《炬丰科技-半导体工艺》CMP清洗工艺中的颗粒粘附和去除机制

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：CMP清洗工艺中的颗粒粘附和去除机制

编号：JFKJ-21-382

作者：炬丰科技

摘要

  化学机械抛光 (CMP) 被认为是一种范式转变，它使光学光刻继续下降到 0.12 m。目前，抛光物理还没有得到很好的定义，尽管众所周知，该工艺的性质使得 CMP 后的颗粒去除变得困难和必要。了解抛光过程产生的颗粒粘附机制以及粘附力对 CMP 后清洁过程中颗粒去除的影响非常重要。在本文中，强烈的颗粒粘附被证明是由在潮湿和长时间老化的情况下发生的化学反应（在初始氢键之后）引起的。在使用刷子清洁去除颗粒时，颗粒和刷子之间的接触对于去除亚微米颗粒至关重要。在非接触模式下，0。当刷子与颗粒的距离超过 1 maway 时，1-m 的颗粒几乎无法去除。在完全接触模式下，在研究的刷子旋转速度下可以去除 0.1 米的颗粒。实验数据表明，高刷压和短清洁时间可以实现高去除效率（低缺陷数量）。

简介

   电路特征尺寸缩小，需要全局平面化技术是至关重要的。化学机械抛光 (CMP) 作为平坦化方法已被半导体行业广泛接受。CMP 工艺的基本要素包括一个旋