《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集一

最新推荐文章于 2024-07-25 15:37:13 发布

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该技术资料合集详细介绍了半导体工艺中的多种关键步骤，包括背金腐蚀、湿法清洁、Lift off、湿法刻蚀、沟槽刻蚀、电化学蚀刻、多孔硅层腐蚀、刻蚀清洗、CMP后清洗、单晶片清洗、多晶硅刻蚀特性等。深入探讨了各类工艺的原理、操作要领和实际应用，涵盖了从基础到专业的半导体制造技术。

一：《背金腐蚀工艺》

二：《wet clean技术》

三：《Lift off工艺》

四：《湿法刻蚀要点》

五：

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《炬丰科技-半导体工艺》硅片湿法清洗技术

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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：单片湿法刻蚀编号：JFKJ-21-435 作者：炬丰科技摘要绝缘体上硅（SOI）晶片是目前非常重要的材料，它是通过使用两个硅晶片的晶片键合技术制备的。该生产过程需要在硅晶片表面形成的二氧化硅薄膜非常干净和平坦。为了有效提高氧化后二氧化硅膜厚的均匀性，单片湿法刻蚀法是一种有用的技术。其进一步推进应得到理论计算的支持。结论氟化氢水溶液在旋转的 200 毫米直径硅晶片上对二氧化硅膜的蚀刻速率通过计算流体动力学计算朗缪尔型表面化学反应。反应过程包括三个步

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