**产品简介:**
SST3585S-VB是VBsemi品牌的双通道MOSFET,内置两个沟道类型的晶体管,一个是N沟道,另一个是P沟道。它能够承受正负20V的漏极-源极电压,具有7A(正)和4.5A(负)的漏极电流承受能力。采用SOT23-6封装,适用于小功率电路设计。
**详细参数说明:**
- 漏极-源极电压承受能力:±20V
- 漏极电流承受能力:
- N沟道:7A(正)
- P沟道:4.5A(负)
- 导通电阻(RDS(ON)):
- N沟道:20mΩ @ VGS=4.5V; VGS=20V
- P沟道:70mΩ @ VGS=4.5V; VGS=20V
- 阈值电压(Vth):
- N沟道:0.71V
- P沟道:-0.81V
- 封装类型:SOT23-6
- 品牌:VBsemi
**适用领域和模块示例:**
1. **电源管理:** SST3585S-VB中的双通道设计使其适用于电源管理电路,如开关电源、电源适配器和DC-DC转换器等。N沟道可用于高侧开关,P沟道可用于低侧开关,以实现高效的电源转换和管理。
2. **电流控制:** 该器件可用于电流控制电路,如电机驱动器、电动车辆电路和电源控制器。通过N沟道和P沟道的组合,可以实现双向电流控制和功率转换。
3. **信号开关:** 在通信设备、音频设备和自动控制系统中,SST3585S-VB可用作信号开关,实现对信号的快速切换和传输,提高系统的性能和可靠性。
4. **电流保护:** 该器件可用于电流保护电路,例如过载保护、短路保护和电流限制器。其双通道设计使其能够同时监测正负电流,并及时断开电路以保护设备和系统安全。