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RSS订阅原创 晶圆电镀的阳极钝化是什么？
阳极钝化是晶圆电镀中可溶性阳极的常见问题，表现为阳极表面形成致密钝化膜，阻碍金属离子溶解。主要原因包括：电流密度过高导致金属离子饱和析出；氯离子浓度异常影响正常溶解；溶液循环不良造成局部浓度过高。钝化会导致电压异常、金属离子浓度下降、添加剂快速消耗等问题，严重影响电镀工艺稳定性。工艺工程师需从电流密度、关键成分和溶液对流三方面排查钝化问题。
2026-01-08 13:18:16
258
原创 金电镀凸块的应用
金电镀凸块是芯片焊盘上的微型金属端子，主要用于高密度电连接。其核心应用在显示驱动芯片领域，通过COG工艺将驱动IC直接贴合在玻璃基板上，配合异向导电膜实现导通。此外，金凸块还用于Flip Chip倒装封装，适用于光通信、MEMS等对可靠性要求高的场景。相比传统引线键合，金凸块能实现更小体积、更高密度的连接，满足现代电子设备微型化需求。
2026-01-08 11:35:19
407
原创 空间选择性ALE的两种工艺路径
空间选择性原子层刻蚀(ALE)通过离子驱动和自由基驱动两种工艺路径实现。离子驱动路线利用各向异性离子注入改性水平表面，再各向同性去除改性层，实现垂直方向选择性刻蚀。自由基驱动路线则通过各向同性扩散改性所有暴露表面，再进行各向同性去除，实现保形减材制造。两种方法分别结合了ALE的原子层级自限制和选择性特点，满足不同刻蚀需求。
2026-01-08 11:05:23
339
原创 ALD工艺前是如何去除自然氧化物的？
摘要： 自然氧化物是硅、锗等半导体表面暴露于含氧环境时自发形成的薄氧化层（10-20埃），会增大接触电阻或阻碍外延生长。ALD工艺前需去除自然氧化物，传统湿法腐蚀（如稀氢氟酸）易导致再氧化和水痕问题。新型干法清洗工艺（COR）通过两步实现：1）HF和NH₃气体在20-80°C下与SiO₂反应生成可挥发的氟硅酸铵盐；2）加热至100-200°C使盐分解为气体，暴露清洁表面。COR具有高选择性、无等离子损伤、兼容锗氧化物等优势，且可与ALD设备集成，避免二次氧化。
2026-01-08 10:51:56
274
原创 电镀速率是怎么算的？
电镀速率计算基于法拉第第一定律，与电流密度(ASD)直接相关。1ASD电流密度下，铜金属(2价)电镀1分钟的理论沉积厚度为0.227μm，考虑电流效率后经验值约0.2μm。计算公式为：h=DtM/(ρZF)，其中D为电流密度，t为时间，M为摩尔质量，ρ为密度，Z为化合价，F为法拉第常数。该原理适用于其他金属电镀速率的计算。
2026-01-05 10:48:29
338
原创 电镀的阳极有什么讲究？什么是可溶性阳极和非可溶性阳极？
电镀阳极分为可溶性和非可溶性两类。可溶性阳极由被镀金属制成，在电镀过程中溶解补充电解液中的金属离子，如铜电镀用磷铜阳极、镍电镀用电解镍板。非可溶性阳极采用惰性材料（如铂涂层钛网、石墨等）仅起导电作用，金属离子完全来自电镀液预添加的盐类。阳极选择需考虑电镀类型、成本及工艺要求，不同材质对电镀质量和稳定性有重要影响。
2026-01-05 10:46:00
245
原创 芯片制造常说的直孔是什么？
摘要：垂直通孔（VerticalVia）具有垂直壁和一致孔径，适合高密度互连（pitch<100μm），可采用金属衬里或全填充方式，但存在热膨胀失配和填充空洞风险，适用于高性能SoC等芯片。锥形通孔（TaperedVia）呈上大下小结构，工艺简单成本低，适合pitch>150μm的应用，如功率放大器和图像传感器等低密度互连领域。两种通孔在结构、工艺和应用场景上存在显著差异。
2026-01-05 10:41:46
338
原创 在PECVD工艺中，沉积氧化硅薄膜以什么工艺路线为主？
PECVD工艺中氧化硅薄膜沉积主要采用SiH₄基和TEOS基两种工艺路线。USG（未掺杂氧化硅）用于IMD层，通过SiH₄/O₂或TEOS/O₂反应沉积；SRO（富硅氧化物）通过调节SiH₄/O₂比例控制硅含量。PMD层采用掺杂工艺：PSG通过SiH₄/PH₃/O₂或TEOS/TMP/O₂沉积，BPSG则添加硼源（TEB）。文中详细介绍了前驱体TEOS（正硅酸四乙酯）、TMP（三甲基磷酸酯）和TEB（三乙基硼酸酯）的分子结构与特性。
2026-01-04 10:29:44
322
原创 明场检测与暗场检测原理上有什么区别？
明场检测与暗场检测是两种不同的光学检测方法。明场检测采用垂直入射光，平整表面反射光被镜头接收，通过反射强度差异识别缺陷。暗场检测采用斜角入射光，正常表面无反射光进入镜头（背景暗），只有存在凹凸、颗粒等缺陷时才会发生散射光被检测到。两者原理差异在于入射角度和反射机制，分别适用于不同表面特征的检测需求。
2026-01-04 10:28:20
294
原创 什么是ABF膜？
ABF膜是日本味之素公司研发的电子级树脂基膜，主要用于CPU等半导体封装基板的绝缘层。其优势包括：消除气泡风险、无溶剂挥发、可双面加工、膜厚均匀且表面平整，大幅提升良率和产能。ABF膜采用三层结构：覆盖膜保护功能层，中间10-100μm树脂基功能层提供绝缘和热稳定性，PET基底提供机械支撑。目前ABF膜占据全球PC用绝缘薄膜市场近100%份额。
2026-01-04 10:19:42
285
原创 混合键合是什么？
混合键合是一种先进封装技术，通过电介质-电介质键合和金属-金属键合实现晶圆/芯片互连，无需焊料。它能实现微米级间距（<10μm），显著提升互连密度和性能，适用于2.5D/3D IC封装、CIS、NAND等高性能场景。工艺包括：表面平坦化处理、高精度对准、低温预键合、铜扩散键合及退火强化。相比传统方法，混合键合具有更高密度、更低延迟和更好散热特性。
2026-01-04 10:17:28
172
原创 电镀和电铸一直分不清，它们有什么区别吗？
电镀与电铸的区别及晶圆制程应用 摘要：电镀是在基底表面沉积金属层（如晶圆铜互连、TSV填充），用于装饰或功能需求；电铸则是通过厚金属沉积复制模板结构后剥离（如微针阵列制造）。电解则主要用于分解化合物（如电解水）。晶圆制程中，铜互连、TSV、RDL等环节需电镀铜，锡球工艺需电镀锡合金，MEMS器件则可能用到金/镍电镀。三者核心差异在于：电镀保留基底，电铸剥离模板，电解无基底需求。（149字）
2026-01-04 10:15:18
335
原创 为什么TGV的玻璃通孔有的是直接打孔，有的又需要刻蚀？
玻璃通孔（TGV）的制备方法多样，包括激光打孔、喷砂、机械钻孔、干法刻蚀、湿法腐蚀和聚焦放电等。其中激光打孔精度高（孔径<10μm）、效率高且适合批量生产。激光烧蚀直接气化材料，易产生热裂纹；激光诱导刻蚀则通过飞秒激光改性后化学腐蚀，可获得光滑垂直的孔壁。不同方法的选择取决于孔径精度、热影响和成本等因素。
2025-12-31 09:48:17
337
原创 TGV转换板在电镀填充完金属之后，需要怎样验证填充的质量呢？
TGV转换板金属填充质量验证及可靠性测试方法包括：1）热循环测试（-40℃~125℃），评估界面可靠性；2）有偏压高加速寿命测试（130℃/85%RH/±5V），检测铜迁移等失效模式；3）直流导通性测试，验证电气连接完整性。测试结果显示，经过1000次热循环后TGV仍保持100%导通率，电阻略有上升但处于合理范围。这些测试可有效评估TGV在热应力、湿度及偏压等极端条件下的可靠性表现。
2025-12-31 09:47:05
164
原创 TGV（Through Glass Via）工艺为什么在玻璃上打孔？
TGV工艺选择玻璃基板因其独特优势：1)低电损耗特性提升信号隔离和降低功耗；2)可调热膨胀系数增强封装可靠性；3)表面光滑利于微细布线，降低成本；4)高刚性和平整度确保加工精度；5)直接成型工艺提高良率和效率。这些特性使TGV特别适合2.5D/3DIC和面板级封装等高频、高密度应用，成为下一代先进封装的关键技术。
2025-12-31 09:21:20
184
原创 超声波有T-SAM与C-SAM，这两种模式有什么区别？
摘要：SAM（超声波扫描显微镜）是一种非破坏性检测技术，可用于检测芯片封装内部结构，避免传统破坏性方法带来的损伤。C-SAM（反射模式）通过界面反射回波检测分层/气泡，使用单个换能器；T-SAM（透射模式）通过穿透样品检测材料密度变化，需上下两个换能器。SAM对材料界面敏感，能识别亚微米级微小分层，灵敏度远超X射线。
2025-12-31 09:16:33
316
原创 为什么金在芯片制造中那么重要？
金（Au）是一种导电性、抗氧化性和化学稳定性优异的贵金属，广泛应用于芯片制程中，如金电极、MEMS镀金、金凸点和金线键合等工艺。然而，金在晶圆厂前段工艺中属于高风险污染源，因其在硅中扩散会形成深能级陷阱，降低载流子寿命并增加漏电流。尽管如此，金在化合物半导体、射频模块和EUV掩模板等领域仍不可或缺，展现了其独特的应用价值。
2025-12-31 09:15:10
336
原创 在12吋/8吋 fab中，是严禁使用乙醇酒精做主清洗剂的，为什么？
摘要：晶圆厂主要使用异丙醇(IPA)而非乙醇作为清洗剂，原因包括：1)IPA纯度可达99.9999%，乙醇难以达到晶圆级标准；2)IPA挥发速度适中，不易形成水痕，更适合Marangoni干燥；3)IPA极性较低，与有机溶剂相容性更好。乙醇仅用于低端清洗场景，如实验室器具或PCB行业。IPA广泛应用于晶圆清洗、刻蚀、设备维护等环节，其化学特性更符合半导体制造的高标准要求。
2025-12-30 10:13:53
405
原创 晶圆厂中，X射线可以应用在X-Ray，XRD，XRF，XPS，这四种设备各有什么作用和区别吗？
X射线在晶圆厂中的应用主要包括四种技术：X-Ray（CT）用于无损检测芯片内部结构；XRD通过衍射分析晶体结构、取向和应力；XRF通过荧光光谱检测元素组成和含量；XPS则通过光电子能谱分析表层元素和化学态。这些技术分别基于透射、衍射、荧光和光电效应原理，在芯片制造中各有侧重，满足不同检测需求，从宏观结构到微观元素分析实现全面质量控制。
2025-12-30 09:56:52
409
原创 先进封装是如何分类的呢？
摘要：先进封装技术主要分为无基板、有机基板、金属框架和陶瓷基板四大类。无基板封装包括WLCSP（晶圆级封装）和Fan-Out（扇出封装）两种代表性技术；有机基板封装分为线焊（如BGA、CSP）和倒装（如FCBGA）两种互连方式；金属框架封装常见QFN/QFP等类型；陶瓷基板则包含HTCC/LTCC等高可靠性封装。2.5D/3D封装通过TSV或RDL实现多芯片堆叠，显著提升集成度和带宽。各类封装技术根据应用场景（如高频、高I/O、军工等）选择适用方案。（149字）
2025-12-30 09:51:55
999
原创 什么是晶向？
本文介绍了晶向的基本概念及其重要性。晶向指晶体内部原子排列方向，用[hkl]表示方向，(hkl)表示平面，<hkl>表示晶向族。不同晶向具有不同的原子密度、间距和结合强度，导致晶体物理化学性质差异，体现在缺陷密度、表面光滑度、掺杂溶解度、蚀刻速率和外延生长等方面。硅片晶向通过大小flat定位，<100>晶向硅片广泛应用于CMOS逻辑芯片和存储器，<110>晶向主要用于射频/功率器件和MEMS工艺。
2025-12-30 09:44:49
172
原创 光刻工序中的烘烤有几次？各有什么作用？
光刻工序中的烘烤通常进行2-3次，包括软烘（前烘）、PEB（曝光后烘烤）和后烘（硬烘）。软烘用于去除溶剂、增强附着力并提高分辨率；PEB促进光化学反应并消除驻波；后烘则提升热稳定性，防止胶层脱落或形变。不同光刻胶类型（正胶、负胶、正负反转胶）的烘烤流程略有差异。
2025-12-30 09:38:40
330
原创 等离子清洗后，水滴角变小了，焊接质量大幅度增高，为什么？
等离子清洗通过改变材料表面润湿性（降低水滴角）和增加粗糙度，显著提升封装质量。其作用包括增强环氧树脂附着力、改善键合强度、提高填充均匀性等。等离子处理使表面亲水性增强（水滴角变小），促进焊料铺展，减少焊接缺陷。但该亲水效果会随时间逐渐减弱。这一技术对芯片封装各环节均有重要影响，是提升可靠性的关键工艺。
2025-12-29 14:14:30
242
原创 在PVD镀膜中，可以看到工艺腔室中发出各种颜色的光，请问原理是什么？
PVD镀膜工艺中腔室发光的原理与等离子体特性有关。等离子体是物质的第四态，由电离气体形成，包含电子、离子、自由基、光子和中性粒子。发光现象源于高能电子与气体分子碰撞，使原子电子跃迁至激发态后回落时释放特定波长光子，从而呈现不同颜色。这种特性在半导体工艺中被广泛应用于清洗、刻蚀等制程。
2025-12-29 14:06:40
247
原创 设备上常见的涂层有哪些？各有哪些作用？
摘要：芯片制造设备常见涂层包括等离子防蚀涂层（Y₂O₃等）、防粘附涂层（PTFE等）、导电涂层（ITO）等，主要用于抗腐蚀、防静电和延长设备寿命。涂层厚度从纳米到微米级，通过CVD、PVD、热喷涂等技术制备，需考虑附着力、耐等离子性等性能指标。这些涂层能显著提升半导体设备的稳定性和使用寿命。
2025-12-29 14:01:04
208
原创 晶圆厂常用的FIB，SEM，TEM， X-ray CT各有什么用途以及应用特点？
FIB、SEM、TEM和X-ray CT是晶圆厂常用的四种分析技术。FIB（聚焦离子束）通过Ga+离子进行高精度刻蚀和成像；SEM（扫描电子显微镜）利用电子束扫描样品表面成像；TEM（透射电子显微镜）需要超薄样品观察内部结构；X-ray CT则通过X射线实现3D成像。四种技术各具特点，分别适用于不同精度的芯片分析需求。
2025-12-29 13:40:13
159
原创 为什么在芯片互连中，介质的k值一直在降低？
芯片互连中介质k值降低主要是为了减小RC延迟。随着CMOS技术进入45nm以下节点，互连寄生电容成为性能瓶颈。电容公式C=ε*A/d表明，降低介电常数(k值)能有效减小电容。因此工艺节点越先进，k值从2.7逐步降至2.1以下。常见低k介质包括有机聚合物、多孔硅基材料等，通过降低介电常数来提升芯片性能。
2025-12-27 10:21:50
205
原创 用打线的方式做的金凸点的工艺流程是怎样的？
金凸点(Goldbump)是通过热超声球焊工艺在芯片焊盘上形成的金属连接点，主要用于倒装芯片封装。其制作流程包括：1）高压电弧熔化金丝顶端形成金球；2）预热焊盘后定位金球；3）超声加压实现金属键合；4）横向切断金线完成焊接。金线通常含Au-Al、Au-Cu等合金成分。高阶工艺可在单个凸点上叠加焊接以增加高度。该技术可实现芯片与基板的可靠互连。
2025-12-27 10:12:43
291
原创 为什么芯片会有RC延迟？延迟有哪些种类？
芯片延迟主要包括栅极延迟、互连层RC延迟和时钟偏斜延迟等。随着工艺节点缩小，栅极延迟降低，但互连RC延迟因金属线电阻和寄生电容增加而变得更显著。互连RC延迟由金属线电阻和线间寄生电容共同决定，工艺微缩导致线宽变窄、间距减小，使RC延迟增大。降低RC延迟的方法包括：采用低电阻率铜互连、使用低k介质减少寄生电容，以及通过垂直堆叠缩短布线长度等。
2025-12-27 09:54:35
206
原创 PMOS与NMOS是如何工作的？
PMOS和NMOS是两种基本MOS管类型。NMOS衬底为P型硅，源漏极掺杂N型杂质，栅极加正电压时形成N型导电沟道，电子从源极流向漏极导通电路。PMOS衬底为N型硅，源漏极掺杂P型杂质，栅极加负电压时形成P型导电沟道，空穴流动实现导通。两者都通过栅极电压控制导电沟道宽度来调节电流，但载流子和电压极性相反。增强型MOS管在零栅压时处于关断状态，需外加电压才能形成导电沟道。
2025-12-27 09:48:49
192
原创 喷嘴感觉都差不多，如何去选择呢？
摘要：喷嘴选择需综合考虑效率（55%-95%）、液滴大小（影响冷却和清洗效果）、喷雾角度（30°以下冲击力强，90°以上覆盖均匀）、冲击力（受压力/孔径/距离影响）及喷洒模式（实心流/锥形/扁平等）。不同参数组合适用于清洗、冷却等不同工艺需求。（99字）
2025-12-27 09:33:22
152
原创 半导体图形化所面临的挑战
摘要：半导体图形化面临CD Variation和Overlay两大挑战。CD Variation涉及单个图形的精度问题，包括线边缘粗糙度(LER/LWR)导致电学性能下降、高宽比图形倒塌(Pattern Leaning)引发短路、刻蚀堵塞(Etch Clogging)造成断路，以及负载效应(Loading Effect)导致的刻蚀不均匀。Overlay问题则关乎层间对准精度，包括切割块与网格对齐偏差、通孔与金属线接触不良，以及多重曝光孔阵列错位等问题，这些都会严重影响芯片性能和良率。随着制程微缩，这些挑战愈
2025-12-26 13:42:46
275
原创 为什么氧化硅比氮化硅更难刻蚀？
氧化硅比氮化硅更难刻蚀的主要原因是化学键解离能的差异。Si-O键解离能高达800kJ/mol，远高于Si-N键的435kJ/mol。在氟基刻蚀中，形成Si-F键释放的能量（575kJ/mol）能完全覆盖氮化硅的断键需求，但对氧化硅仍存在225kJ/mol的能量缺口。因此，氟等离子体可高效刻蚀氮化硅，却难以自发刻蚀氧化硅，必须借助高能离子轰击等额外能量才能实现氧化硅刻蚀。
2025-12-26 11:24:39
214
原创 等离子体材料改性过程
等离子体材料改性是一种表面处理技术，通过等离子体中的活性粒子（电子、离子、自由基等）轰击材料表面，在纳米级深度（1-10nm）改变其化学组成、表面能和粗糙度等特性。以PEEK为例，该过程分为两步：高能粒子打断表面C-C/C-H键产生自由基，随后与氧等离子体反应引入含氧官能团（C-O/C=O/COO），使憎水表面转变为亲水表面。常用的改性气体包括O₂（引入极性基团）、N₂（接枝氨基）、Ar（清洁刻蚀）等，广泛应用于粘接、生物医疗等领域。该技术仅改变材料表面特性，不影响本体性能。
2025-12-26 11:08:45
443
原创 等离子体除胶渣原理
等离子体除胶渣技术主要应用于PCB钻孔后和IC封装工艺中去除树脂残留。其原理是利用CF4和O2混合气体在射频作用下产生活性自由基，通过氧化和氟化作用分解有机物。CF4提供氟原子降低树脂活化能，O2促进氧化反应，两者协同作用显著提高除胶效率。该技术能有效清除钻孔产生的高温熔化树脂以及各类聚合物表面残留。
2025-12-26 10:41:13
239
原创 辉光放电与弧光放电的区别
辉光放电与弧光放电是两种不同的放电现象。辉光放电电流小（mA级）、电压高（几百伏），放电均匀稳定，等离子体温度较低，广泛应用于半导体工艺如RIE刻蚀、PECVD沉积等。弧光放电电流大（A级）、电压低，局部温度极高，具有破坏性，主要用于PVD涂层等。两者的核心区别在于：辉光放电暗淡均匀，电子来自二次发射；弧光放电刺眼集中，电子来自热发射。在半导体工艺中，弧光放电会造成污染和设备损伤，需极力避免。
2025-12-26 10:35:44
299
原创 为什么半导体清洗设备常用二流体喷嘴？什么是喷嘴？
摘要：二流体喷嘴是半导体湿法设备中的关键部件，通过混合药液与氮气实现喷雾效果，分为外部混合和内部混合两种类型。外部混合喷嘴在喷嘴外混合流体，形成细小均匀的雾化效果；内部混合喷嘴则在喷嘴内部混合，产生更小的液滴。相比单流体喷嘴，二流体喷嘴具有药液消耗少、机械冲击力强、液滴超细（微米级）等优点，特别适用于半导体清洗设备，能高效去除复杂结构中的污染物。
2025-12-24 09:50:34
187
原创 马兰戈尼干燥有什么优势吗？原理是什么？
马兰戈尼干燥是一种利用表面张力梯度实现干燥的技术，基于马兰戈尼效应（两种液体接触时表面张力差异引起的液体流动）。该技术将晶圆浸入水中，通过IPA蒸汽形成表面张力差使水分回流，实现无接触干燥。其优势包括无残留水印、避免空气接触，适用于wetbench设备，但设备成本较高。主要应用于晶圆制造等精密干燥领域。
2025-12-24 09:48:52
285
原创 有的单片清洗机里配有超声波，这是怎么实现的呢？
晶圆清洗机主要分为浸泡式和旋转喷雾式两类，分别适用于批量清洗和单片清洗。其中兆声波发生方式有三种：槽式振板（置于水槽底部）、喷淋式喷头（随水流喷射）和贴合式清洗头（靠近晶圆表面3mm内）。不同方式在声传输效率和适用场景上各有特点，可根据清洗需求选择合适的技术方案。（148字）
2025-12-24 09:38:55
410
原创 Cu-Cu混合键合主要用在哪方面？
Cu-Cu混合键合是一种先进的固态接合技术，主要用于CIS和3D NAND等芯片产品。其原理是通过高温使铜原子扩散形成牢固连接，避免了传统熔化工艺的"bridging"问题。该技术需经过晶圆表面处理、室温对位、100℃共价键形成及300-400℃铜扩散四个关键步骤。主要设备厂商包括EVG、SUSSMicroTech和TEL等。该技术的实施需克服晶圆平坦化、表面清洁度、对齐精度等工艺挑战。
2025-12-24 09:20:03
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