《炬丰科技-半导体工艺》CMP在半导体制造中的作用

最新推荐文章于 2021-11-30 11:30:45 发布
原创 最新推荐文章于 2021-11-30 11:30:45 发布 · 334 阅读 · 0 ·
CC 4.0 BY-SA版权
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。

随着电子工业的迅速发展，半导体工艺愈发重要。CMP（化学机械平坦化）作为半导体制造中的关键技术，对于集成电路的微型化和性能提升起着至关重要的作用。CMP过程通过平滑硅片表面，确保芯片上的组件一致性，从而实现更高效的MOS存储芯片制造。

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：CMP在半导体制造中的作用

编号：JFKJ-21-284

作者：炬丰科技

介绍  

1.1一般背景  

  电子工业在过去三十年里发展迅速。集成电路或更多的设备在一个芯片上，现在可以在上面制造半导体基板或晶圆

最低0.47元/天 解锁文章
hlkn2020
关注
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集一
hlkn2020的博客
08-12 790
一：《背金腐蚀工艺》 二：《wet clean技术》 三：《Lift off工艺》 四：《湿法刻蚀要点》 五：《沟槽刻蚀工艺》 六：《电化学蚀刻重心》 七：《多孔硅层湿法腐蚀要领》 八：《刻蚀清洗原理操作》 九：《CMP后清洗技术的研究》 十：《单晶片清洗技术》 十一：《多晶硅刻蚀特性的研究》 十二：《B---clean湿法清洗工艺》 十三：《晶片的清洗液及清洗方法》 十四：《光学滤光片镀膜前清洗技术》 十五：《ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究》 十六：《石英玻璃性能及湿法刻.
《炬丰科技-半导体工艺》 CMP中晶圆和抛光垫温度变化的研究
hlke2022的博客
01-19 634
书籍：《华林科纳-半导体工艺》 文章：CMP中晶圆和抛光垫温度变化的研究 编号：JFKJ-21-1101 作者：华林科纳 引言 由于化学机械抛光过程中晶圆与抛光垫接触面积温度的测量困难，因此对温升机制和传热机制的研究还不够充分。本文研究的温度特征如下：（1）利用抛光垫表面的红外热摄像机测量温度，（2）利用晶片与抛光垫接触面积的热偶测量温度。此外，还讨论了晶片表面和抛光垫表面的温升分布。 CMP是指 这是一种超精密抛光技术，将被称为浆料的抛光液中的化学成分的化学作用和磨粒等的机械作用重叠在
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集25
hlkn2020的博客
09-06 210
一：《半导体硅淀积和刻蚀》 二：《硅片制备中的热工设备介绍》 三：《直拉单晶硅工艺技术》 四：《6英寸重掺砷硅单晶及抛光片》 五：《300mm硅单晶及抛光片标准》 六：《化学机械抛光技术的研究进展》 七：《半导体单晶抛光片清洗工艺分析》 八：《硅片的表面起伏问题与解决方案》 九：《半导体制造工艺中的化学原理》 十：《半导体CMP和蚀刻流程》 十一：《硅抛光片CMP市场和技术现状》 十二：《化学机械抛光液行业研究》 十三：《直径12英寸硅单晶抛光片》 十四：《半导体IC清洗技术》
《炬丰科技-半导体工艺》清洗含有介电膜的半导体晶片的方法
hlkn2020的博客
09-04 309
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：清洗含有介电膜的半导体晶片的方法 编号：JFKJ-21-295 作者：炬丰科技 用于清洁半导体晶圆片表面的方法在其上除去有机电介质残留的浆液颗粒粘附在晶圆表面后提供化学-机械平化。半导体要经过CMP后的逐级清洗在物体表面施加机械摩擦力硅片同时应用于硅片表面和一段时间内pH值大于10的水溶液需要足够的时间来湿润和清洁晶圆片表面由表面活性剂和四环素组成的碱性水溶液烷。 清洗方法 本发明涉及一种用于清洗的方法含有有机化合物的半导体晶圆的表面.......
《炬丰科技-半导体工艺》CMP清洗工艺中的颗粒粘附和去除机制
hlkn2020的博客
09-06 732
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：CMP清洗工艺中的颗粒粘附和去除机制 编号：JFKJ-21-382 作者：炬丰科技 摘要 化学机械抛光 (CMP) 被认为是一种范式转变，它使光学光刻继续下降到 0.12 m。目前，抛光物理还没有得到很好的定义，尽管众所周知，该工艺的性质使得 CMP 后的颗粒去除变得困难和必要。了解抛光过程产生的颗粒粘附机制以及粘附力对 CMP 后清洁过程中颗粒去除的影响非常重要。在本文中，强烈的颗粒粘附被证明是由在潮湿和长时间老化的情况下发生的化学反应（在初始氢键之后）.
《炬丰科技-半导体工艺》单晶硅清洗工艺
hlkn2020的博客
08-27 358
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：单晶硅清洗工艺 编号：JFKJ-21-315 作者：炬丰科技 摘要 提供了一种用于半导体晶片清洁操作的系统。清洁系统具有顶盖和底盖。顶盖密封在晶片的顶面接触环上，底盖密封在晶片的底面接触环上。晶片保持在顶盖和底盖之间。边缘清洁辊用于清洁晶片的边缘。驱动辊被配置为旋转晶片、顶盖和底盖。边缘清洁辊以第一速度旋转，驱动辊以第二速度旋转，以便于边缘清洁辊对晶片的边缘清洁。 1.发明领域 本发明涉及半导体晶片清洁，更具体地，涉及用于更有效地清洁感兴...
《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集29
hlkn2020的博客
09-09 289
一：《单晶片清洗中的时间影响》 二：《旋转清洗工艺》 三：《单片湿法刻蚀》 四：《等离子体的微纳米制造》 五：《电化学行为后的蚀刻清洗》 六：《2021年电子半导体白皮书》 七：《多通道晶圆缺陷检测方法》 八：《晶圆背面高效清洁工艺》 九：《晶片中去除超音速颗粒》 十：《光刻胶剥离方法》 十一：《光刻胶的湿剥离工艺》 十二：《硅加工的高效清洁》 十三：《光刻中接触孔和沟槽的双重构图策略》 十四：《硅片CMP中材料去除率的化学影响》 十五：《防止种植体表面生物膜形成的表面涂层策略》
《炬丰科技-半导体工艺》混合清洁法减少铜后CMP缺陷
jfkj2021的博客
11-16 567
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：混合清洁法减少铜后CMP缺陷 编号：JFKJ-21-837 作者：炬丰科技 关键词：减少缺陷，铜CMP，后清洁。 摘要 本文开发并实施了一种依次结合酸性和碱性清洗方法的“混合”后CuCMP清洗过程。新工艺展示了相对于全碱性刷子清洁工艺，证明了酸性和碱性清洁的优点，并使CMP缺陷减少超过60%，如抛光残留物、异物、泥浆磨料、划痕和中空金属工艺。它还消除了在辊子刷清洁过程中间歇性发生的圆环缺陷。TXRF扫描确认在使用混合清洁过程时AlOx缺陷的减少。XPS光谱显示了碱性和杂
《炬丰科技-半导体工艺》 组合式 CMP 和晶片清洗装置方法
hlkn2020的博客
08-24 386
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：组合式 CMP 和晶片清洗装置方法 编号：JFKJ-21-292 作者：炬丰科技 文摘 一体机的抛光，清洗，漂洗和干燥工件，如半导体晶圆。一个干的末端执行机器人从磁带中提取晶圆并传送它们。将晶圆片送到抛光台进行抛光。该机器人的湿末端执行器将清洗过的晶片转移到旋转干燥器。机器人的干末端执行器运动。 发明领域 本发明通常涉及自我包含机器抛光，清洁，漂洗，和旋转干燥半导体晶圆工件，更多 特别是对一种改进的接收卡带的系统对硅片、CMP进行抛光、清...
《炬丰科技-半导体工艺》湿处理中的颗粒沉积和去除
jfkj2021的博客
11-30 619
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》 文章：湿处理中的颗粒沉积和去除 编号：JFKJ-21-710 作者：炬丰科技 关键词：兆频超声波清洗、粒子沉积、粒子移除、晶圆湿式处理 摘要 从表面去除颗粒污染物是制造集成电路的晶片加工中的一个关键领域，通常使用湿化学制剂来完成。去除颗粒的策略需要了解颗粒沉积机理。在这篇综述论文的第一部分，讨论了表面粒子沉积的胶体化学原理。具体而言，综述了范德华力和双电层相互作用能对粒子-表面相互作用的重要性。接下来是对晶片加工中常用的颗粒去除方法的描述，即。兆频超声波清洗、刷子清洗和纳米喷
2aurora2_SCNU-Compilation-Principle-Experiment_37128_1765300891593.zip
12-10
2aurora2_SCNU-Compilation-Principle-Experiment_37128_1765300891593.zip
编译原理课程核心实验项目集锦_涵盖词法分析器设计与实现递归下降语法分析程序构建算符优先分析算法实践及语法树可视化与错误处理机制_旨在通过CC编程语言深入实践编译技术基础帮助计.zip
12-10
编译原理课程核心实验项目集锦_涵盖词法分析器设计与实现递归下降语法分析程序构建算符优先分析算法实践及语法树可视化与错误处理机制_旨在通过CC编程语言深入实践编译技术基础帮助计.zip
基于改进灰狼算法的并网交流微电网经济优化调度研究（Matlab代码实现）
最新发布
12-10
基于改进灰狼算法的并网交流微电网经济优化调度研究（Matlab代码实现）
【自动化控制】基于PLC的全自动洗衣机控制系统
12-10
内容概要：本文设计了一种基于PLC的全自动洗衣机控制系统内容概要：本文设计了一种，采用三菱FX基于PLC的全自动洗衣机控制系统，采用3U-32MT型PLC作为三菱FX3U核心控制器，替代传统继-32MT电器控制方式，提升了型PLC作为系统的稳定性与自动化核心控制器，替代水平。系统具备传统继电器控制方式高/低水，实现洗衣机工作位选择、柔和过程的自动化控制/标准洗衣模式切换。系统具备高、暂停加衣、低水位选择、手动脱水及和柔和、标准两种蜂鸣提示等功能洗衣模式，支持，通过GX Works2软件编写梯形图程序，实现进洗衣过程中暂停添加水、洗涤、排水衣物，并增加了手动脱水功能和、脱水等工序蜂鸣器提示的自动循环控制功能，提升了使用的，并引入MCGS组便捷性与灵活性态软件实现人机交互界面监控。控制系统通过GX。硬件设计包括 Works2软件进行主电路、PLC接梯形图编程线与关键元，完成了启动、进水器件选型，软件、正反转洗涤部分完成I/O分配、排水、脱、逻辑流程规划水等工序的逻辑及各功能模块梯设计，并实现了大形图编程。循环与小循环的嵌; 适合人群：自动化套控制流程。此外、电气工程及相关，还利用MCGS组态软件构建专业本科学生，具备PL了人机交互C基础知识和梯界面，实现对洗衣机形图编程能力的运行状态的监控与操作。整体设计涵盖了初级工程技术人员。硬件选型、; 使用场景及目标：I/O分配、电路接线、程序逻辑设计及组①掌握PLC在态监控等多个方面家电自动化控制中的应用方法；②学习，体现了PLC在工业自动化控制中的高效全自动洗衣机控制系统的性与可靠性。;软硬件设计流程 适合人群：电气；③实践工程、自动化及相关MCGS组态软件与PLC的专业的本科生、初级通信与联调工程技术人员以及从事；④完成PLC控制系统开发毕业设计或工业的学习者；具备控制类项目开发参考一定PLC基础知识。; 阅读和梯形图建议：建议结合三菱编程能力的人员GX Works2仿真更为适宜。; 使用场景及目标：①应用于环境与MCGS组态平台进行程序高校毕业设计或调试与运行验证课程项目，帮助学生掌握PLC控制系统的设计，重点关注I/O分配逻辑、梯形图与实现方法；②为工业自动化领域互锁机制及循环控制结构的设计中类似家电控制系统的开发提供参考方案；③思路，深入理解PL通过实际案例理解C在实际工程项目PLC在电机中的应用全过程。控制、时间循环、互锁保护、手动干预等方面的应用逻辑。; 阅读建议：建议结合三菱GX Works2编程软件和MCGS组态软件同步实践，重点理解梯形图程序中各环节的时序逻辑与互锁机制，关注I/O分配与硬件接线的对应关系，并尝试在仿真环境中调试程序以加深对全自动洗衣机控制流程的理解。
编译原理课程第四次实验项目之目标代码生成模块实现与优化研究_基于LLVM中间表示IR的MIPS汇编指令生成器与寄存器分配算法模拟器_用于深入理解编译器后端工作流程_掌握从抽象语法树.zip
12-10
编译原理课程第四次实验项目之目标代码生成模块实现与优化研究_基于LLVM中间表示IR的MIPS汇编指令生成器与寄存器分配算法模拟器_用于深入理解编译器后端工作流程_掌握从抽象语法树.zip
基于CNN-GRU-Attention混合神经网络的负荷预测方法（Python代码实现）
12-10
基于CNN-GRU-Attention混合神经网络的负荷预测方法（Python代码实现）
车间调度基于非支配排序遗传算法NSGAII的柔性作业车间调度问题研究（Matlab代码实现）
12-10
【车间调度】基于非支配排序遗传算法NSGAII的柔性作业车间调度问题研究（Matlab代码实现）
编译原理课程配套实验代码与上机实践参考资源库_包含词法分析器语法分析器语义分析中间代码生成优化和目标代码生成等核心阶段实现示例以及PL0语言编译器扩展实验和简单程序设计语言翻译系统.zip
12-10
编译原理课程配套实验代码与上机实践参考资源库_包含词法分析器语法分析器语义分析中间代码生成优化和目标代码生成等核心阶段实现示例以及PL0语言编译器扩展实验和简单程序设计语言翻译系统.zip
smart 200 的模拟量输入注意事项 14
12-10
smart 200 的模拟量输入注意事项 14
英特尔CMP工艺教程：环境友好半导体制造的关键技术
6. 环保与安全：环境健康和安全是半导体制造中的重要议题，本部分分析了CMP工艺对环境的影响以及如何采取措施降低风险，保障操作人员的安全。 7. 浆液流体力学：深入剖析了浆液在抛光过程中的流动特性及其对抛光...
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值