10、内存电路与系统详解

内存电路与系统详解

1. 内存类型概述

在计算机系统中,根据读写速度、容量和数据持久性,系统内存和外设缓冲区可分为以下三种类型:
- 静态随机存取存储器(SRAM) :速度最快,但存储单元尺寸较大,限制了其在多种应用中的使用。常用于存储小的临时数据,通常连接到系统中的高速并行总线。
- 动态随机存取存储器(DRAM) :容量比SRAM大很多个数量级,但速度较慢。适用于存储大量数据且对速度要求不高的场景。典型的DRAM单元比SRAM单元小得多,功耗也显著降低。不过,其主要缺点是数据读写延迟高,内存控制和数据管理复杂。
- 电可擦可编程只读存储器(E2PROM)或闪存(Flash) :数据存储在双栅极金属 - 氧化物 - 半导体(MOS)晶体管的浮栅中,即使系统电源关闭也能保留数据。但与其他内存类型相比速度最慢,且读写周期次数有限。最适合用于存储内置操作系统(BIOS)的永久数据,特别是在功耗至关重要的手持设备中。

内存类型 读写速度 容量 数据持久性 适用场景
SRAM 临时 存储小临时数据
DRAM
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