晶圆减薄操作中提供最佳平整度，但也会引入大量微裂纹，从而在晶圆中产生机械应力。湿法蚀刻或抛光的目的..
《炬丰科技-半导体工艺》3D集成微系统临时键合系统
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：3D集成微系统临时键合系统 编号：JFKJ-21-343 作者：炬丰科技 简介 临时键合对于 3D 堆叠和薄晶圆处理很重要，不同临时键合材料的结果分析。器件晶圆和承载晶圆之间的临时键合使用一种特殊的聚合物材料作为中间层将两个晶圆键合在一起，然后器件晶圆的承载晶圆支撑在器件晶圆减薄等过程中完成，为此技术 3D 集成广泛应用于微系统，例如多晶片永久堆叠。在永久堆叠之后，器件晶片和承载晶片之间的临时键合将被释放。承载晶片表面的聚合物键合层通过化学方法去除。高分子.
《炬丰科技-半导体工艺》3D集成技术：现状及应用发展
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：3D集成技术：现状及应用发展 编号：JFKJ-21-748 作者：炬丰科技 摘要 正如ITRS路线图所预测的那样，仅靠缩小晶体管栅极尺寸主导的半导体产业发展将无法克服未来集成电路制造的性能和成本问题。如今，基于硅通孔(TSV)的三维集成是一种公认的方法，可以克服性能瓶颈，同时缩小尺寸。已经演示了几种全3D工艺流程，但是市场上仍然没有基于3D TSV技术的微电子产品——除了互补金属氧化物半导体图像传感器。没有TSVs的存储器和逻辑器件的3D芯片堆
《炬丰科技-半导体工艺》TSV对3DIC集成系统级封装热性能的影响
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：TSV对3DIC集成系统级封装热性能的影响 编号：JFKJ-21-765 作者：炬丰科技 摘要 在传热和CFD（计算流体动态）分析的基础上，本文研究了三维IC集成系统(SiP)与TSV（通过硅通过）插入器/芯片的热性能。用测定各种铜填充、铝填充的聚合物直径、螺距和长径比的等效导热系数，三维ICSiP与各种TSV插入器的连接温度和热阻，三维叠加8个TSV存储芯片的连接温度和热阻，测定TSV芯片厚度对其热点温度的影响。为方便的工程实践提供了有用的设计图表和
用于高密度晶圆互连的微加工晶圆减薄
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摘要 本文提出了一种用于实现贯穿芯片互连的包含沟槽和空腔的微机械晶片的减薄方法。通过研磨和抛光成功地使晶圆变薄，直至达到之前通过深度反应离子蚀刻蚀刻的空腔。研究了腐蚀结构损坏的可能原因。研究了空腔中颗粒的捕获，并制定了清洁程序来解决这一问题。到目前为止所取得的结果允许进一步加工薄晶圆，通过电镀铜形成晶圆互连。通过替代清洁程序，可进一步改善减薄表面的质量。 介绍 高密度三维（3D）集成是通过将2D集成电路扩展到垂直方向来实现的。因此，它可以在体积减小的情况下提高密度，并大大缩短互连时间，从而显著提高高速
《炬丰科技-半导体工艺》用于化合物半导体应用的绝缘体上硅衬底
jfkj2021的博客
12-14 1109
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：用于化合物半导体应用的绝缘体上硅衬底 编号：JFKJ-21-1170 作者：华林科纳 硅对绝缘体(SOI)是在硅晶体管工业中发展起来的，以降低集成电路中的寄生电容。随着技术的发展，更多的应用和器件结构受益于这些衬底被证明，如微机电系统(MEMS)和光子学。在过去的一年里，报告了SOI与III-V化合物半导体的结合。一个吸引人的特点是，SOI和硅具有比复合半导体的标准材料更大直径、成本更低的衬底。此外，将SOI与III-V半导体结合，可以为传统的硅互补体增加新的功能。 金
《炬丰科技-半导体工艺》原子层沉积(ALD)工艺
hlkn2020的博客
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：原子层沉积(ALD)工艺 编号：JFKJ-21-676 作者：炬丰科技 关键词: 原子层沉积(ALD)；原子层外延；薄膜 摘要 本文介绍了原子层沉积(ALD)法的原理，强调了前体和表面化学的重要性。通过适当调整实验条件，即温度和脉冲时间，生长通过饱和步骤进行。作为例子，描述了最近为微电子学中使用的薄膜开发的选定的ALD工艺。这些包括沉积用于电介质的氧化膜，以及用于金属化的氮化物和金属膜。使用等离子体源来形成自由基将ALD薄膜的选择范围扩大
《炬丰科技-半导体工艺》 碳化硅大功率高频电子器件上的薄氮化镓
jfkj2021的博客
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章： 碳化硅大功率高频电子器件上的薄氮化镓 编号：JFKJ-21-1162 作者：华林科纳 在碳化硅(SiC)上开发了更薄的III族氮化物结构，以期实现高功率和高性能高频薄高电子迁移率晶体管和其他器件。新结构使用高质量的60纳米无晶界氮化铝成核层来避免大面积的扩展缺陷，而不是1-2米厚的氮化镓缓冲层(图1)。成核层允许在0.2 m内生长高质量的氮化镓。 图1 使用(a)常规和(b)低TBR氮化铝成核在氮化镓/氮化铝/碳化硅界面沿[112–0]方向的横截面透射电子显微图像。
《炬丰科技-半导体工艺》用于半导体的RCA清洁技术
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01-06 671
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：用于半导体的RCA清洁技术 编号：JFKJ-21-1073 引言 RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术，由于其高可靠性，30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先，用过氧化氢氧化硅晶片的表面，用作为碱的氨蚀刻氧化硅，并通过剥离去除各种颗粒。此外，如图1所示，在pH 10.5附近的S
《炬丰科技-半导体工艺》用于高级晶圆清洗的单一化学清洗解决方案
jfkj2021的博客
01-08 754
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：用于高级晶圆清洗的单一化学清洗解决方案 编号：JFKJ-21-532 作者：炬丰科技 关键词:单一化学清洗，APM, SCI,金属去除，络合剂。 摘要 基于APM (NH4OH/H2O2/H2O)的清洁混合物为用作单一化学清洁溶液提供了有趣的前 景。由于H2O2的氧化性质，这种混合物可以去除有机污染物，并且它们具有非常好的颗粒去除性能。为了针对金属污染优化APM清洁，需要添加络合剂(=APM+TM)O。本文研究了APM清洗液的金属去除效率随稀释比、温度和络合剂浓度的变化
《炬丰科技-半导体工艺》集成电路制造工艺
hlkn2020的博客
08-10 312
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：集成电路制造工艺 编号：JFKJ-21-202 作者：炬丰科技 集成电路处理概述(第一部分) •硅处理 •光刻 集成电路制造中使用的层工艺(第二部分) •集成制造步骤 •IC封装(第三部分) •集成电路处理的产量 ICs的包装 连接IC与外部世界，并保护为了防止损坏，芯片被连接到一个引线框架上并封装在一个合适的包内。包装是一种外壳，通常由塑料或陶瓷，提供机械和环保芯片。包括可用于集成电路的引线与外部电路电连接 ...
《炬丰科技-半导体工艺》硅片湿法清洗技术
jfkj2021的博客
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：硅片湿法清洗技术 编号：JFHL-21-1063 作者：炬丰科技 引言 以DRAM及CPU为代表的超大规模集成电路硅半导体器件，近年来成为个人电脑热潮的导火索，预计今后器件的需求也会扩大。 那么，该硅半导体器件的基板材料几乎都是通过直拉法(CZ)法培育的单晶硅。 通过对单晶硅锭进行切割、研磨、蚀刻、镜面抛光以及湿法清洗工序，制作出厚度为700-800μm的镜面晶圆。 随着半导体器件的微细化及高性能化，晶圆表面的高品质化被进一步要求。晶圆表面质量有粒子、金属杂质、有机物、
《炬丰科技-半导体工艺》 组合式 CMP 和晶片清洗装置方法
hlkn2020的博客
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：组合式 CMP 和晶片清洗装置方法 编号：JFKJ-21-292 作者：炬丰科技 文摘 一体机的抛光，清洗，漂洗和干燥工件，如半导体晶圆。一个干的末端执行机器人从磁带中提取晶圆并传送它们。将晶圆片送到抛光台进行抛光。该机器人的湿末端执行器将清洗过的晶片转移到旋转干燥器。机器人的干末端执行器运动。 发明领域 本发明通常涉及自我包含机器抛光，清洁，漂洗，和旋转干燥半导体晶圆工件，更多 特别是对一种改进的接收卡带的系统对硅片、CMP进行抛光、清...
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集35
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一：《单晶硅制造工艺》 二：《等离子抗蚀涂层和工艺》 三：《等离子刻蚀工艺》 四：《光电化学湿蚀刻》 五：《100mm碳化硅晶片生产工艺》 六：《低维半导体纳米材料》 七：《低温化学气相沉积》 八：《低温阳极键合技术》 九：《显示清洗工艺的新概念》 十：《多晶硅表面微加工技术》 十一：《多晶硅的生产工艺》 十二：《高效光刻胶性能的比较研究》 十三：《高纵横比多晶硅微加工技术》 十四：《等离子体辅助化学气相沉积》 十五：《硅表面原生氧化物的生长》 十六：《硅光子集成芯片的耦合策略
IC封装工艺详解：从晶圆减薄到芯片粘接
"这篇文档是关于集成电路(IC)封装工艺的介绍，涵盖了从晶圆背面减薄到芯片粘接等多个关键步骤。" 集成电路封装是电子制造业中的一个重要环节，它确保了微小的硅芯片能够安全地封装在外部设备中，便于连接和使用。...
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