《炬丰科技-半导体工艺》GaN发光二极管衬底材料的研究进展

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书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaN发光二极管衬底材料的研究进展

编号：JFKJ-21-311

作者：炬丰科技

摘要

  GaN基发光二极管作为第三代照明器件在近年来发展迅猛. 衬底材料作为LED制造的基础, 对器件制备与应用具有极其重要的影响. 本文分析综述了衬底材料影响LED器件设计与制造的关键特性 (晶格结构、热胀系数、热导率、光学透过率、导电性), 对比了几种常见衬底材料 (蓝宝石、碳化硅、单晶硅、氮化镓、氧 化镓) 在高质量外延层生长、高性能器件设计和衬底材料制备方面的研究进展, 并对几种材料的发展前景做出了展望.

关键词: 发光二极管, 氧化镓, 蓝宝石, 碳化硅

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