《炬丰科技-半导体工艺》单面晶圆减薄处理技术

本文详细介绍了《炬丰科技-半导体工艺》中关于单面晶圆减薄处理技术,该技术通过化学减薄实现晶圆厚度降至50µm或更低,具有高均匀性和较低的成本。减薄过程中,化学稀释对于消除亚表面损伤和抛光应力至关重要。通过线性扫描的波蚀方法,可以实现晶圆厚度的精确控制,确保总厚度变化(TTV)的极小范围。

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书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:单面晶圆减薄处理技术

编号:JFKJ-21-229

作者:炬丰科技

摘要  

    缩小特征尺寸的另一种选择是增加集成电路封装的密度和功能。模具尺寸和模具厚度已经大大减少。推动薄模具需求的主要因素包括便携式通信和计算设备、存储卡、智能卡、以及CMOS图像传感器、混合、箔式柔性系统、led、MEMS、太阳能和电源设备。

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