30N06G-TN3-T-VB一种N—Channel沟道TO252封装MOS管

产品简介：
30N06G-TN3-T-VB是VBsemi生产的N-Channel沟道场效应晶体管，采用TO252封装。它具有60V的漏极-源极电压（VDS）、45A的漏极电流（ID），以及在VGS=10V时的24mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。该器件的门极-源极电压（VGS）范围为-20V至2V，阈值电压（Vth）为1.8V。

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：30N06G-TN3-T-VB
- 类型：N-Channel沟道场效应晶体管
- 漏极-源极电压（VDS）：60V
- 漏极电流（ID）：45A
- RDS(ON)：24mΩ @ VGS=10V
- VGS范围：-20V至2V
- 阈值电压（Vth）：1.8V
- 封装：TO252

适用领域和模块示例：
1. 电源管理模块：由于30N06G-TN3-T-VB具有低导通电阻和较高的漏极电流能力，可用于设计高性能的电源管理模块，如开关稳压器和DC-DC转换器，以提供稳定的电源输出。
2. 电机驱动：在工业自动化和汽车电子领域，该晶体管可用于驱动直流电机，如电动汽车的电机驱动系统、机器人和工厂自动化设备的电机控制等。
3. LED照明应用：30N06G-TN3-T-VB可用于驱动LED照明系统中的电源开关，以控制LED的亮度和功率，适用于室内和室外照明应用。
4. 电源逆变器：在太阳能逆变器和UPS等电源逆变器中，该型号的晶体管可用于高效地控制电能转换过程，提高能源利用率和系统性能。
5. 车载电子：由于其高电压和电流承受能力，30N06G-TN3-T-VB可用于汽车电子系统中的电源管理、电动汽车的驱动系统等应用，提供稳定的电源和驱动能力。