以下是SI3585DV-T1-E3-VB的产品信息：
### 产品简介
SI3585DV-T1-E3-VB是VBsemi品牌生产的双路N+P—Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装。它集成了两个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，具有双向电流传输能力，适用于多种功率管理和开关电路设计。
### 详细参数说明
- **电压额定值 (V<sub>DS</sub>):** ±20V
- **N沟道电流额定值 (I<sub>D</sub>):** 7A
- **P沟道电流额定值 (I<sub>D</sub>):** -4.5A
- **N沟道导通电阻 (R<sub>DS(ON)</sub>):** 20mΩ @ V<sub>GS</sub> = 4.5V
- **P沟道导通电阻 (R<sub>DS(ON)</sub>):** 70mΩ @ V<sub>GS</sub> = 4.5V
- **阈值电压 (V<sub>th</sub>):** N沟道：0.71V，P沟道：-0.81V
- **最大栅极—源极电压 (V<sub>GS</sub>(max)):** ±20V
### 应用领域和模块举例
1. **电源开关：** SI3585DV-T1-E3-VB可用于电源开关电路，实现高效率的电源管理和开关控制，在便携式设备、电动车充电器和工业电源中得到广泛应
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