2SK1985-01MR-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 产品简介：2SK1985-01MR-VB

2SK1985-01MR-VB是一款高压单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装，适用于高效电源转换和开关应用。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和高电流处理能力，适合在高压环境中工作。

### 详细参数说明：

- **型号**: 2SK1985-01MR-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 950V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2400mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 6A
- **技术**: 平面型（Plannar）

### 应用领域和模块举例：

1. **电源转换器**：2SK1985-01MR-VB适用于高效开关模式电源（SMPS）中的主开关元件。这些电源广泛用于消费电子、工业设备和通信设备中，提供稳定的电压和电流输出。

2. **电机驱动器**：该MOSFET可用于电机控制电路，特别是在需要高电压和高电流处理能力的应用中，如工业自动化系统和电动汽车中的电机驱动模块。

3. **照明系统**：在高压LED照明系统中，2SK1985-01MR-VB可作为开关元件，用于驱动大功率LED灯具，提供高效的电能转换和稳定的照明效果。

4. **不间断电源（UPS）**：在UPS系统中，该MOSFET可用于逆变器模块，提供高效的电能转换，确保在主电源故障时能持续供电。

5. **太阳能逆变器**：2SK1985-01MR-VB适用于太阳能逆变器中的开关模块，能够高效地将直流电转换为交流电，并将能量回馈到电网或供家庭使用。

通过以上领域的应用，2SK1985-01MR-VB显示出其在高电压和高功率场合下的优越性能，成为多种电力电子系统中的理想选择。