本文涵盖了半导体制造中多个关键步骤，包括单晶片清洗、旋转清洗、湿法刻蚀、等离子体微纳米制造、蚀刻清洗、晶圆缺陷检测、背面清洁、超音速颗粒去除、光刻胶剥离及附着力研究、高效清洁工艺、接触孔和沟槽的双重构图策略、CMP材料去除率、防止生物膜形成、超声清洗、晶圆干燥性能评估、栅氧化物制备挑战、氧气控制、光刻胶湿剥离以及硅加工清洁。这些内容揭示了半导体行业中精密清洗和加工的重要性。
一：《单晶片清洗中的时间影响》
二：《旋转清洗工艺》
三：《单片湿法刻蚀》
四：《等离子体的微纳米制造》
五：《电化学行为后的蚀刻清洗》
六：《2021年电子半导体白皮书》
七：《多通道晶圆缺陷检测方法》
八：《晶圆背面高效清洁工艺》
九：《晶片中去除超音速颗粒》
十：《光刻胶剥离方法》
十一：《光刻胶的湿剥离工艺》
十二：《硅加工的高效清洁》
十三：《光刻中接触孔和沟槽的双重构图策略》
十四：《硅片CMP中材料去除率的化学影响》
十五：《防止种植体表面生物膜形成的表面涂层策略》
十六：《高频超声清洗半导体晶片的方法》
十七：《单片晶圆清洗工具干燥性能评估》
十八：《氮化栅氧化物的表面制备挑战》
十九：《单晶片湿法清洁工艺的氧气控制》
二十：《单晶圆工具湿蚀刻时的光刻胶附着力》
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