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RSS订阅原创 掺杂中供主与受主是怎样区分的？各有什么作用？
半导体掺杂是通过在纯硅中引入杂质原子改变其电学性质的技术。掺杂分为两种：供主元素（如磷、砷）提供电子形成N型硅，受主元素（如硼、镓）接受电子形成P型硅。载流子包括电子（负电）和空穴（正电）。通过P型和N型半导体的结合可形成具有整流特性的P-N结，这是半导体器件的基础。掺杂工艺主要采用扩散或离子注入方法实现。
2025-11-24 09:52:34
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原创 在芯片制造的正胶的曝光机理是什么？
光刻胶由感光剂、树脂、溶剂和添加剂组成。正胶曝光后，感光剂分解产生酸性物质，催化树脂脱保护生成可溶于碱性显影液的产物，使曝光部分被去除。未曝光部分因树脂未反应而保留。典型反应包括三苯基氯化硫鎓盐分解产酸，以及酸催化树脂脱保护基团（如Boc基团）生成可溶性物质。
2025-11-24 09:38:54
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原创 为什么只有在晶圆背面减薄时会使用griniding工艺？
晶圆背面减薄采用grinding工艺主要因其高去除速率和低成本优势，适合快速去除数百微米材料且对粗糙度要求不高。而芯片制程中使用CMP工艺，因其结合化学反应和机械研磨，能实现高平整度和低粗糙度，避免单纯机械磨削带来的缺陷和图形损伤。Grinding仅用机械力和超纯水，而CMP需研磨液进行化学反应和机械抛光。因此grinding适用于背面减薄，CMP则更适合芯片制造的精密加工需求。
2025-11-24 09:30:25
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原创 为什么光刻胶和氧化硅都可以做离子注入的掩模？
光刻胶和氧化硅均可作为离子注入掩模，各有优缺点。光刻胶工艺简单、易于去除，适合复杂图形，但不耐高温和高能离子。氧化硅热稳定性好，抗离子冲击能力强，但工艺较复杂。选择掩模需考虑厚度、图形分辨率、侧壁陡直度和去除难度等因素。光刻胶需具备良好抗离子轰击性和热稳定性，常见掩模材料主要为光刻胶和氧化硅两种。
2025-11-24 09:23:31
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原创 我们热氧化工艺用的是DCE+湿氧，请问DCE是什么物质，有什么作用？
摘要：DCE（反式1,2-二氯乙烯）是半导体热氧化工艺中的掺氯物质，用于在晶圆表面生成SiO₂层。热氧化工艺分为湿氧与干氧，用于制造绝缘层。掺氯作用包括：提高氧化速率10%-15%、固定可动离子（如Na+/K+）避免器件不稳定、中和界面电荷减少缺陷。相比其他掺氯物质（TCE/TCA），DCE更环保安全。
2025-11-22 09:43:53
303
原创 旋涂玻璃（SOG）可以用在芯片的平坦化中，原理是什么？和cmp有什么差别？
SOG（旋涂玻璃）是一种传统芯片平坦化技术，通过离心力将液态硅酸盐溶液均匀涂覆在晶圆表面，经软烘和高温固化形成玻璃层。其平坦化机理是利用溶液流动性和毛细作用填充表面凹陷，实现局部平坦化，与CMP的全局平坦化形成对比。SOG具有四大功能：1）作为多层金属互连间的绝缘层；2）实现间隙填充和局部平坦化；3）优化光刻曝光效果；4）通过掺杂调节材料性能。工艺过程包括旋涂、软烘去除溶剂和高温固化三个关键步骤。
2025-11-22 09:32:24
268
原创 薄膜的覆盖能力怎么改善呢？
摘要：薄膜的台阶覆盖能力指其在非平坦表面的沉积均匀性，受物理限制和材料迁移能力影响。改善方法包括：1）选择合适沉积方式（CVD优于PVD）；2）优化工艺参数（气压、温度、功率等）。通过DOE实验可找出最佳参数组合，提升复杂结构的薄膜覆盖效果。
2025-11-22 09:26:14
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原创 湿法工艺工程师职场就业相关面试问题有哪些？
摘要：文章分享了湿法工艺工程师面试常见问题，按难度分为四个层级：基础问题考察设备操作与工艺知识（如湿法工艺分类、设备操作流程）；中阶问题涉及工艺效果评估与化学原理；高阶问题关注前制程影响及项目经验；最高阶则考察团队管理能力。问题设计从技术实操到项目管理全面覆盖，旨在评估应聘者的专业深度与综合能力。
2025-11-22 09:12:55
291
原创 干法刻蚀中掩模的选择有什么讲究吗？
摘要：干法刻蚀中掩模选择的关键在于刻蚀选择比（Selectivity=d2/d1），即被刻蚀材料与掩模的刻蚀速率比。高选择比优势显著：1）允许使用更薄掩模，降低材料消耗；2）提升刻蚀精度，实现更精细图形控制；3）有效保护底层材料，减少刻蚀损伤。选择比越高，掩模损耗越小，对目标材料的刻蚀控制越精准。该参数直接影响刻蚀工艺的质量和效率。
2025-11-21 10:52:27
173
原创 接到了一个12寸晶圆厂EE的offer，想了解下设备工程师主要做什么？
设备工程师在晶圆厂主要负责设备全生命周期管理：前期参与选型评估和采购评审（但无决策权），规划设备布局；中期负责设备进场、安装调试和验收（强调验收需严格把关）；后期承担设备维护保养、故障抢修（需24小时待命）、备件管理和国产化导入等工作。工作强度大，需应对突发故障和绩效压力，尤其国产设备验收和维护挑战较多。
2025-11-21 10:04:22
416
原创 晶圆级封装的工艺流程
晶圆级封装（WLP）是直接在晶圆上完成的封装技术。其工艺流程包括：晶圆准备、薄膜沉积与光刻胶涂覆、铜电镀、光刻胶去除与薄膜蚀刻、介电层涂覆、锡球安装等步骤。与传统封装不同，WLP在整个晶圆上完成封装后再切割，采用半导体制造工艺，具有更高集成度和更小尺寸优势。
2025-11-20 09:53:02
405
原创 等离子刻蚀机台的频率的大小的不同会对造成什么影响？
等离子刻蚀机台的频率选择直接影响工艺效果。13.56MHz是半导体设备最常用频率，2.45GHz等不同频率会显著影响离子能量和密度：高频(如2.45GHz)产生低能量高密度等离子体，低频(如40-100KHz)则形成高能量低密度等离子体。射频电源在PECVD、干法刻蚀等设备中承担激发等离子体和调控刻蚀方向的关键作用。频率选择需根据具体工艺要求权衡离子能量与密度，13.56MHz因其平衡性成为行业标准频率。
2025-11-20 09:32:32
159
原创 想问下腐蚀前的坚膜是为了增加胶的附着性”，这一步是什么作用
光刻工艺中烘烤分为三步：软烘烤去除溶剂、曝光后烘烤提升分辨率、硬烘烤（坚膜）增强附着力。所谓"打胶"是指显影后的等离子处理（Ashing/Descum），通过氧等离子体去除残留胶层和异物，同时改善光刻胶形貌。光刻胶由树脂、光引发剂、溶剂和添加剂组成，烘烤过程主要去除溶剂并固化胶层。硬烘烤温度需严格控制，过高会导致图形变形。
2025-11-20 09:28:55
210
原创 入职之后选择在刻蚀和沉积选一个，选择哪个工艺方向发展前景更广阔？
摘要：半导体设备厂商工艺工程师在选择工艺方向时，建议优先考虑干法刻蚀方向。虽然沉积（PVD/CVD）和刻蚀在半导体制造中同等重要，但刻蚀工艺更具行业专属性（主要用于半导体和面板行业），人才稀缺性更高，薪资水平更好。相比之下，沉积工艺应用领域较广（如光学、电池等），从业人数多，可替代性较强。从职业发展角度看，刻蚀方向能提供更好的专业壁垒和发展前景。
2025-11-19 09:49:11
364
原创 远程等离子体源（RPS）是什么？有什么优势？
摘要：远程等离子体源（RPS）是高端刻蚀/清洗设备的关键部件，通过射频/微波在独立区域激发气体形成等离子体，经传输通道滤除高能离子后，仅保留活性粒子进入主工艺腔。其核心优势包括：避免材料物理损伤（离子过滤）、高工艺选择性（精准控制活性粒子）以及优异的均匀性（气体挡板调节分布）。典型应用见于Applied Materials和Lam Research等设备，适用于精密半导体制造中的刻蚀与清洗工艺。
2025-11-19 09:38:00
174
原创 经常听到先进封装这个名词，那么先进封装包含哪些类型的封装呢？
本文介绍了先进封装与传统封装的区别及其常见类型。传统封装工艺简单、成本低，主要形式包括DIP、QFP等。先进封装具有高集成度、多元工艺和更优的电气性能等特点，常见类型有倒装芯片、系统级封装、2.5D/3DIC封装、WLP和POP等。这些技术通过芯片堆叠和垂直互连等方式，显著提升了封装性能和集成度。
2025-11-19 09:32:11
195
原创 刻蚀金属除了氯气还可以使用什么气体？
摘要：刻蚀金属气体主要分为氯基（Cl2、BCl3等）和氟基（SF6、CF4等）两大类，氯基气体因强氧化性和生成挥发性金属氯化物而常用于金属刻蚀。当无氯气时，可采用替代配方：Al用HBr/BCl3+Ar或CCl4+Ar，Au用CF4+Ar，Cr用SF6+O2+Ar。所有刻蚀气体均需安全防护，氯基气体剧毒，氟基气体低毒。实际生产中配方选择更为多样。（144字）
2025-11-19 09:25:50
195
原创 我现在从事的是封测厂的pe，后续我有机会去design house的qe，推荐是做qe吗？
摘要：针对封测厂PE转芯片设计公司QE的跳槽问题，分析指出：1）薪资方面，封测行业跳槽设计公司通常应有20%-50%涨幅，底薪不涨不合理；2）职业发展上，QE岗位主要处理客诉和写报告，对设计制造知识学习有限，不如PE/PIE岗位前景好。建议谨慎考虑薪资未涨的跳槽，除非能获得更核心的技术岗位。芯片行业跳槽应注重薪资增长和职业前景，频繁跳槽还需注意企业忠诚度问题。
2025-11-19 09:18:55
330
原创 EUV光刻的三大难题
摘要：EUV光刻面临三大关键技术难题，即"EUV三难问题"：灵敏度、分辨率和线边缘粗糙度（LER）的平衡。灵敏度决定曝光效率，分辨率关乎最小特征尺寸，LER影响图形边缘质量。这三者相互制约：提高灵敏度会加剧随机性噪声并降低分辨率；追求更高分辨率会降低灵敏度；改善LER又会导致灵敏度下降。在<10nm节点下，光子数量少、分子尺度小使这一问题更为突出，直接影响芯片良率和生产效率。如何在这三项指标间取得最优平衡，是推进EUV光刻技术的关键挑战。
2025-11-18 09:46:35
256
原创 EUV光刻胶的曝光机理解析
EUV光刻胶是专用于13.5nm极紫外光刻的感光材料，其工作原理与传统DUV光刻胶存在本质差异。当EUV光子（92eV）照射时，会引发分子电离、电子扩散和分子结构重组，最终形成纳米级图案。为提升性能，EUV光刻胶通常掺入金属元素（Sn、Zr等）以增强吸收率，降低对光源功率需求，并提高抗刻蚀能力。这种基于电子诱导反应的新型光刻胶体系，克服了传统有机材料在极紫外波段的吸收不足问题。
2025-11-18 09:43:12
317
原创 Taiko晶圆是如何去环的？
摘要：Taiko晶圆的边缘圆环（3mm宽，厚度几百微米）与中心薄区（几十微米）形成明显台阶，影响电性测试和切割。激光切割是主流去环方法，通过高能激光熔化硅材并辅以气体排屑。但该工艺存在金属熔化粘附、圆环取出破损、切割不完全导致裂片及毛刺等问题，需严格控制切割参数以避免缺陷。
2025-11-18 09:34:04
156
原创 晶圆电镀方式有哪些？
晶圆电镀主要有四种方式：1）恒流电镀（电流恒定，电压自动调节，工艺简单但易产生空洞）；2）恒压电镀（电压恒定，初期高电流后期平稳，适合平整镀层但深孔填充差）；3）分步电镀（小电流转大电流两阶段沉积，适合高深宽比孔但参数复杂）；4）脉冲电镀（正反电流交替，改善填充但工艺难度大）。四种方式各有特点，需根据具体工艺需求选择，恒流电镀最常用，脉冲电镀适合高性能填充。
2025-11-18 09:16:54
636
原创 我是现在在晶圆厂做工艺工程师，不想以后也这样，但是也不知道该往哪方面发展，又什么好的建议？
晶圆厂工艺工程师常面临职业发展困境：岗位过度细化导致知识面狭窄、工作重复单调、晋升空间有限以及信息闭塞等问题。建议采取主动学习、加强行业交流、制定清晰职业规划等措施。可以通过学习新技术、参与行业会议、与同事及供应商交流来拓宽视野。若当前平台发展受限，可考虑跳槽至更具前景的岗位，但应保持行业连续性，避免盲目转行。这些方法能帮助工程师摆脱职业瓶颈，实现更好的职业发展。
2025-11-17 10:44:41
458
原创 SMD封装电镀盖板和化学镀盖板哪种耐盐雾性能更好一些？
本文探讨了SMD封装中电镀与化学镀盖板的耐盐雾性能差异。耐盐雾测试是通过模拟海洋气候评估材料抗腐蚀能力的加速试验方法。分析表明，化学镀的耐腐蚀性优于电镀，主要原因有二：一是化学镀形成的镀层更致密、孔隙率低，能更好阻挡腐蚀物质渗透；二是化学镍镀层含有磷元素，形成的Ni-P合金比电镀镍层具有更优异的耐腐蚀性能。这些特性使化学镀盖板在盐雾环境中表现更出色。
2025-11-17 10:31:23
122
原创 酸性抛光液抛光后有颗粒残留，请问是什么原因造成的？
摘要：碳化硅(SiC)抛光后颗粒残留主要由磨料和其他副产物嵌入或结合到表面所致。解决方法包括：1)使用PVA刷结合超声波清洗，辅以化学药剂；2)降低抛光压力和速度；3)更换抛光垫和抛光液。SiC具有高硬度、耐腐蚀、宽禁带等优异性能，但存在刻蚀困难、成本高等缺点。
2025-11-17 10:19:42
373
原创 晶圆厂中有dummy wafer，test wafer，真片的叫法，这几种片子各自有什么作用吗？
晶圆厂使用的晶圆主要分为三类：dummy wafer（假片）、test wafer（测试片）和量产晶圆。假片用于设备调试和新工艺测试，成本低且无图形；测试片具有完整工艺，用于新产品导入和工艺优化；量产晶圆则严格质量控制，确保客户出货。这种分类基于成本与重要性考量，避免对高价值的量产晶圆造成浪费，同时保证工艺安全性和生产效率。三类晶圆各司其职，共同保障半导体制造流程的稳定运行。
2025-11-17 10:12:39
413
原创 在日常工作中发现，干法刻蚀之后的光刻胶比较难除，这是什么原因？
干法刻蚀后光刻胶难去除的主要原因有三：1）等离子体中的自由基引发分子链交联，形成三维网络结构；2）表面碳化形成致密保护层；3）刻蚀副产物沉积覆盖光刻胶。其中等离子体环境会促使光刻胶发生交联反应，同时高温也会加剧这一过程。在含氧/氟等离子体中，光刻胶表面会形成坚硬碳化层，阻碍后续去除。此外，金属氧化物等副产物的沉积也会对下层光刻胶产生保护作用。
2025-11-14 09:41:27
178
原创 请问CMOS工艺中ILD/PMD/IMD的区别是什么？一般用的什么介质材料？
CMOS工艺中介质层的区别与材料应用 摘要：在CMOS制造工艺中，ILD（Inter-Layer Dielectric）、IMD（Inter-Metal Dielectric）和PMD（Pre-Metal Dielectric）是三种关键介质层。ILD隔离不同金属层，IMD隔离同层金属互连线，PMD则位于首层金属前隔离晶体管元件。这些介质层需采用低介电常数（k值）材料以减少寄生电容，常用材料包括SiO₂（k=4.0-4.5）、FSG（k=3.2-3.6）、HSQ（k=2.8-3.0）等，不同k值材料根据具体
2025-11-14 09:30:18
383
原创 为什么不同晶圆厂的锡球的尺寸大小和制作的方法大不相同？
锡球在芯片封装中主要承担电气连接、机械支撑和热传导三大功能。随着技术发展，锡球尺寸不断缩小：从传统的SnPb合金锡球（75-200μm）到无铅SnAg锡球（75-150μm），再到铜柱+无铅帽结构（50-100μm），直至微铜柱技术（10-30μm）。小型化趋势源于芯片高密度互连需求，微铜柱技术还能提升散热性能。制作方法包括丝网印刷、激光植球和电镀等工艺。不同封装厂采用不同尺寸和工艺，主要取决于具体技术路线和产品要求。
2025-11-14 09:26:39
310
原创 在晶圆级封装中的铜柱凸块形成工艺流程是怎样的？
晶圆级铜柱凸块封装工艺包含七个关键步骤：1）沉积并图案化种子层；2）电镀形成铜柱；3）电镀镍阻挡层；4）电镀焊锡层；5）去除光刻胶；6）刻蚀多余种子层；7）回流形成锡球。该工艺通过电镀铜柱、镍阻挡层和焊锡层，最终形成可靠的焊接凸点，确保芯片封装性能。
2025-11-14 09:18:21
205
原创 SOI wafer一般有几种制备方法？
摘要：SOI晶圆主要制备方法包括SIMOX、Smartcut、ELTRAN和BESOI。Smartcut法的关键步骤为：(1)硅片氧化层沉积；(2)氢离子注入形成分离层；(3)晶圆键合；(4)高温退火分离；(5)CMP抛光；(6)退火处理提高稳定性。该方法可循环利用硅片，制得高性能SOI衬底。
2025-11-13 10:06:54
412
原创 目前我从事芯片制造3年操作工33岁，想在这个行业发展，应该往那个方向，需要学什么专业知识？
33岁芯片制造操作工的职业发展建议：面临年龄瓶颈（35岁红线）、学历短板（中专）和岗位可替代性三大挑战，建议走"操作员→技术员→工程师"路径。核心需提升学历至大专，重点补充所在工序的理论知识，培养问题分析能力。优势在于丰富的一线操作经验，但需结合理论知识实现身份转型。短期内应专注本工序学习，避免贪多求全，通过"实操+理论"组合突破职业天花板。
2025-11-13 09:59:01
165
原创 蒸镀镍铬合金时发生金属源炸锅可能是什么原因？
摘要：镍铬合金蒸镀过程中出现"炸锅"现象（坩埚爆裂）的主要原因是：1）加热速率过快导致材料受热不均；2）合金含杂质引发高温挥发；3）坩埚材质不当或未清洁；4）真空度不足使残余气体膨胀。镍铬合金具有高熔点（＞1400℃）、耐腐蚀、高温稳定性好、电阻率大和高硬度等特性。炸锅会损坏设备并影响镀膜质量。
2025-11-13 09:28:26
153
原创 一般W在镀膜前会长两层film，Ti 和TiN分别是什么作用呢？
钛(Ti)作为粘附层可改善材料基底结合力，而氮化钛(TiN)硬度高、熔点高，用作阻挡层。两者热膨胀系数相近，但TiN与基底粘附性较差。直接沉积TiN会导致钨层附着力不足并产生较大界面应力，因此需要先沉积Ti层作为缓冲，既增强粘附性又降低应力影响，这是必须分步沉积两层薄膜的原因。
2025-11-13 09:25:18
200
原创 什么是CoWoS？
CoWoS是一种先进的3D-IC封装技术，通过将多个裸片集成在TSV转换板上，再连接到基板实现高密度系统级封装。其工艺流程主要包括：硅基板钝化处理、TSV转换板形成、临时键合与减薄、芯片倒装焊接等步骤，最终完成组装测试。该技术可实现高性能芯片的垂直互联，满足现代半导体集成需求。
2025-11-12 09:41:44
270
原创 什么是晶圆键合胶？
摘要：晶圆键合胶是用于晶圆粘接的胶黏材料，键合过程包括清洁、对准、加压加热等步骤。解键合可采用热解、化学溶解、机械剥离或激光解键合四种方式，其中激光解键合因效率高在12寸先进封装厂应用较广。详细内容可查看知识星球“芯片制造与封测技术社区”（星球号：63559049）的直播回放。（150字）
2025-11-12 09:38:17
265
原创 TGV的散热问题
TGV技术因玻璃基板极低的热导率(~1-1.4 W/m·K)相比硅(~150 W/m·K)存在严重散热问题。热量只能通过稀疏的金属通孔传导，玻璃区域形成热绝缘岛，导致芯片局部高温。目前解决方案包括：1）在芯片上方设置金属散热结构，通过高导热材料快速传热；2）在封装PCB中增加散热孔。这些问题限制了TGV在高功率封装中的应用。
2025-11-12 09:14:39
326
原创 TGV孔型比较
TGV孔型主要分为单锥型孔和双锥形孔两种。单锥孔采用单面激光加工，呈上大下小的V形结构，适用于厚度＜200μm的玻璃；双锥孔通过双面激光加工形成沙漏形，适合厚度＞300μm的材料，但对准精度要求高。两种孔型均需结合湿法蚀刻工艺完成，单锥孔加工简单易控制，双锥孔应力更小但填充金属难度较大。激光打孔速率可达4000-5000个/秒。
2025-11-12 09:02:04
140
原创 芯片是如何分类的，以及与一代、二代、三代、四代的对应关系？
摘要：半导体材料按代际划分为四类：第一代以硅(Si)和锗(Ge)为主，锗因热稳定性差被硅取代；第二代砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)具有高电子迁移率，适用于光电子器件；第三代碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)具有宽禁带特性，适用于高温高功率场景；第四代氧化镓(Ga2O3)等超宽禁带材料性能优越，但制备工艺尚不成熟。
2025-11-11 09:55:15
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原创 做了三年WET工艺，现在有机会转trim工艺，应该转吗？前景怎么样？
从湿法工艺转Trim工艺是明智选择。湿法工艺(清洗、刻蚀、电镀)技术门槛相对较低，薪资和发展受限。而Trim工艺(离子束修整)应用于高端领域如滤波器、MEMS等，技术含量高、从业者少、薪资优厚。虽然湿法工艺是半导体制造基础环节，但Trim工艺更具发展前景。建议把握机会转型，实现干湿法技术结合，拓宽职业发展空间。（149字）
2025-11-11 09:49:36
322
空空如也
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