VBsemi_MOS-优快云博客

原创 AI驱动的IPW65R019C7-VB参数优化与性能提升

无论是AI服务器、边缘计算设备、电动汽车、机器人，还是AI加速卡和智能家居设备，IPW65R019C7-VB 都能提供高效的电源管理和电机驱动解决方案，助力AI技术的快速发展与普及。无论是在AI服务器、电动汽车、机器人，还是智能家居设备中，IPW65R019C7-VB 都能显著提升系统效率，降低能量损耗，助力AI技术的广泛应用与普及。在智能家居设备（如智能音箱、智能照明）中，IPW65R019C7-VB 的高功率密度和低 Rds(on) 特性，使其能够在小型设备中实现高效电源管理。

2025-03-24 13:43:50 510

原创 AI 与微碧半导体 IPB180N10S403ATMA1-VB 的结合：开启智能电力系统新篇章

微碧半导体（VBsemi）最新推出的IPB180N10S403ATMA1-VB单N沟道场效应晶体管，凭借其卓越的性能和先进的SGT（Super-Grain Technology）技术，为AI领域的各类模块提供了强有力的支持。同时，其导通电阻仅为3mΩ（VGS=10V），有效降低了能量损耗，提升了整体能效，特别适合需要长时间运行的AI服务器和数据中心。IPB180N10S403ATMA1-VB的低导通电阻和3V的阈值电压，使其在低电压环境下也能保持高效工作，显著降低了功耗。

2025-03-21 14:38:57 414

原创 VBGE2104N MOSFET：为AI设备提供高效、可靠的电源支持

无论是AI服务器、边缘计算设备、电动汽车、机器人，还是AI加速卡和智能家居设备，VBGE2104N都能提供高效的电源管理和电机驱动解决方案，助力AI技术的快速发展。高效、可靠的功率器件成为支撑AI技术落地的关键。在电源转换模块（如DCDC转换器、ACDC电源）中，VBGE2104N的低导通电阻（Rds(on)）和低开关损耗（FOM）可以提高电源效率，减少能量损耗。VBGE2104N的高功率密度封装（TO252）和低Rds(on)特性，使其能够在小型化设备中实现更高的功率输出，满足边缘设备对紧凑设计的需求。

2025-03-18 16:52:01 739

原创 STD30NF06L-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，导通电阻为24mΩ，这有助于减少功率损耗并提高效率。1. **电源管理系统：** 适用于电源开关和电源管理系统中的开关电路，如开关电源、DC-DC转换器和电源适配器等。2. **额定电流（ID）：** 具有45A的额定电流，可以应对大电流负载要求，适用于需要高功率输出的场合。1. **额定电压（VDS）：** 该MOSFET的额定电压为60V，使其适用于较高电压的应用环境。- **品牌：** VBsemi。- **封装：** TO252。

2024-11-11 11:18:07 189

原创 2SK3025-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

2. **电动车辆**：在电动车辆领域，2SK3025-VB可以用于电动车辆的电动机驱动模块。1. **电源管理模块**：2SK3025-VB可用于高功率电源管理模块，如电源逆变器、开关模式电源等。3. **工业控制**：在工业自动化和控制系统中，2SK3025-VB可用于电机驱动器、工业自动化控制器等模块。4. **电源开关**：由于其快速开关特性和高电流承受能力，2SK3025-VB还可用于电源开关模块，如开关式稳压器、开关式电源适配器等，提供稳定的电源输出。- **电压（VDS）**：60V。

2024-11-11 11:16:22 139

原创 STD30NE06LT4-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

5. **电池保护**：作为电池保护模块的一部分，用于对锂电池和其他电池进行过充、过放和短路保护，确保电池的安全和稳定性。1. **电源管理**：可用于开关电源、DC-DC变换器和电源逆变器等模块中，提供稳定的电源管理和高效的能量转换。2. **电机驱动**：适用于电动工具、家用电器和汽车电子中的电机驱动模块，提供高性能的电机驱动和控制。4. **电流控制**：适用于电流限制和电流控制电路中，确保电路工作在安全的电流范围内，保护电路和设备。**适用领域和模块：****详细参数说明：**

2024-11-11 11:14:57 153

原创 2SK3377-Z-E2-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

2SK3377-Z-E2-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管，具有60V的耐压能力和45A的电流承受能力。1. 电源系统：2SK3377-Z-E2-VB可用于各种类型的电源系统，包括开关电源、DC-DC转换器和逆变器。通过以上示例，可以看出2SK3377-Z-E2-VB适用于多个领域和模块，包括但不限于电源系统、电动车辆、工业自动化、太阳能逆变器和消费电子产品。2. 电动车辆：在电动车辆的电动机控制系统中，该型号可以用作功率开关，用于控制电机的速度和扭矩，确保高效能的电动车辆运行。

2024-11-11 11:12:19 286

原创 30N06G-TN3-R-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

2. **电动车辆**：在电动车辆领域，30N06G-TN3-R-VB可以应用于电动车辆的电动机驱动模块。1. **电源管理模块**：30N06G-TN3-R-VB可用于各种电源管理模块，如开关电源、DC-DC转换器等。3. **工业控制**：在工业自动化和控制系统中，30N06G-TN3-R-VB可用于电机驱动器、工业自动化控制器等模块。4. **电源开关**：由于其快速开关特性和高电流承受能力，30N06G-TN3-R-VB还可用于电源开关模块，如开关式稳压器、开关式电源适配器等，提供稳定的电源输出。

2024-11-11 11:11:03 215

原创 30N06G-TN3-T-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

1. 电源管理模块：由于30N06G-TN3-T-VB具有低导通电阻和较高的漏极电流能力，可用于设计高性能的电源管理模块，如开关稳压器和DC-DC转换器，以提供稳定的电源输出。5. 车载电子：由于其高电压和电流承受能力，30N06G-TN3-T-VB可用于汽车电子系统中的电源管理、电动汽车的驱动系统等应用，提供稳定的电源和驱动能力。3. LED照明应用：30N06G-TN3-T-VB可用于驱动LED照明系统中的电源开关，以控制LED的亮度和功率，适用于室内和室外照明应用。- VGS范围：-20V至2V。

2024-11-11 11:08:46 209

原创 30N06L-CMD30N06L-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

它具有以下主要特性：工作电压为 60V，最大漏极电流可达 45A，漏源电阻为 24mΩ（在 VGS=10V 时），且阈值电压为 1.8V。这些示例说明了 30N06L-CMD30N06L-VB 在各种应用领域中的潜在用途，其高性能和可靠性使其成为许多电力控制和开关应用的理想选择。- 工业控制：在工业自动化系统中，可用于开关和调节高功率负载，如电机驱动和电炉控制。- 电动车辆：可用于电动车辆的驱动控制，包括电机控制、电池管理和充电系统。- 漏源电阻（RDS(ON)）：24mΩ（在 VGS=10V 时）

2024-11-11 11:07:06 194

原创 STC6602-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

STC6602-VB是VBsemi品牌的双N沟道和P沟道场效应晶体管（MOSFET），具有两个N沟道和一个P沟道，适用于正负电源应用。- 导通电阻（RDS(ON)）：20mΩ（N沟道 @ VGS=4.5V），70mΩ（P沟道 @ VGS=4.5V）3. 信号开关：适用于各种类型的信号开关，如电源开关、数据开关和音频开关等，提供可靠的信号传输和低功耗的操作。- 阈值电压（Vth）：0.71V（N沟道），-0.81V（P沟道）- 额定电流（ID）：7A（N沟道），4.5A（P沟道）**详细参数说明：**

2024-11-11 11:04:11 213

原创 SST3585S-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

1. **电源管理：** SST3585S-VB中的双通道设计使其适用于电源管理电路，如开关电源、电源适配器和DC-DC转换器等。4. **电流保护：** 该器件可用于电流保护电路，例如过载保护、短路保护和电流限制器。3. **信号开关：** 在通信设备、音频设备和自动控制系统中，SST3585S-VB可用作信号开关，实现对信号的快速切换和传输，提高系统的性能和可靠性。2. **电流控制：** 该器件可用于电流控制电路，如电机驱动器、电动车辆电路和电源控制器。**适用领域和模块示例：**

2024-11-11 11:02:38 214

原创 SQD25N06-22L-GE3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，导通电阻为24mΩ，这有助于降低功率损耗，提高效率。1. **额定电压（VDS）：** 该MOSFET的额定电压为60V，适用于中等功率电路设计。3. **电源开关：** 适用于开关电源、DC-DC转换器和功率因数校正电路等功率控制模块中。2. **额定电流（ID）：** 具有45A的额定电流，适用于需要大电流承载能力的应用。- **品牌：** VBsemi。- **封装：** TO252。**适用领域和模块举例：****详细参数说明：**

2024-11-08 11:15:02 251

原创 9431GH-HF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

它采用 TO252 封装，具有负向栅极电压（VGS）为 60V、漏极电流（ID）为 45A、导通电阻（RDS(ON)）为 24mΩ@VGS=10V、阈值电压（Vth）为 1.8V 等特性。3. 工业自动化设备：9431GH-HF-VB 适用于各种工业自动化设备的电源管理和电机驱动，如机器人、自动化生产线和工业机械，提高设备的效率和控制精度。1. 电源开关模块：9431GH-HF-VB 可用于电源开关模块中，如开关电源、DC-DC 变换器和稳压器，以提供高效的功率转换和稳定的电源输出。- 封装：TO252。

2024-11-08 11:13:40 294

原创 SQD15N06-42L-GE3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

2. **电池保护**：适用于移动设备和电池供电系统中的电池保护模块，实现对电池的过充、过放和短路保护，提高电池的安全性和使用寿命。5. **LED驱动**：作为LED驱动器的一部分，可用于LED照明系统中，实现LED灯带、灯泡和灯具等的驱动和亮度控制。1. **电源管理**：可用于开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器等电源管理模块，实现高效能量转换和稳定的电源输出。4. **电机驱动**：适用于小功率电机驱动应用，如风扇、水泵和电动工具等，提供高效、稳定的电机驱动和控制。**适用领域和模块：**

2024-11-08 11:12:01 332

原创 SQ3460EV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

1. **电源管理模块**：SQ3460EV-T1-GE3-VB可用于设计电源管理模块，如DC-DC转换器、稳压器和充电管理系统，以实现高效的能量转换和稳定的输出电压。3. **开关电源**：SQ3460EV-T1-GE3-VB适用于设计开关电源模块，如电源适配器、电源开关和直流-直流转换器，以满足各种电子设备的电源需求。4. **LED驱动器**：在LED照明领域，该器件可用于LED驱动器和照明控制模块，以实现精确的电流调节和亮度控制，提高LED照明系统的能效和可靠性。**适用领域和模块：**

2024-11-08 11:10:55 179

原创 SQ3456EV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

4. **LED照明：** 在LED灯条、LED灯泡和汽车灯光系统中，SQ3456EV-T1-GE3-VB可用于LED驱动电路，实现对LED的亮度和颜色的控制，提升照明效果和节能性能。2. **电机驱动：** 在电动工具、小型电动车和家用电器中，SQ3456EV-T1-GE3-VB可用于电机驱动电路，控制电机的启停和速度，提高设备的性能和效率。1. **电源管理：** SQ3456EV-T1-GE3-VB可用于低压降的电源开关电路、电源管理单元和DC-DC转换器中，实现对电源的高效控制和管理。

2024-11-08 11:09:53 150

原创 SQ3456BEV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，导通电阻为30mΩ，这有助于降低功率损耗，提高效率。1. **额定电压（VDS）：** 该MOSFET的额定电压为30V，适用于低电压电路设计。2. **额定电流（ID）：** 具有6A的额定电流，适用于小功率电路和开关应用。3. **电源管理：** 适用于小功率电源中的开关电源和DC-DC转换器等应用。- **封装：** SOT23-6。- **品牌：** VBsemi。**适用领域和模块举例：****详细参数说明：**

2024-11-08 11:08:17 203

原创 SQ3442EV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

DS(ON)):** 30mΩ @ VGS

2024-11-08 11:04:40 329

原创 SQ3418EEV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

SQ3418EEV-T1-GE3-VB具有高性能和可靠性，适用于电源管理、电池保护、电流控制、LED驱动和电机驱动等多种领域和模块，为电路设计提供了灵活和可靠的解决方案。2. **电池保护**：适用于移动设备和电池供电系统中的电池保护模块，实现对电池的过充、过放和短路保护，提高电池的安全性和使用寿命。4. **LED驱动**：作为LED驱动器的一部分，可用于LED照明系统中，实现LED灯带、灯泡和灯具等的驱动和亮度控制。- 封装类型：SOT23-6。**适用领域和模块：****详细参数说明：**

2024-11-08 11:03:24 304

原创 SQ3410EV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

3. **移动设备**：SQ3410EV-T1-GE3-VB适用于移动设备中的电源管理、充电管理和功率控制模块，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备，以确保稳定的电源供应和高效的能量管理。1. **电源管理模块**：SQ3410EV-T1-GE3-VB可用于设计电源管理模块，如DC-DC转换器、稳压器和电池管理系统，以提供高效能量转换和稳定的输出电压。4. **LED照明**：在LED照明系统中，该器件可用于LED驱动器和照明控制模块，以实现精确的电流调节和亮度控制，提高照明系统的能效和可靠性。

2024-11-08 10:45:36 241

原创 SPP5413T252RG-VB一种P—Channel沟道TO252封装MOS管

4. **电源保护：** 在电源管理系统中，SPP5413T252RG-VB可用于电源保护电路，实现对电路和设备的过压、过流和过热保护，确保系统的安全稳定运行。3. **电机驱动：** 在电动车辆、机器人和工业驱动系统中，SPP5413T252RG-VB可用于电机驱动电路，控制电机的速度和转向，实现对设备的精准控制。1. **功率管理：** SPP5413T252RG-VB可用于功率开关电路、DC-DC转换器和功率放大器中，实现对功率的高效调节和控制。**适用领域和模块示例：****详细参数说明：**

2024-11-08 10:42:52 297

原创 SPN3456ST6RGB-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

1. **额定电压（VDS）：** 30V的额定电压使得该MOSFET能够处理低电压信号，适用于电路设计中的低电压应用。3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，导通电阻仅为30mΩ，这有助于降低导通损耗，提高效率。2. **额定电流（ID）：** 6A的额定电流适用于较低功率的电路设计，例如小型电源和电路开关。4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压为1.2V，这使得器件易于控制和驱动。- **封装：** SOT23-6。- **品牌：** VBsemi。**详细参数说明：**

2024-11-08 10:38:05 146

原创 SPN3446ST6RG-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

### 产品简介SPN3446ST6RG-VB是VBsemi品牌生产的N沟道场效应管（MOSFET），具有低电压、低导通电阻和高电流特性。该器件采用SOT23-6封装，适用于各种低压功率电子应用。### 详细参数说明- **通道类型：** N—Channel沟道- **最大栅极—源极电压 (VDS(max)):** 30V- **最大漏极电流 (ID):** 6A- **导通电阻 (RDS(ON)):** 30mΩ @ VGS

2024-11-08 10:36:17 270

原创 SPN3446ST6RGB-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管

2. **电池保护**：适用于移动设备和电池供电系统中的电池保护模块，实现对电池的过充、过放和短路保护，提高电池的安全性和使用寿命。4. **LED驱动**：作为LED驱动器的一部分，可用于LED照明系统中，实现LED灯带、灯泡和灯具等的驱动和亮度控制。1. **电源管理**：可用于开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器等电源管理模块，实现高效能量转换和稳定的电源输出。5. **电机驱动**：适用于小功率电机驱动应用，如风扇、水泵和电动工具等，提供高效、稳定的电机驱动和控制。**适用领域和模块：**

2024-11-08 10:33:11 270

原创 9870GH-HF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

它具有以下主要特性：工作电压为 60V，最大漏极电流可达 45A，漏源电阻为 24mΩ（在 VGS=10V 时），且阈值电压为 1.8V。- 工业控制：在工业自动化系统中，可用于开关和调节高功率负载，如电机驱动和电炉控制。- LED 照明：适用于 LED 驱动电路，提供高效的电流调节和开关控制。这些示例说明了 9870GH-HF-VB 在各种应用领域中的潜在用途，其高性能和可靠性使其成为许多电力控制和开关应用的理想选择。- 电动车辆：可用于电动车辆的驱动控制，包括电机控制、电池管理和充电系统。

2024-11-08 10:25:19 149

原创 9971GH-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

产品简介：9971GH-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管，具有60V的耐压能力和45A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V，VGS=20V，以及Vth=1.8V。该晶体管采用TO252封装，适用于多种应用场合。详细参数说明：- 品牌: VBsemi- 型号: 9971GH-VB- 沟道类型: N-Channel- 耐压: 60V- 电流承受能力: 45A- RDS(ON): 24mΩ @ VGS=10V- 阈值电压(Vth): 1.

2024-11-08 10:23:56 151

原创 SM2700CSC-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=4.5V时，正向通道的导通电阻为20mΩ，而反向通道的导通电阻为70mΩ，这有助于减少导通损耗，并提高效率。2. **额定电流（ID）：** 7A的正向额定电流和-4.5A的反向额定电流，提供了足够的电流容量，适用于中等功率负载的开关控制。4. **阈值电压（Vth）：** 正向通道的阈值电压为0.71V，反向通道的阈值电压为-0.81V，这使得器件易于控制和驱动。- **封装：** SOT23-6。- **品牌：** VBsemi。

2024-11-07 11:51:00 145

原创 SM2620CSC-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

DS(ON)):** 20mΩ @ VGS = 4.5V。- **P沟道导通电阻 (RDS(ON)):** 70mΩ @ VGS

2024-11-07 11:49:43 386

原创 SM2610NSC-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2. **电池保护电路**：在电池供电的电路中，SM2610NSC-VB可用于电池保护，防止过充、过放和过流等情况，保护电池和电路的安全运行。3. **LED驱动器**：作为LED驱动器的一部分，该器件可用于LED照明应用中，控制LED的电流和亮度，实现高效能的照明系统。1. **电源管理模块**：该MOSFET可用于电源管理模块中的功率开关和电流控制，例如DC-DC转换器、电源选择开关等。4. **电机驱动器**：适用于小型电机的驱动器，如风扇、泵等，帮助实现电机的高效驱动和控制。**详细参数说明：**

2024-11-07 11:48:06 143

原创 SM2604NSC-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

4. **功率逆变器**：该器件适用于低功率功率逆变器模块，如太阳能逆变器、UPS系统和电动车辆逆变器。1. **电源管理**：SM2604NSC-VB可用于低功率电源管理模块中，如开关电源、电池充放电管理和DC-DC转换器。3. **电子开关**：SM2604NSC-VB可用作电子开关，用于控制各种电路的开关和切换。2. **驱动器**：在各种驱动器模块中，如LED驱动器、电机驱动器和电磁铁驱动器，该器件可用于实现高效的电流控制和精确的开关调节，提高驱动器的性能和可靠性。**适用领域和模块：**

2024-11-07 11:46:19 260

原创 SM2602NSC-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

3. **LED驱动：** 在LED照明应用中，SM2602NSC-VB可用于LED驱动器电路中，实现对LED灯珠的电流控制和调节，提高LED照明系统的效率和稳定性。4. **电机驱动：** 在小型电机驱动应用中，如风扇驱动、电动工具和电动玩具等，SM2602NSC-VB可用于电机驱动器电路中，实现对电机的控制和调节。1. **电源管理：** SM2602NSC-VB可用于电源管理系统中的开关电源、直流-直流转换器和DC/DC升压/降压模块，实现高效的电能转换和调节。**适用领域和模块示例：**

2024-11-07 11:43:58 212

原创 SIHFL9014T-E3-VB一款P—Channel沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在10V的栅极-源极电压下，导通电阻为58mΩ，提供较低的导通损耗，有助于降低功率消耗和提高效率。2. **额定电流（ID）：** -6.5A的额定电流可满足中等到大功率负载的需求，如电机驱动器和电源开关等。1. **额定电压（VDS）：** -60V的额定电压使得该MOSFET适用于负载开关和反向电源等应用场景。4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压范围从-1V至-3V，使得器件易于控制，适用于各种电路设计。- **品牌：** VBsemi。

2024-11-07 11:41:12 257

原创 SI3590DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

2024-11-07 11:39:39 388

原创 SI3588DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

3. **电源选择开关**：由于器件包含N-Channel和P-Channel沟道，可用作电源选择开关，实现电路中不同电源的切换功能，例如电池供电和外部电源供电之间的切换。4. **电池管理系统**：在电池充放电管理系统中，SI3588DV-T1-GE3-VB可用于充电和放电控制，帮助实现电池充电、放电过程中的电流和电压管理。2. **电机驱动器**：SI3588DV-T1-GE3-VB可用于电机驱动器，包括直流电机驱动、步进电机驱动等，适用于工业自动化、汽车电子等领域。**适用领域和模块：**

2024-11-07 11:37:25 301

原创 SI3586DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

1. **电源管理**：SI3586DV-T1-GE3-VB可用于低功率电源管理模块中，如电源开关和电源选择器。3. **信号开关**：SI3586DV-T1-GE3-VB可用作信号开关，用于精确控制和切换信号线路。2. **电流控制**：在电流控制模块中，该器件可用于精确控制电流的流向和大小，如电机驱动器、LED照明系统和电动汽车控制器。综上所述，SI3586DV-T1-GE3-VB适用于电源管理、电流控制、信号开关和电源逆变器等领域的各种模块和设备，提供高效的功率转换和精确的电流控制功能。

2024-11-07 11:34:35 318

原创 SI3586DV-T1-E3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

具有±20V的正负漏极-源极电压承受能力，正沟道沟道中的漏极电流承受能力为7A，负沟道沟道中的漏极电流承受能力为4.5A。4. **电池保护：** 在移动设备和便携式电子产品中，SI3586DV-T1-E3-VB可用于电池保护电路中，保护电池免受过充、过放和短路等问题，例如电池保护板、智能手机电池管理系统等。3. **电机驱动：** 在工业自动化和机器人领域，SI3586DV-T1-E3-VB可用于电机驱动器电路中，实现对电机的高效控制和调节，例如步进电机控制器、直流电机驱动器等。**详细参数说明：**

2024-11-07 11:30:43 207

原创 SI3585DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

综上所述，SI3585DV-T1-GE3-VB是一款多功能的双N+P-Channel MOSFET，具有良好的性能和灵活的应用范围，适用于各种低至中等功率的电路设计。- 导通电阻（RDS(ON)）：20mΩ @ VGS=4.5V（N-Channel），70mΩ @ VGS=4.5V（P-Channel）- 阈值电压（Vth）：0.71V（N-Channel），-0.81V（P-Channel）- 额定电流：7A（N-Channel），-4.5A（P-Channel）- **封装：** SOT23-6。

2024-11-07 11:28:41 230

原创 SI3585DV-T1-E3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

DS(ON)):** 20mΩ @ VGS = 4.5V。- **P沟道导通电阻 (RDS(ON)):** 70mΩ @ VGS

2024-11-07 11:22:24 352

原创 Si3585CDV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

4. **电池管理系统**：在电池充放电管理系统中，Si3585CDV-T1-GE3-VB可用于充电和放电控制，帮助实现电池充电、放电过程中的电流和电压管理。3. **电源选择开关**：由于其包含N-Channel和P-Channel沟道，因此可用作电源选择开关，帮助在电路中选择电源来源，并实现电源切换功能。2. **驱动器模块**：Si3585CDV-T1-GE3-VB可用于电机驱动器和电机控制器，适用于各种电动工具、家用电器和汽车电子中的驱动控制。**适用领域和模块：****详细参数说明：**

-40V;-65A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=-1.6V

2024-11-08

空空如也

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