《炬丰科技-半导体工艺》臭氧清洗的半导体表面

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：臭氧清洗的半导体表面

编号：JFKJ-21-421

作者：炬丰科技

摘要

  本报告中回顾的紫外线 (UV)/臭氧表面清洁方法是从半导体（以及许多其他）表面去除各种污染物的有效方法。这是一种简单易用的干式工艺，设置和操作成本低廉。它可以在环境温度下在空气或真空系统中快速产生清洁的表面 结合干法去除无机污染物，该方法可能满足未来几代人需要的全干法清洁方法的要求半导体器件。将经过适当预清洁的表面放置在距离产生臭氧的紫外线源几毫米的范围内，可以在不到一分钟的时间内产生干净的表面。该技术可以产生接近原子级清洁的表面，俄歇电子能谱、ESCA、和 ISS/SIMS 研究。讨论的主题包括过程变量、成功清洁的表面类型、可以去除的污染物、紫外线/臭氧清洁设施的建造、过程机制、真空系统中的紫外线/臭氧清洁、速率提高技术、安全考虑、除清洁外的紫外线/臭氧影响以及应用。

 介绍

  紫外线 (UV) 光分解有机分子的能力早已为人所知，但直到 1970 年代中期才开始探索表面的紫外线清洁 (1-6)。自 1976 年以来，紫外线/臭氧清洁方法的使用稳步增长。紫外线/臭氧清洁剂现在可以从几个制造商处购买。