《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集三

本文探讨了光学晶片清洗、化学镀、衍射光学器件原理、硅表面处理、离子束蚀刻等关键技术,深入解析了微纳光学加工、InGaP和GaAs制作工艺,以及GaN湿化学等领域,展示了光子带隙晶体制造的最新进展。

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一:《光学片清洗工艺》

二:化学镀工艺

三:《衍射光学器件的原理》

四:硅表面清洁

五:《衍射光学元件离子束蚀刻工艺》

六:光子带隙晶体制造工艺

七:《微纳光学加工》

八:硅片清洗技术

九:《FSI清洗机》

十:InGaP和GaAs制作工艺

十一:《自动供酸系统设备》

十二:GaN的湿化学

十三:《离子注入机》

十四:GaN和SiC晶体管的区别

十五:《一种流速测量装置》

十六:刻蚀制程工艺

十七:《光阻清洗剂》

十八:掩膜清洁技术之消除颗粒

十九:《甩干机操作说明》

二十:湿法刻蚀工艺

二十一:《光学材料简介》

二十二:《低温等离子体沉积工艺》

二十三:黄光制程详解

二十四:氮化镓效应工艺

二十五:《硫酸生产工艺资料》

二十六:氮化铝蚀刻工艺

二十七:《硝酸-安全资料表》

二十八:《光刻胶反应剥离机理研究》

二十九:《光学玻璃资料》

三十:《氮化镓晶体管在电力中的应用》

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