《炬丰科技-半导体工艺》晶圆减薄工艺及其关键性

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《炬丰科技-半导体工艺》中探讨了晶圆减薄的重要性，特别是硅片减薄至70微米的挑战。文章通过定性方法分析了关键设备如内联晶圆背面研磨和安装的检查项目，强调了研磨、分层和胶带等子流程步骤。随着电子封装对更薄架构的需求，晶圆减薄工艺成为集成电路小型化的关键，但同时也带来了诸多技术和制造问题。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：晶圆减薄工艺及其关键性

编号：JFKJ-21-279

作者：炬丰科技

摘要  

  晶圆薄化是实现集成电路小型化的主要工艺步骤，硅片背面磨至70微米的厚度被认为是非常关键的，因为它很脆弱。本文将讨论关键设备检查项目的定义和设置险。 所涉及的设备是内联晶圆背面研磨和晶圆安装。本研究采用定性方法，

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《炬丰科技-半导体工艺》 基于光电化学蚀刻技术的 GaN 微结构表面电荷光刻
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什么是晶圆减薄工艺？
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《炬丰科技-半导体工艺》植入后刻蚀率的调整：硅、多晶硅和氧化物
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《炬丰科技-半导体工艺》GaAs 薄晶圆的强度改进
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简述晶圆减薄的几种方法
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通常以≤1μm/ sec的速度去除〜30μm或更小的材料，并在晶片上提供最终的光洁度。1200粗砂的粗糙表面带有明显的磨痕，而2000粗砂的粗糙程度较小，但是仍然有一些磨痕。减薄晶片有四种主要方法，（1）机械研磨，（2）化学机械平面化，（3）湿法蚀刻和（4）等离子体干法化学蚀刻（ADP DCE）。它使用安装在高速主轴上的金刚石和树脂粘合的砂轮，类似于旋涂应用中使用的砂轮。晶圆的背面朝着砂轮放置，而砂带则放置在晶圆的前侧，以防止晶圆在减薄过程中受到任何损坏。CMP的稀化速度比机械研磨慢，每秒仅清除几微米。
用于高密度晶圆互连的微加工晶圆减薄
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摘要 本文提出了一种用于实现贯穿芯片互连的包含沟槽和空腔的微机械晶片的减薄方法。通过研磨和抛光成功地使晶圆变薄，直至达到之前通过深度反应离子蚀刻蚀刻的空腔。研究了腐蚀结构损坏的可能原因。研究了空腔中颗粒的捕获，并制定了清洁程序来解决这一问题。到目前为止所取得的结果允许进一步加工薄晶圆，通过电镀铜形成晶圆互连。通过替代清洁程序，可进一步改善减薄表面的质量。 介绍 高密度三维（3D）集成是通过将2D集成电路扩展到垂直方向来实现的。因此，它可以在体积减小的情况下提高密度，并大大缩短互连时间，从而显著提高高速
《炬丰科技-半导体工艺》用于化合物半导体应用的绝缘体上硅衬底
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：用于化合物半导体应用的绝缘体上硅衬底 编号：JFKJ-21-1170 作者：华林科纳 硅对绝缘体(SOI)是在硅晶体管工业中发展起来的，以降低集成电路中的寄生电容。随着技术的发展，更多的应用和器件结构受益于这些衬底被证明，如微机电系统(MEMS)和光子学。在过去的一年里，报告了SOI与III-V化合物半导体的结合。一个吸引人的特点是，SOI和硅具有比复合半导体的标准材料更大直径、成本更低的衬底。此外，将SOI与III-V半导体结合，可以为传统的硅互补体增加新的功能。 金
《炬丰科技-半导体工艺》原子层沉积(ALD)工艺
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：原子层沉积(ALD)工艺 编号：JFKJ-21-676 作者：炬丰科技 关键词: 原子层沉积(ALD)；原子层外延；薄膜 摘要 本文介绍了原子层沉积(ALD)法的原理，强调了前体和表面化学的重要性。通过适当调整实验条件，即温度和脉冲时间，生长通过饱和步骤进行。作为例子，描述了最近为微电子学中使用的薄膜开发的选定的ALD工艺。这些包括沉积用于电介质的氧化膜，以及用于金属化的氮化物和金属膜。使用等离子体源来形成自由基将ALD薄膜的选择范围扩大
《炬丰科技-半导体工艺》 碳化硅大功率高频电子器件上的薄氮化镓
jfkj2021的博客
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章： 碳化硅大功率高频电子器件上的薄氮化镓 编号：JFKJ-21-1162 作者：华林科纳 在碳化硅(SiC)上开发了更薄的III族氮化物结构，以期实现高功率和高性能高频薄高电子迁移率晶体管和其他器件。新结构使用高质量的60纳米无晶界氮化铝成核层来避免大面积的扩展缺陷，而不是1-2米厚的氮化镓缓冲层(图1)。成核层允许在0.2 m内生长高质量的氮化镓。 图1 使用(a)常规和(b)低TBR氮化铝成核在氮化镓/氮化铝/碳化硅界面沿[112–0]方向的横截面透射电子显微图像。
《炬丰科技-半导体工艺》用于半导体的RCA清洁技术
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：用于半导体的RCA清洁技术 编号：JFKJ-21-1073 引言 RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术，由于其高可靠性，30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先，用过氧化氢氧化硅晶片的表面，用作为碱的氨蚀刻氧化硅，并通过剥离去除各种颗粒。此外，如图1所示，在pH 10.5附近的S
《炬丰科技-半导体工艺》用于高级晶圆清洗的单一化学清洗解决方案
jfkj2021的博客
01-08 879
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：用于高级晶圆清洗的单一化学清洗解决方案 编号：JFKJ-21-532 作者：炬丰科技 关键词:单一化学清洗，APM, SCI,金属去除，络合剂。 摘要 基于APM (NH4OH/H2O2/H2O)的清洁混合物为用作单一化学清洁溶液提供了有趣的前 景。由于H2O2的氧化性质，这种混合物可以去除有机污染物，并且它们具有非常好的颗粒去除性能。为了针对金属污染优化APM清洁，需要添加络合剂(=APM+TM)O。本文研究了APM清洗液的金属去除效率随稀释比、温度和络合剂浓度的变化
《炬丰科技-半导体工艺》集成电路制造工艺
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：集成电路制造工艺 编号：JFKJ-21-202 作者：炬丰科技 集成电路处理概述(第一部分) •硅处理 •光刻 集成电路制造中使用的层工艺(第二部分) •集成制造步骤 •IC封装(第三部分) •集成电路处理的产量 ICs的包装 连接IC与外部世界，并保护为了防止损坏，芯片被连接到一个引线框架上并封装在一个合适的包内。包装是一种外壳，通常由塑料或陶瓷，提供机械和环保芯片。包括可用于集成电路的引线与外部电路电连接 ...
《炬丰科技-半导体工艺》硅片湿法清洗技术
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：硅片湿法清洗技术 编号：JFHL-21-1063 作者：炬丰科技 引言 以DRAM及CPU为代表的超大规模集成电路硅半导体器件，近年来成为个人电脑热潮的导火索，预计今后器件的需求也会扩大。 那么，该硅半导体器件的基板材料几乎都是通过直拉法(CZ)法培育的单晶硅。 通过对单晶硅锭进行切割、研磨、蚀刻、镜面抛光以及湿法清洗工序，制作出厚度为700-800μm的镜面晶圆。 随着半导体器件的微细化及高性能化，晶圆表面的高品质化被进一步要求。晶圆表面质量有粒子、金属杂质、有机物、
《炬丰科技-半导体工艺》 组合式 CMP 和晶片清洗装置方法
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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：组合式 CMP 和晶片清洗装置方法 编号：JFKJ-21-292 作者：炬丰科技 文摘 一体机的抛光，清洗，漂洗和干燥工件，如半导体晶圆。一个干的末端执行机器人从磁带中提取晶圆并传送它们。将晶圆片送到抛光台进行抛光。该机器人的湿末端执行器将清洗过的晶片转移到旋转干燥器。机器人的干末端执行器运动。 发明领域 本发明通常涉及自我包含机器抛光，清洁，漂洗，和旋转干燥半导体晶圆工件，更多 特别是对一种改进的接收卡带的系统对硅片、CMP进行抛光、清...
IC封装工艺详解：从晶圆减薄到芯片粘接
"这篇文档是关于集成电路(IC)封装工艺的介绍，涵盖了从晶圆背面减薄到芯片粘接等多个关键步骤。" 集成电路封装是电子制造业中的一个重要环节，它确保了微小的硅芯片能够安全地封装在外部设备中，便于连接和使用。...
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