一:《半导体硅淀积和刻蚀》
二:《硅片制备中的热工设备介绍》
三:《直拉单晶硅工艺技术》
四:《6英寸重掺砷硅单晶及抛光片》
五:《300mm硅单晶及抛光片标准》
六:《化学机械抛光技术的研究进展》
七:《半导体单晶抛光片清洗工艺分析》
八:《硅片的表面起伏问题与解决方案》
九:《半导体制造工艺中的化学原理》
十:《半导体CMP和蚀刻流程》
十一:《硅抛光片CMP市场和技术现状》
十二:《化学机械抛光液行业研究》
十三:《直径12英寸硅单晶抛光片》
十四:《半导体IC清洗技术》
十五:《化学机械抛光技术及SiO2抛光浆料研究进展》
十六:《半导体IMEC清洗工艺》
十七:《硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理》
十八:《化学机械抛光CMP技术存在的问题》
十九:《双极型集成电路和MOS集成电路优缺点》
二十:《表面活性剂在半导体硅材料加工技术中的应用》
本文涵盖了半导体硅片的淀积、刻蚀、直拉单晶硅工艺,重点讨论了6英寸和300mm硅单晶抛光片的标准与技术。化学机械抛光(CMP)作为关键步骤,其研究进展、清洗工艺和市场现状被深入剖析,同时探讨了硅片表面起伏的解决方案和清洗技术。此外,文章还涉及半导体制造中的化学原理和CMP流程,以及IMEC清洗工艺和硅片腐蚀抛光的化学原理。
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