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RSS订阅原创 等离子体为什么会发光？
为了便于提高半导体制程能力，Tom组建了一些免费的半导体行业技术交流群，适合工艺，设备，厂务，投资，采购的相关朋友，技术交流，资源对接，大家有兴趣加入的可以加Tom微信，Tom统一拉进群。等离子体，英文名称plasma，是物质的第四态，其他三态有固态，液态，气态。知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：在PVD镀膜中，可以看到工艺腔室中发出各种颜色的光，请问原理是什么？1，电子：等离子体中通常包含大量自由电子，自由电子是等离子体的主要组成部分，能够引发气体的电离。
2025-04-10 16:27:50
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原创 Cu-Cu混合键合原理
传统的锡球倒装键合通常需要金属熔化又凝固的过程，但铜一铜混合键合采用固态接合，在高温下，铜金属的原子在固态下发生扩散，形成牢固的连接，避免了金属熔化带来的“bridging”问题，确保接合的可靠性。4，接下来，温度升高至300℃至400℃，由于铜的热膨胀系数大于SiO₂，铜的体积会剧烈膨胀，最终使两片晶圆上位置低于氧化硅的铜相互接触，并在高温下扩散进入对方，从而实现铜与铜之间的键合。3，接合后的晶圆在100℃下加热，形成了较强的共价键，共价键的形成使得氧化硅接合面之间的结合更加牢固。
2025-02-28 09:06:08
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原创 cmp工艺中的dishing（凹陷）与ersion（腐蚀）
Tom组建了免费的半导体行业技术交流群，适合工艺，设备，厂务，投资，采购的朋友，群内会将各类半导体行业信息汇总，利于大家学习，强烈建议加Tom微信，Tom统一拉进群。金属比介电层软，因此在CMP过程中，金属区域的去除速率通常比介电层快，导致金属表面出现凹陷。如上图，dishing是cmp后的介质层与Cu层最低点形成的凹坑。1，金属层变薄，导致导线的阻抗变化，从而影响电气性能，特别是在高频应用中，信号的传输质量可能会大幅下降。Erosion一般发生在较细的金属线周围，抛光液对金属线，介质层均有腐蚀。
2025-02-25 15:07:52
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原创 石英在半导体设备中的应用
Tom组建了免费的半导体行业技术交流群，适合工艺，设备，厂务，投资，采购的朋友，群内会将各类半导体行业信息汇总，利于大家学习，强烈建议加Tom微信，Tom统一拉进群。低端w(SiO2)≥99.9%(3N)，中端w(SiO2)≥99.99%(4N)，中高端w(SiO2)≥99.995%(4N5)，高端w(SiO2)≥99.998%(4N8)其中石英砂来源于三种途径：1，天然石英 2，水晶石 3，人造石英。石英矿==》石英砂==》石英的管，棒，碇==》石英件。1，石英炉管，是晶圆进行高温加热过程的区域。
2025-02-12 15:13:15
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原创 PECVD中影响薄膜应力的因素
Tom组建了免费的半导体行业技术交流群，适合工艺，设备，厂务，投资，采购的朋友，群内会将各类半导体行业信息汇总，利于大家学习，强烈建议加Tom微信，Tom统一拉进群。薄膜为例，我这边归纳了几点，当然不限于这些因素：温度，功率/压力，气体成分，频率，以及稀释气体He的含量。因此，薄膜工艺的调节，往往需要调到一个最佳值，任何工艺参数过大或过小，都会造成薄膜质量的不完美。如上图所示，随着低频率的电源输出的时间所占比例越来越大时，薄膜的应力逐渐从拉应力转变为压应力。以SiH4+NH3/N2生成SiNx薄膜，
2025-02-08 16:33:06
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原创 为什么采用多晶硅作为栅极材料？
Tom组建了免费的半导体行业技术交流群，适合工艺，设备，厂务，投资，采购的朋友，群内会将各类半导体行业信息汇总，利于大家学习，强烈建议加Tom微信，Tom统一拉进群。而高温退火过程中，多晶硅栅能够保持较好的稳定性，不易受到影响。多晶硅栅通过控制其掺杂物的种类和浓度，能够调节工作函数，从而精确控制阈值电压。2，可以作为离子注入的遮蔽层，实现多晶硅栅与源漏的自对准，这样就不会出现栅极和源漏套刻不对齐的问题。如上图，gate就是栅极，栅极由最开始的铝栅，到多晶硅栅，再到HKMG工艺中的金属栅极。
2025-02-08 16:23:28
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原创 HKMG工艺为什么要用金属栅极？
知识星球里的学员问：在HKMG工艺中，会用到HfO2等作为栅介质层，为什么不能再用多晶硅做栅极，而是改为金属栅极？
2024-10-03 10:42:30
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原创 薄膜凸起和开裂是同一种应力导致的吗？
知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：我们产线上薄膜出了质量问题，都一概归结为应力过大。
2024-10-03 10:06:58
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原创 为什么PSG不能用于晶体管间的隔离？
而在接触层可以用PSG，是因为在接触层工艺中，PSG可以有效填充小的孔洞和缝隙,形成更加平坦的表面，减少表面不均匀性。另一方面PSG中的磷可以有效缓解机械应力。在高温下，PSG中的磷会扩散到相邻的硅区域，特别是在高精度节点下，这种扩散会影响器件的阈值电压等关键参数。里的学员问：如下图，两个晶体管之间用的是USG隔离，而在接触层却用的是PSG进行电气隔离，这是为什么？USG，全名未掺杂硅酸盐玻璃。也就是说USG 不含任何掺杂元素。PSG，全名磷掺杂硅酸盐玻璃。在SiO2中掺杂了磷元素。
2024-10-03 09:57:25
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原创 哪些芯片封装需要基板，哪些不需要？
知识星球里的学员问：请问哪些芯片需要基板，哪些芯片不需要基板？基板有哪些种类？不同的基板适用于哪些种类的芯片？
2024-10-03 09:47:35
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原创 聊聊晶圆厂中的常见口语（4）
前三期的文章，我们总结了部分晶圆厂常见口语，见文章：《聊聊晶圆厂中的常见口语（1）》《聊聊晶圆厂中的常见口语（2）》《聊聊晶圆厂中的常见口语（3）》本次，我们又总结一些。1. MPW（Multi-Project Wafer）：多项目晶圆，将多个设计项目集成在一块晶圆上制造。2. process Flow：工艺流程，指整个制造过程中各工艺步骤的顺序。例句：我们需要优化一下process flow。3. TO（Tape Out）：设计完成后提交光罩制造，准备流片。例句：我们的芯片设计下周准备TO。4. Vend
2024-10-03 09:44:26
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原创 聊聊晶圆厂中的常见口语（1）
大多数晶圆厂的技术人员来源于外企，台企，这些企业多数情况下以英语为主，用的久了在交流时容易脱口而出，而用中文词汇不能很准确地表达相关意思。知识星球里的学员问：半导体公司的工程师总爱用一些英语代替中文，比如care,show，用这种简单的单词代替中文，能不能给我们总结工程师常用的英语单词，比较口语化的！应用场景：你去run这个recipe。应用场景：你care下这个参数设置==》你要注意这个参数设置。应用场景：Hold住这个工序，让工程师检查一下。应用场景：你可以设置下这个recipe。
2024-10-02 15:22:28
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1原创 为什么用硬掩模来代替光刻胶？
光刻胶是传统的遮挡材料，但是当线宽逐渐减小时，需要更薄的光刻胶，因为厚度过高，极易出现光刻胶塌陷问题，且光刻分辨率要大打折扣。但是，过薄的光刻胶又不足以阻挡长时间的等离子的攻击，因此需要换用既薄又"硬"的材料作为遮挡层。在刻蚀工序中，为了刻蚀出特定形状，需要在目标材料上设置遮挡层，遮挡层下面的目标材料是不被刻蚀的，没有遮挡层的部分是要被可是掉的。硬掩模，硬度高，化学惰性强，熔点高，刻蚀选择比高，很薄的厚度即可用于刻蚀较深的目标深度。2，在硬掩模层上涂覆一层光刻胶，曝光，显影等做出图形。
2024-10-02 14:29:26
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原创 TiN薄膜为什么可以作为抗反射层（ARC）？
知识星球（星球名：芯片制造与封测技术社区，星球号：63559049）里的学员问：氮化钛除了做阻挡层还有哪些作用？一般用什么方式沉积的呢？
2024-10-02 10:35:39
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空空如也
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