这篇集合涵盖了半导体领域的多个关键主题，包括硅氮化物蚀刻、硅蚀刻机理、光子集成技术（如磷化膜和磷化铟）、微系统加工挑战、光学电子扩散、等离子体处理、超薄硅片键合、薄膜材料制备、EUV光刻技术以及光子集成电路的未来发展。文章深入讨论了这些工艺对半导体器件性能的影响，如表面粗糙度和薄氧化物特性，并探讨了相关技术面临的难题和解决方案。
一：《硅氮化物蚀刻》
二：《硅蚀刻的机理》
三：《硅上磷化膜的光子集成》
四：《磷化铟光子集成电路技术》
五：《磷化铟微系统加工的挑战》
六：《砷化镓中光学电子的扩散》
七：《先进的等离子体处理》
八：《超薄硅片键合》
九：《CVD制备的ZnO薄膜光学研究》
十：《EUV光刻技术》
十一：《InP的光子集成的过去、现在和未来》
十二：《半导体材料薄膜的生产工艺》
十三：《砷化镓纳米线的合成及光学性质》
十四：《砷化镓功率异质结双极晶体管》
十五：《CVD中分子到材料转化的早期步骤》
十六：《MEMS制造应用的晶圆级气密封装》
十七：《薄栅氧化膜的单晶片热壁快速热处理》
十八：《单晶片材料去除和表面生成的研究》
十九：《硅片清洗条件下薄氧化物特性的研究》
二十：《硅片表面粗糙度对半导体器件特性的影响》
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