STD30NE06LT4-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

**产品简介：**
STD30NE06LT4-VB是VBsemi品牌的N沟道MOSFET，具有60V的额定电压和45A的额定电流。采用TO252封装，具有低导通电阻和高导通特性，适用于各种电路设计需求。

**详细参数说明：**
- 通道类型：N沟道
- 额定电压（VDS）：60V
- 额定电流（ID）：45A
- 导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS=10V
- 门极电压（VGS）：20V
- 门极阈值电压（Vth）：1.8V
- 封装类型：TO252

**适用领域和模块：**
STD30NE06LT4-VB适用于以下领域和模块：

1. **电源管理**：可用于开关电源、DC-DC变换器和电源逆变器等模块中，提供稳定的电源管理和高效的能量转换。

2. **电机驱动**：适用于电动工具、家用电器和汽车电子中的电机驱动模块，提供高性能的电机驱动和控制。

3. **电源开关**：可用于电源开关模块中，实现对电路的开关控制，保护电路元件和设备。

4. **电流控制**：适用于电流限制和电流控制电路中，确保电路工作在安全的电流范围内，保护电路和设备。

5. **电池保护**：作为电池保护模块的一部分，用于对锂电池和其他电池进行过充、过放和短路保护，确保电池的安全和稳定性。

STD30NE06LT4-VB具有低导通电阻、高导通特性和稳定性，适用于电源管理、电机驱动、电源开关、电流控制和电池保护等多种领域和模块，为电路设计提供了可靠的解决方案。