SI3585DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**VBsemi N+P-Channel MOSFET SI3585DV-T1-GE3-VB**

- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 2个N+P—Channel沟道
  - 额定电压：±20V
  - 额定电流：7A（N-Channel），-4.5A（P-Channel）
  - 导通电阻（RDS(ON)）：20mΩ @ VGS=4.5V（N-Channel），70mΩ @ VGS=4.5V（P-Channel）
  - 阈值电压（Vth）：0.71V（N-Channel），-0.81V（P-Channel）
- **封装：** SOT23-6

**产品简介：**

SI3585DV-T1-GE3-VB是一款双N+P-Channel MOSFET，由VBsemi生产。它具有双通道设计，既包含N-Channel沟道，又包含P-Channel沟道，可在同一器件中实现不同功率极性的电路设计。其紧凑的SOT23-6封装适用于空间受限的电路设计。

**详细参数说明：**

1. **额定电压（VDS）：** ±20V的额定电压使得该MOSFET适用于各种电路设计，包括电源管理和信号处理等。

2. **额定电流（ID）：**
   - N-Channel沟道：7A的额定电流适用于中等功率负载，如电源开关和电机驱动器。
   - P-Channel沟道：-4.5A的额定电流适用于负载开关和反向电源等应用。

3. **导通电阻（RDS(ON)）：**
   - N-Channel沟道：在4.5V的栅极-源极电压下，导通电阻为20mΩ，提供较低的导通损耗。
   - P-Channel沟道：在4.5V的栅极-源极电压下，导通电阻为70mΩ，适用于负载开关和电源反向电路。

4. **阈值电压（Vth）：**
   - N-Channel沟道：阈值电压为0.71V，使得器件易于控制，适用于高效率的电路设计。
   - P-Channel沟道：阈值电压为-0.81V，也使得器件易于控制，并可在不同极性的电路中实现电源开关和反向电源设计。

**适用领域和模块举例：**

1. **电源管理：** 可用于DC-DC转换器、电源开关、逆变器和电源反向电路等。
  
2. **电机驱动器：** 适用于双极性电机驱动器和功率级联电路。

3. **负载开关：** 用于负载开关模块和电源反向电路等。

综上所述，SI3585DV-T1-GE3-VB是一款多功能的双N+P-Channel MOSFET，具有良好的性能和灵活的应用范围，适用于各种低至中等功率的电路设计。