本文探讨了CMP过程中晶圆和抛光垫的温度变化，使用红外热摄像机和热偶测量温升，发现抛光垫的槽形状显著影响浆料流动和温度特性。无槽垫初期温升较快，同心圆槽垫温度上升值最高，而格子和放射状槽垫则降低温度上升值，表明槽形状对浆料保持性和流入的影响是关键因素。
书籍：《华林科纳-半导体工艺》
文章：CMP中晶圆和抛光垫温度变化的研究
编号：JFKJ-21-1101
作者：华林科纳
引言
由于化学机械抛光过程中晶圆与抛光垫接触面积温度的测量困难，因此对温升机制和传热机制的研究还不够充分。本文研究的温度特征如下：（1）利用抛光垫表面的红外热摄像机测量温度，（2）利用晶片与抛光垫接触面积的热偶测量温度。此外，还讨论了晶片表面和抛光垫表面的温升分布。
CMP是指 这是一种超精密抛光技术，将被称为浆料的抛光液中的化学成分的化学作用和磨粒等的机械作用重叠在一起。一般认为，CMP时产生的热具有促进温度上升、助长浆料的化学效果的作用。 对材料去除速度等产生影响，因此， 为了实现均匀的材料去除分布，其温度控制可以说是一个重要的课题。
实验
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