《炬丰科技-半导体工艺》单光子发射器设备应用

氮化镓纳米线因其在发光器件的潜力受到广泛关注,尤其在制造超薄量子光电器件中展现出巨大价值。传统生长技术面临可制造性的挑战,推动了自上而下、依赖蚀刻的制造工艺研发。本文探讨了这种新材料如何可能提升通信速度和安全性,并满足高效显示需求。

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:单光子发射器设备应用

编号:JFKJ-21-218

作者:炬丰科技

摘要  

  氮化镓纳米线在发光器件中显示出巨大的潜力近年来,基于技术的设备吸引了很多人的兴趣。 超薄氮化镓纳米材料可用于为未来的通信和加密系统制造许多新颖的设备 然而,传统的生长技术在可制造性,创造了探索自上而下、依赖于蚀刻的GaN NW制造工艺的需求。

介绍  

  光电子学是一个不断发展的研究领域。 在过去的一个世纪里,它改变了很多 日常生活的各个方面和应用,如照明、显示器或电信,发挥着重要的作用社会中的主要角色。 在量子光电器件的未来应用中也有很大的潜力信息科学。 这些领域的进步可能是渲染我们的关键一步 通信速度更快、更安全,同时满足对更高效显示的日益增长的需求 和连接设备。

背景与理论  

要理解这里所做的工作,需要对氮化镓的几个不同方面进行回顾。  

GaN排列在纤锌矿结构(左),六角形晶格(右)  

 

 

一种标准LED器件的能带结构 

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