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STD30NF06L-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
3. **导通电阻(RDS(ON)):** 在VGS=10V时,导通电阻为24mΩ,这有助于减少功率损耗并提高效率。1. **电源管理系统:** 适用于电源开关和电源管理系统中的开关电路,如开关电源、DC-DC转换器和电源适配器等。2. **额定电流(ID):** 具有45A的额定电流,可以应对大电流负载要求,适用于需要高功率输出的场合。1. **额定电压(VDS):** 该MOSFET的额定电压为60V,使其适用于较高电压的应用环境。- **品牌:** VBsemi。- **封装:** TO252。原创 2024-11-11 11:18:07 · 193 阅读 · 0 评论 -
2SK3025-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
2. **电动车辆**:在电动车辆领域,2SK3025-VB可以用于电动车辆的电动机驱动模块。1. **电源管理模块**:2SK3025-VB可用于高功率电源管理模块,如电源逆变器、开关模式电源等。3. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,2SK3025-VB可用于电机驱动器、工业自动化控制器等模块。4. **电源开关**:由于其快速开关特性和高电流承受能力,2SK3025-VB还可用于电源开关模块,如开关式稳压器、开关式电源适配器等,提供稳定的电源输出。- **电压(VDS)**:60V。原创 2024-11-11 11:16:22 · 144 阅读 · 0 评论 -
STD30NE06LT4-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
5. **电池保护**:作为电池保护模块的一部分,用于对锂电池和其他电池进行过充、过放和短路保护,确保电池的安全和稳定性。1. **电源管理**:可用于开关电源、DC-DC变换器和电源逆变器等模块中,提供稳定的电源管理和高效的能量转换。2. **电机驱动**:适用于电动工具、家用电器和汽车电子中的电机驱动模块,提供高性能的电机驱动和控制。4. **电流控制**:适用于电流限制和电流控制电路中,确保电路工作在安全的电流范围内,保护电路和设备。**适用领域和模块:****详细参数说明:**原创 2024-11-11 11:14:57 · 157 阅读 · 0 评论 -
2SK3377-Z-E2-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
2SK3377-Z-E2-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管,具有60V的耐压能力和45A的电流承受能力。1. 电源系统:2SK3377-Z-E2-VB可用于各种类型的电源系统,包括开关电源、DC-DC转换器和逆变器。通过以上示例,可以看出2SK3377-Z-E2-VB适用于多个领域和模块,包括但不限于电源系统、电动车辆、工业自动化、太阳能逆变器和消费电子产品。2. 电动车辆:在电动车辆的电动机控制系统中,该型号可以用作功率开关,用于控制电机的速度和扭矩,确保高效能的电动车辆运行。原创 2024-11-11 11:12:19 · 288 阅读 · 0 评论 -
30N06G-TN3-R-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
2. **电动车辆**:在电动车辆领域,30N06G-TN3-R-VB可以应用于电动车辆的电动机驱动模块。1. **电源管理模块**:30N06G-TN3-R-VB可用于各种电源管理模块,如开关电源、DC-DC转换器等。3. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,30N06G-TN3-R-VB可用于电机驱动器、工业自动化控制器等模块。4. **电源开关**:由于其快速开关特性和高电流承受能力,30N06G-TN3-R-VB还可用于电源开关模块,如开关式稳压器、开关式电源适配器等,提供稳定的电源输出。原创 2024-11-11 11:11:03 · 217 阅读 · 0 评论 -
30N06G-TN3-T-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
1. 电源管理模块:由于30N06G-TN3-T-VB具有低导通电阻和较高的漏极电流能力,可用于设计高性能的电源管理模块,如开关稳压器和DC-DC转换器,以提供稳定的电源输出。5. 车载电子:由于其高电压和电流承受能力,30N06G-TN3-T-VB可用于汽车电子系统中的电源管理、电动汽车的驱动系统等应用,提供稳定的电源和驱动能力。3. LED照明应用:30N06G-TN3-T-VB可用于驱动LED照明系统中的电源开关,以控制LED的亮度和功率,适用于室内和室外照明应用。- VGS范围:-20V至2V。原创 2024-11-11 11:08:46 · 213 阅读 · 0 评论 -
30N06L-CMD30N06L-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
它具有以下主要特性:工作电压为 60V,最大漏极电流可达 45A,漏源电阻为 24mΩ(在 VGS=10V 时),且阈值电压为 1.8V。这些示例说明了 30N06L-CMD30N06L-VB 在各种应用领域中的潜在用途,其高性能和可靠性使其成为许多电力控制和开关应用的理想选择。- 工业控制:在工业自动化系统中,可用于开关和调节高功率负载,如电机驱动和电炉控制。- 电动车辆:可用于电动车辆的驱动控制,包括电机控制、电池管理和充电系统。- 漏源电阻(RDS(ON)):24mΩ(在 VGS=10V 时)原创 2024-11-11 11:07:06 · 198 阅读 · 0 评论 -
STC6602-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
STC6602-VB是VBsemi品牌的双N沟道和P沟道场效应晶体管(MOSFET),具有两个N沟道和一个P沟道,适用于正负电源应用。- 导通电阻(RDS(ON)):20mΩ(N沟道 @ VGS=4.5V),70mΩ(P沟道 @ VGS=4.5V)3. 信号开关:适用于各种类型的信号开关,如电源开关、数据开关和音频开关等,提供可靠的信号传输和低功耗的操作。- 阈值电压(Vth):0.71V(N沟道),-0.81V(P沟道)- 额定电流(ID):7A(N沟道),4.5A(P沟道)**详细参数说明:**原创 2024-11-11 11:04:11 · 217 阅读 · 0 评论 -
SST3585S-VB一种2个N+P—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
1. **电源管理:** SST3585S-VB中的双通道设计使其适用于电源管理电路,如开关电源、电源适配器和DC-DC转换器等。4. **电流保护:** 该器件可用于电流保护电路,例如过载保护、短路保护和电流限制器。3. **信号开关:** 在通信设备、音频设备和自动控制系统中,SST3585S-VB可用作信号开关,实现对信号的快速切换和传输,提高系统的性能和可靠性。2. **电流控制:** 该器件可用于电流控制电路,如电机驱动器、电动车辆电路和电源控制器。**适用领域和模块示例:**原创 2024-11-11 11:02:38 · 217 阅读 · 0 评论 -
SQD25N06-22L-GE3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
3. **导通电阻(RDS(ON)):** 在VGS=10V时,导通电阻为24mΩ,这有助于降低功率损耗,提高效率。1. **额定电压(VDS):** 该MOSFET的额定电压为60V,适用于中等功率电路设计。3. **电源开关:** 适用于开关电源、DC-DC转换器和功率因数校正电路等功率控制模块中。2. **额定电流(ID):** 具有45A的额定电流,适用于需要大电流承载能力的应用。- **品牌:** VBsemi。- **封装:** TO252。**适用领域和模块举例:****详细参数说明:**原创 2024-11-08 11:15:02 · 255 阅读 · 0 评论 -
9431GH-HF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
它采用 TO252 封装,具有负向栅极电压(VGS)为 60V、漏极电流(ID)为 45A、导通电阻(RDS(ON))为 24mΩ@VGS=10V、阈值电压(Vth)为 1.8V 等特性。3. 工业自动化设备:9431GH-HF-VB 适用于各种工业自动化设备的电源管理和电机驱动,如机器人、自动化生产线和工业机械,提高设备的效率和控制精度。1. 电源开关模块:9431GH-HF-VB 可用于电源开关模块中,如开关电源、DC-DC 变换器和稳压器,以提供高效的功率转换和稳定的电源输出。- 封装:TO252。原创 2024-11-08 11:13:40 · 297 阅读 · 0 评论 -
SQD15N06-42L-GE3-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
2. **电池保护**:适用于移动设备和电池供电系统中的电池保护模块,实现对电池的过充、过放和短路保护,提高电池的安全性和使用寿命。5. **LED驱动**:作为LED驱动器的一部分,可用于LED照明系统中,实现LED灯带、灯泡和灯具等的驱动和亮度控制。1. **电源管理**:可用于开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器等电源管理模块,实现高效能量转换和稳定的电源输出。4. **电机驱动**:适用于小功率电机驱动应用,如风扇、水泵和电动工具等,提供高效、稳定的电机驱动和控制。**适用领域和模块:**原创 2024-11-08 11:12:01 · 333 阅读 · 0 评论 -
SQ3460EV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
1. **电源管理模块**:SQ3460EV-T1-GE3-VB可用于设计电源管理模块,如DC-DC转换器、稳压器和充电管理系统,以实现高效的能量转换和稳定的输出电压。3. **开关电源**:SQ3460EV-T1-GE3-VB适用于设计开关电源模块,如电源适配器、电源开关和直流-直流转换器,以满足各种电子设备的电源需求。4. **LED驱动器**:在LED照明领域,该器件可用于LED驱动器和照明控制模块,以实现精确的电流调节和亮度控制,提高LED照明系统的能效和可靠性。**适用领域和模块:**原创 2024-11-08 11:10:55 · 181 阅读 · 0 评论 -
SQ3456EV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
4. **LED照明:** 在LED灯条、LED灯泡和汽车灯光系统中,SQ3456EV-T1-GE3-VB可用于LED驱动电路,实现对LED的亮度和颜色的控制,提升照明效果和节能性能。2. **电机驱动:** 在电动工具、小型电动车和家用电器中,SQ3456EV-T1-GE3-VB可用于电机驱动电路,控制电机的启停和速度,提高设备的性能和效率。1. **电源管理:** SQ3456EV-T1-GE3-VB可用于低压降的电源开关电路、电源管理单元和DC-DC转换器中,实现对电源的高效控制和管理。原创 2024-11-08 11:09:53 · 152 阅读 · 0 评论 -
SQ3456BEV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
3. **导通电阻(RDS(ON)):** 在VGS=10V时,导通电阻为30mΩ,这有助于降低功率损耗,提高效率。1. **额定电压(VDS):** 该MOSFET的额定电压为30V,适用于低电压电路设计。2. **额定电流(ID):** 具有6A的额定电流,适用于小功率电路和开关应用。3. **电源管理:** 适用于小功率电源中的开关电源和DC-DC转换器等应用。- **封装:** SOT23-6。- **品牌:** VBsemi。**适用领域和模块举例:****详细参数说明:**原创 2024-11-08 11:08:17 · 204 阅读 · 0 评论 -
SQ3442EV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
DS(ON)):** 30mΩ @ VGS原创 2024-11-08 11:04:40 · 334 阅读 · 0 评论 -
SQ3418EEV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
SQ3418EEV-T1-GE3-VB具有高性能和可靠性,适用于电源管理、电池保护、电流控制、LED驱动和电机驱动等多种领域和模块,为电路设计提供了灵活和可靠的解决方案。2. **电池保护**:适用于移动设备和电池供电系统中的电池保护模块,实现对电池的过充、过放和短路保护,提高电池的安全性和使用寿命。4. **LED驱动**:作为LED驱动器的一部分,可用于LED照明系统中,实现LED灯带、灯泡和灯具等的驱动和亮度控制。- 封装类型:SOT23-6。**适用领域和模块:****详细参数说明:**原创 2024-11-08 11:03:24 · 307 阅读 · 0 评论 -
SQ3410EV-T1-GE3-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
3. **移动设备**:SQ3410EV-T1-GE3-VB适用于移动设备中的电源管理、充电管理和功率控制模块,如智能手机、平板电脑和便携式电子设备,以确保稳定的电源供应和高效的能量管理。1. **电源管理模块**:SQ3410EV-T1-GE3-VB可用于设计电源管理模块,如DC-DC转换器、稳压器和电池管理系统,以提供高效能量转换和稳定的输出电压。4. **LED照明**:在LED照明系统中,该器件可用于LED驱动器和照明控制模块,以实现精确的电流调节和亮度控制,提高照明系统的能效和可靠性。原创 2024-11-08 10:45:36 · 244 阅读 · 0 评论 -
SPP5413T252RG-VB一种P—Channel沟道TO252封装MOS管
4. **电源保护:** 在电源管理系统中,SPP5413T252RG-VB可用于电源保护电路,实现对电路和设备的过压、过流和过热保护,确保系统的安全稳定运行。3. **电机驱动:** 在电动车辆、机器人和工业驱动系统中,SPP5413T252RG-VB可用于电机驱动电路,控制电机的速度和转向,实现对设备的精准控制。1. **功率管理:** SPP5413T252RG-VB可用于功率开关电路、DC-DC转换器和功率放大器中,实现对功率的高效调节和控制。**适用领域和模块示例:****详细参数说明:**原创 2024-11-08 10:42:52 · 299 阅读 · 0 评论 -
SPN3456ST6RGB-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
1. **额定电压(VDS):** 30V的额定电压使得该MOSFET能够处理低电压信号,适用于电路设计中的低电压应用。3. **导通电阻(RDS(ON)):** 在VGS=10V时,导通电阻仅为30mΩ,这有助于降低导通损耗,提高效率。2. **额定电流(ID):** 6A的额定电流适用于较低功率的电路设计,例如小型电源和电路开关。4. **阈值电压(Vth):** 阈值电压为1.2V,这使得器件易于控制和驱动。- **封装:** SOT23-6。- **品牌:** VBsemi。**详细参数说明:**原创 2024-11-08 10:38:05 · 149 阅读 · 0 评论 -
SPN3446ST6RG-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
### 产品简介SPN3446ST6RG-VB是VBsemi品牌生产的N沟道场效应管(MOSFET),具有低电压、低导通电阻和高电流特性。该器件采用SOT23-6封装,适用于各种低压功率电子应用。### 详细参数说明- **通道类型:** N—Channel沟道- **最大栅极—源极电压 (VDS(max)):** 30V- **最大漏极电流 (ID):** 6A- **导通电阻 (RDS(ON)):** 30mΩ @ VGS原创 2024-11-08 10:36:17 · 273 阅读 · 0 评论 -
SPN3446ST6RGB-VB一种N—Channel沟道SOT23-6封装MOS管
2. **电池保护**:适用于移动设备和电池供电系统中的电池保护模块,实现对电池的过充、过放和短路保护,提高电池的安全性和使用寿命。4. **LED驱动**:作为LED驱动器的一部分,可用于LED照明系统中,实现LED灯带、灯泡和灯具等的驱动和亮度控制。1. **电源管理**:可用于开关电源、DC-DC转换器和电源逆变器等电源管理模块,实现高效能量转换和稳定的电源输出。5. **电机驱动**:适用于小功率电机驱动应用,如风扇、水泵和电动工具等,提供高效、稳定的电机驱动和控制。**适用领域和模块:**原创 2024-11-08 10:33:11 · 273 阅读 · 0 评论 -
9870GH-HF-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
它具有以下主要特性:工作电压为 60V,最大漏极电流可达 45A,漏源电阻为 24mΩ(在 VGS=10V 时),且阈值电压为 1.8V。- 工业控制:在工业自动化系统中,可用于开关和调节高功率负载,如电机驱动和电炉控制。- LED 照明:适用于 LED 驱动电路,提供高效的电流调节和开关控制。这些示例说明了 9870GH-HF-VB 在各种应用领域中的潜在用途,其高性能和可靠性使其成为许多电力控制和开关应用的理想选择。- 电动车辆:可用于电动车辆的驱动控制,包括电机控制、电池管理和充电系统。原创 2024-11-08 10:25:19 · 150 阅读 · 0 评论 -
9971GH-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管
产品简介:9971GH-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管,具有60V的耐压能力和45A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V,VGS=20V,以及Vth=1.8V。该晶体管采用TO252封装,适用于多种应用场合。详细参数说明:- 品牌: VBsemi- 型号: 9971GH-VB- 沟道类型: N-Channel- 耐压: 60V- 电流承受能力: 45A- RDS(ON): 24mΩ @ VGS=10V- 阈值电压(Vth): 1.原创 2024-11-08 10:23:56 · 153 阅读 · 0 评论 -
SM2700CSC-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻(RDS(ON)):** 在VGS=4.5V时,正向通道的导通电阻为20mΩ,而反向通道的导通电阻为70mΩ,这有助于减少导通损耗,并提高效率。2. **额定电流(ID):** 7A的正向额定电流和-4.5A的反向额定电流,提供了足够的电流容量,适用于中等功率负载的开关控制。4. **阈值电压(Vth):** 正向通道的阈值电压为0.71V,反向通道的阈值电压为-0.81V,这使得器件易于控制和驱动。- **封装:** SOT23-6。- **品牌:** VBsemi。原创 2024-11-07 11:51:00 · 148 阅读 · 0 评论 -
SM2620CSC-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 20mΩ @ VGS = 4.5V。- **P沟道导通电阻 (RDS(ON)):** 70mΩ @ VGS原创 2024-11-07 11:49:43 · 394 阅读 · 0 评论 -
SM2610NSC-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
2. **电池保护电路**:在电池供电的电路中,SM2610NSC-VB可用于电池保护,防止过充、过放和过流等情况,保护电池和电路的安全运行。3. **LED驱动器**:作为LED驱动器的一部分,该器件可用于LED照明应用中,控制LED的电流和亮度,实现高效能的照明系统。1. **电源管理模块**:该MOSFET可用于电源管理模块中的功率开关和电流控制,例如DC-DC转换器、电源选择开关等。4. **电机驱动器**:适用于小型电机的驱动器,如风扇、泵等,帮助实现电机的高效驱动和控制。**详细参数说明:**原创 2024-11-07 11:48:06 · 145 阅读 · 0 评论 -
SM2604NSC-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **功率逆变器**:该器件适用于低功率功率逆变器模块,如太阳能逆变器、UPS系统和电动车辆逆变器。1. **电源管理**:SM2604NSC-VB可用于低功率电源管理模块中,如开关电源、电池充放电管理和DC-DC转换器。3. **电子开关**:SM2604NSC-VB可用作电子开关,用于控制各种电路的开关和切换。2. **驱动器**:在各种驱动器模块中,如LED驱动器、电机驱动器和电磁铁驱动器,该器件可用于实现高效的电流控制和精确的开关调节,提高驱动器的性能和可靠性。**适用领域和模块:**原创 2024-11-07 11:46:19 · 262 阅读 · 0 评论 -
SM2602NSC-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **LED驱动:** 在LED照明应用中,SM2602NSC-VB可用于LED驱动器电路中,实现对LED灯珠的电流控制和调节,提高LED照明系统的效率和稳定性。4. **电机驱动:** 在小型电机驱动应用中,如风扇驱动、电动工具和电动玩具等,SM2602NSC-VB可用于电机驱动器电路中,实现对电机的控制和调节。1. **电源管理:** SM2602NSC-VB可用于电源管理系统中的开关电源、直流-直流转换器和DC/DC升压/降压模块,实现高效的电能转换和调节。**适用领域和模块示例:**原创 2024-11-07 11:43:58 · 215 阅读 · 0 评论 -
SIHFL9014T-E3-VB一款P—Channel沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻(RDS(ON)):** 在10V的栅极-源极电压下,导通电阻为58mΩ,提供较低的导通损耗,有助于降低功率消耗和提高效率。2. **额定电流(ID):** -6.5A的额定电流可满足中等到大功率负载的需求,如电机驱动器和电源开关等。1. **额定电压(VDS):** -60V的额定电压使得该MOSFET适用于负载开关和反向电源等应用场景。4. **阈值电压(Vth):** 阈值电压范围从-1V至-3V,使得器件易于控制,适用于各种电路设计。- **品牌:** VBsemi。原创 2024-11-07 11:41:12 · 261 阅读 · 0 评论 -
SI3590DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
th原创 2024-11-07 11:39:39 · 391 阅读 · 0 评论 -
SI3588DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **电源选择开关**:由于器件包含N-Channel和P-Channel沟道,可用作电源选择开关,实现电路中不同电源的切换功能,例如电池供电和外部电源供电之间的切换。4. **电池管理系统**:在电池充放电管理系统中,SI3588DV-T1-GE3-VB可用于充电和放电控制,帮助实现电池充电、放电过程中的电流和电压管理。2. **电机驱动器**:SI3588DV-T1-GE3-VB可用于电机驱动器,包括直流电机驱动、步进电机驱动等,适用于工业自动化、汽车电子等领域。**适用领域和模块:**原创 2024-11-07 11:37:25 · 303 阅读 · 0 评论 -
SI3586DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
1. **电源管理**:SI3586DV-T1-GE3-VB可用于低功率电源管理模块中,如电源开关和电源选择器。3. **信号开关**:SI3586DV-T1-GE3-VB可用作信号开关,用于精确控制和切换信号线路。2. **电流控制**:在电流控制模块中,该器件可用于精确控制电流的流向和大小,如电机驱动器、LED照明系统和电动汽车控制器。综上所述,SI3586DV-T1-GE3-VB适用于电源管理、电流控制、信号开关和电源逆变器等领域的各种模块和设备,提供高效的功率转换和精确的电流控制功能。原创 2024-11-07 11:34:35 · 320 阅读 · 0 评论 -
SI3586DV-T1-E3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
具有±20V的正负漏极-源极电压承受能力,正沟道沟道中的漏极电流承受能力为7A,负沟道沟道中的漏极电流承受能力为4.5A。4. **电池保护:** 在移动设备和便携式电子产品中,SI3586DV-T1-E3-VB可用于电池保护电路中,保护电池免受过充、过放和短路等问题,例如电池保护板、智能手机电池管理系统等。3. **电机驱动:** 在工业自动化和机器人领域,SI3586DV-T1-E3-VB可用于电机驱动器电路中,实现对电机的高效控制和调节,例如步进电机控制器、直流电机驱动器等。**详细参数说明:**原创 2024-11-07 11:30:43 · 209 阅读 · 0 评论 -
SI3585DV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
综上所述,SI3585DV-T1-GE3-VB是一款多功能的双N+P-Channel MOSFET,具有良好的性能和灵活的应用范围,适用于各种低至中等功率的电路设计。- 导通电阻(RDS(ON)):20mΩ @ VGS=4.5V(N-Channel),70mΩ @ VGS=4.5V(P-Channel)- 阈值电压(Vth):0.71V(N-Channel),-0.81V(P-Channel)- 额定电流:7A(N-Channel),-4.5A(P-Channel)- **封装:** SOT23-6。原创 2024-11-07 11:28:41 · 233 阅读 · 0 评论 -
SI3585DV-T1-E3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
DS(ON)):** 20mΩ @ VGS = 4.5V。- **P沟道导通电阻 (RDS(ON)):** 70mΩ @ VGS原创 2024-11-07 11:22:24 · 356 阅读 · 0 评论 -
Si3585CDV-T1-GE3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **电池管理系统**:在电池充放电管理系统中,Si3585CDV-T1-GE3-VB可用于充电和放电控制,帮助实现电池充电、放电过程中的电流和电压管理。3. **电源选择开关**:由于其包含N-Channel和P-Channel沟道,因此可用作电源选择开关,帮助在电路中选择电源来源,并实现电源切换功能。2. **驱动器模块**:Si3585CDV-T1-GE3-VB可用于电机驱动器和电机控制器,适用于各种电动工具、家用电器和汽车电子中的驱动控制。**适用领域和模块:****详细参数说明:**原创 2024-11-07 11:18:46 · 220 阅读 · 0 评论 -
SI3499DV-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
4. **LED驱动:** 在照明领域,SI3499DV-T1-GE3-VB可用于LED驱动电路中,实现对LED的高效控制和调节,例如LED驱动模块、LED驱动器等。2. **电机驱动:** 在工业和汽车电子领域,SI3499DV-T1-GE3-VB可用于电机驱动电路中,实现对电机的精确控制,例如电机控制模块、电机驱动器等。1. **电源开关:** SI3499DV-T1-GE3-VB可用于电源开关电路中,实现对高电压和高电流的快速开关控制,例如DC-DC转换器、电源逆变器等。**适用领域和模块示例:**原创 2024-11-07 11:02:45 · 252 阅读 · 0 评论 -
SI3445DV-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **导通电阻(RDS(ON)):** 在10V的栅极-源极电压下,导通电阻为50mΩ,这意味着在导通状态下,器件会产生较低的功率损耗。1. **额定电压(VDS):** -60V的额定电压使得该MOSFET适用于广泛的应用场景,包括低至中等功率的电路设计。4. **阈值电压(Vth):** 阈值电压在-1V到-3V之间可调,这使得器件易于控制,适用于高效率的电路设计。2. **额定电流(ID):** -6.5A的额定电流表明它能够处理中等功率负载,适用于多种电源管理和驱动电路。**详细参数说明:**原创 2024-11-06 10:55:31 · 259 阅读 · 0 评论 -
SI3445ADV-T1-GE3-VB一款P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
3. **电源逆变器:** 用于设计逆变器和变换器电路,SI3445ADV-T1-GE3-VB可实现DC至AC电源逆变和交流电源调节功能,适用于太阳能电池组件和风能发电系统等可再生能源领域。1. **电源管理:** SI3445ADV-T1-GE3-VB可用于DC-DC转换器、稳压器和电池保护电路,适用于笔记本电脑、平板电脑和工业控制系统等领域。2. **负载开关:** 在电机驱动和继电器控制等领域,SI3445ADV-T1-GE3-VB可用作负载开关,实现高效的功率控制和电路保护。### 详细参数说明。原创 2024-11-06 10:53:00 · 296 阅读 · 0 评论