2SK1984-01-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 2SK1984-01-VB 产品简介

2SK1984-01-VB 是一种高电压单N沟道MOSFET，专为需要高电压和高电流的应用而设计。其950V的耐压和6A的电流能力，使其非常适用于各种需要高可靠性和高效能的电力系统和工业应用。采用TO220F封装，确保了优良的热性能和电气性能。

### 2SK1984-01-VB 详细参数说明

- **型号**: 2SK1984-01-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 950V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2400mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 6A
- **技术**: 平面结构

### 应用领域和模块示例

1. **电力系统**：
   2SK1984-01-VB 可用于电力变换和配电系统中，尤其适合高压电源开关和转换器。例如，它可以用作高压电源中的主要开关元件，提高系统的整体效率和可靠性。

2. **工业控制**：
   这种MOSFET常用于工业自动化设备中，如电机驱动器和工业逆变器。其高耐压和高电流能力使其在需要高功率处理的场景中表现出色，如变频器和伺服电机驱动器。

3. **照明系统**：
   在高压照明系统中，2SK1984-01-VB 可用于LED驱动器和高压HID灯的电源管理。其高效率和耐用性确保了照明系统的稳定运行。

4. **可再生能源系统**：
   在太阳能和风能等可再生能源系统中，该MOSFET可用于逆变器和转换器模块中，有效处理高电压和高功率转换需求，提升能源利用率。

这些应用场景展示了2SK1984-01-VB 的多功能性和高性能，确保其在各类高压、高功率应用中提供卓越的表现和可靠性。