《炬丰科技-半导体工艺》GaAs 薄晶圆的强度改进

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaAs 薄晶圆的强度改进

编号：JFKJ-21-368

作者：炬丰科技

摘要

  近年来，在减薄步骤后提高晶圆强度一直是砷化镓（GaAs）晶圆制造的一个持续问题。晶圆强度的提高将显着减少拆卸和清洗过程中的晶圆破损。优化减薄工艺以最小化机械应力源非常关键。提高薄 GaAs 晶片强度的一种明显方法是在晶片研磨后应用湿蚀刻步骤以去除表面损伤。

简介

  研磨工艺在晶圆减薄操作中提供最佳平整度，但也会引入大量微裂纹，从而在晶圆中产生机械应力。湿法蚀刻或抛光的目的是去除研磨过程中残留的表面损伤。过去，我们了解到晶圆拆卸步骤中的高破损率与机械应力直接相关，湿蚀刻晶圆的成品率低于抛光晶圆。然而，本文将表明晶圆强度与表面粗糙度直接相关，抛光方法对晶圆强度提高的影响比湿蚀刻方法更显着。

不同组的晶圆强度

  设计了一个特殊的夹具来固定减薄的晶片。这种特殊的夹具有一个开口，其形状与 4 英寸 GaAs 晶片的形状相同，带有一个大