SI3586DV-T1-E3-VB一款2个N+P—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
SI3586DV-T1-E3-VB是VBsemi品牌的双通道场效应晶体管，其中包括两个N沟道和P沟道。该晶体管适用于需要对正负电压进行控制的电子应用，采用SOT23-6封装，体积小巧，适合于小型电路板应用。具有±20V的正负漏极-源极电压承受能力，正沟道沟道中的漏极电流承受能力为7A，负沟道沟道中的漏极电流承受能力为4.5A。在正沟道中，当栅极-源极电压为4.5V时，其导通电阻(RDS(ON))为20mΩ；在负沟道中，导通电阻为70mΩ。阈值电压(Vth)分别为0.71V和-0.81V。

**详细参数说明：**
- 正负漏极-源极电压承受能力：±20V
- 正沟道漏极电流承受能力：7A
- 负沟道漏极电流承受能力：-4.5A
- 正沟道导通电阻(RDS(ON))：
  - VGS=4.5V时：20mΩ
  - VGS=20V时：20mΩ
- 负沟道导通电阻(RDS(ON))：
  - VGS=4.5V时：70mΩ
  - VGS=20V时：70mΩ
- 正沟道阈值电压(Vth)：0.71V
- 负沟道阈值电压(Vth)：-0.81V
- 封装类型：SOT23-6
- 品牌：VBsemi

**适用领域和模块示例：**
1. **功率逆变器：** SI3586DV-T1-E3-VB可用于