《炬丰科技-半导体工艺》半导体集成电路技术概论

最新推荐文章于 2024-05-24 13:08:26 发布
最新推荐文章于 2024-05-24 13:08:26 发布
阅读量242 收藏
点赞数
CC 4.0 BY-SA版权
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.youkuaiyun.com/hlkn2020/article/details/119561644
《炬丰科技-半导体工艺》介绍了集成电路这一复杂装置，由硅片和封装组成。文章聚焦于‘前端’和‘后端’制造过程，以MOS技术的晶体管为例。制造阶段包括精密的晶圆制造和封装老化，伴随着晶圆探测和最终测试。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：半导体集成电路技术概论

编号：JFKJ-21-203

作者：炬丰科技

介绍  

  集成电路是一种小而复杂的装置，实现多种电子功能。它由两个主要部分组成:一个微小且非常脆弱的硅片和一个封装<

最低0.47元/天 解锁文章

200万优质内容无限畅学
hlkn2020
关注
半导体测试概论笔记——第二章半导体测试基本概念
qq_62434464的博客
09-12 3587
半导体测试概论自学笔记
《炬丰科技-半导体工艺》硅片湿法清洗技术
jfkj2021的博客
01-12 629
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：硅片湿法清洗技术 编号：JFHL-21-1063 作者：炬丰科技 引言 以DRAM及CPU为代表的超大规模集成电路硅半导体器件，近年来成为个人电脑热潮的导火索，预计今后器件的需求也会扩大。 那么，该硅半导体器件的基板材料几乎都是通过直拉法(CZ)法培育的单晶硅。 通过对单晶硅锭进行切割、研磨、蚀刻、镜面抛光以及湿法清洗工序，制作出厚度为700-800μm的镜面晶圆。 随着半导体器件的微细化及高性能化，晶圆表面的高品质化被进一步要求。晶圆表面质量有粒子、金属杂质、有机物、
半导体测试概论.pdf
05-24
半导体测试基础概念解释。有利于对半导体集成电路测试有较全面的理解。适合广大半导体从业者和感兴趣的研究者
半导体测试概论笔记——第一章电子学的基本概念
qq_62434464的博客
09-12 949
TTL 执行速度快，但消耗能量較高，不过是固定的能量消耗。较高的工作频率，会有較多的能量消耗。6.D触发器：在时钟上升沿检测输入信号，若输入信号为0，输出信号则为0...集成电路在设计上，有两种被广泛使用的技术TTL和CMOS,V=E/Q (E:电能 Q:电荷量）电压：两点之间的电位差，单位电荷消耗或吸收的能量。R=ρL/A(电阻系数*两截面间的距离/截面积）电阻：阻止电流在物体中流动的计量，与温度有关。测量电阻的两种方法：VFIM(电流：单位时间流经的电荷量。第三节：基本数位逻辑门。
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集一
hlkn2020的博客
08-12 743
一：《背金腐蚀工艺》 二：《wet clean技术》 三：《Lift off工艺》 四：《湿法刻蚀要点》 五：《沟槽刻蚀工艺》 六：《电化学蚀刻重心》 七：《多孔硅层湿法腐蚀要领》 八：《刻蚀清洗原理操作》 九：《CMP后清洗技术的研究》 十：《单晶片清洗技术》 十一：《多晶硅刻蚀特性的研究》 十二：《B---clean湿法清洗工艺》 十三：《晶片的清洗液及清洗方法》 十四：《光学滤光片镀膜前清洗技术》 十五：《ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究》 十六：《石英玻璃性能及湿法刻.
《炬丰科技-半导体工艺》半导体集成电路的可靠性设计
hlkn2020的博客
09-26 455
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：半导体集成电路的可靠性设计 编号：JFKJ-21-704 作者：炬丰科技 摘要 基于高度集成半导体电路的产品开发面临各种挑战。为了确保电路的功能，每个设备的电气参数必须在特定的窗口中。这个窗口受到竞争机制的限制，如工艺变化和器件退化。负偏置温度不稳定性(NBTI)或热载流子注入(HCI)等退化机制会导致操作过程中的参数漂移，进而增加工艺变化。 在先进技术下，金属氧化物半导体场效应晶体管的实际寿命和产品寿命要求之间的安全裕度降低。确保产品寿命的任务...
《炬丰科技-半导体工艺》 玻璃晶圆湿法刻蚀工艺
jfkj2021的博客
12-31 1173
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：玻璃晶圆湿法刻蚀工艺 编号：JFKJ-21-1239 作者：华林科纳 引言 本文的目的是寻找改进玻璃蚀刻剂的湿式蚀刻技术的方法，分析了玻璃湿蚀工艺的基本要素。为此，提出了一种改进的玻璃深湿蚀刻技术。用Cr/Au和光刻胶掩模蚀刻了一个500µm厚的Pyrex玻璃晶片，据我们所知，这是所报道的最佳结果。对于改进的表面，建立了高温和苏石灰玻璃的最佳溶液HF/HCl（10：1）。本文将重点研究玻璃的湿蚀刻过程，重点研究最常用的玻璃玻璃之一。 实验 玻璃蚀刻技术 玻璃蚀刻主要有三
ic半导体测试基础(中文版)借鉴.pdf
12-10
ic半导体测试基础(中文版)借鉴.pdf
半导体测试基础.pdf
05-12
半导体测试基础.pdf
数字半导体测试基础
03-31
数字半导体测试基础，这个手册时关于芯片编程的辅助，只有基于内部原理才能编出更好的应用程序，体会IC的世界对今后的其他编程有所助益
半导体测试各种项目简介
11-09
目录：www.2ic.cn#O/t'N:I6X 1， 测量可重复性和可复制性(GR&R) 2， 电气测试可信度（Electrical Test Confidence） 3， 电气测试的限值空间（Guardband）:r1S/K4S%A7D)~!r 4， 电气测试参数 CPK半导体,芯片,集成电路,设计,版图,晶圆,制造,工艺,制程,封装,测试,wafer,chip,ic,design,eda,fabrication,process,layout,package,test,FA,RA,QA,photo,etch,implant,diffustion,lithography,fab,fabless9a!o3u%A/Z6]5o4C 5， 电气测试良品率模型（test yield) 6， 晶圆测试和老化(Waferlevel Test and burn-in) 7， Boundary-Scan 测试 / JTAG 标准www.2ic.cn!^8P$z.?7{#I8v$}+j9j 8， 自我测试电路（Built-in Self Test)半导体技术天地5w+J1?0n6|%^#x 9， 自动测试图形向量生成（ATPG）
半导体元件基础知识概述.pdf
09-13
半导体元件基础知识概述pdf,本文主要介绍了半导体元件基础知识.
半导体测试基础 - 基本概念
最新发布
qq_35654286的博客
05-24 5877
随着芯片集成度越来越高，手动测试已无法满足需求，因此要用到自动化测试设备（ATE，Automated Test Equipment）。因为现在的芯片原来越复杂，普通的 Bench 测试没法满足需求。ATE 可检测集成电路功能之完整性，是集成电路生产制造最终的流程，确保产品质量。芯片测试算是半导体产业链上游里面最末端的一个组成部分。受测试的器件主要分几类：储器、数字电路、模拟电路和混合信号电路。
《炬丰科技-半导体工艺》用于半导体的RCA清洁技术
jfkj2021的博客
01-06 667
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：用于半导体的RCA清洁技术 编号：JFKJ-21-1073 引言 RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术，由于其高可靠性，30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先，用过氧化氢氧化硅晶片的表面，用作为碱的氨蚀刻氧化硅，并通过剥离去除各种颗粒。此外，如图1所示，在pH 10.5附近的S
《炬丰科技-半导体工艺》植入后刻蚀率的调整：硅、多晶硅和氧化物
hlkn2020的博客
10-15 564
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：植入后刻蚀率的调整：硅、多晶硅和氧化物 编号：JFKJ-21-609 作者：炬丰科技 摘要 离子注入是半导体掺杂的常用方法，但也可以在局部改变硅和二氧化硅的蚀刻速率。事实上，当在蒸汽高频中蚀刻时，离子注入引起的损伤可以使二氧化硅的蚀刻率增加200倍。n型或p型的掺杂种类显著增加了HNA中硅的蚀刻速率。取代硼植入硅可以将硅的蚀刻率降低200倍。离子注入对蚀刻速率的修改对于制备埋藏掩模、牺牲层和蚀刻停止层具有重要意义。 介绍 离子植入在半导体处理中的主
《炬丰科技-半导体工艺》3D集成技术：现状及应用发展
hlkn2020的博客
09-30 555
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：3D集成技术：现状及应用发展 编号：JFKJ-21-748 作者：炬丰科技 摘要 正如ITRS路线图所预测的那样，仅靠缩小晶体管栅极尺寸主导的半导体产业发展将无法克服未来集成电路制造的性能和成本问题。如今，基于硅通孔(TSV)的三维集成是一种公认的方法，可以克服性能瓶颈，同时缩小尺寸。已经演示了几种全3D工艺流程，但是市场上仍然没有基于3D TSV技术的微电子产品——除了互补金属氧化物半导体图像传感器。没有TSVs的存储器和逻辑器件的3D芯片堆
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值