本次研讨会主要介绍东芝Discrete Power MOSFET、Power Module及相关的Bare die。针对MOSFET的技术、封装、SiC MOSFET/IGBT/FRD (Bare die)的优点进行详细的解说。
其中Discrete Power MOSFET适用于车载领域的多项应用,包含散热风扇马达驱动、DC/DC converter、E-Scooter等。除了Power MOSFET之外,也会说明东芝的小讯号MOSFET (2*2mm Package)优点及开发计划。
SiC MOSFET Bare die设计出来给研发Power Module的客群。第5世代SiC MOSFET不仅继承前一世代高信赖性的优点,更优化了性价比,在市场上具有足够的竞争力。主力产品为1200V 13m ohm尺寸为5*5mm的SiC MOSFET,已能提供工程样品给客户做测试。
针对使用Silicon IGBT/FRD bare die的客群,东芝推出整合两者的RC-IGBT bare die,并且优化散热能力,让客户在设计Power Module时可以提升功率密度。在同样的Power Module尺寸下,可以输出更大的功率,让终端客户可以缩减Inverter的体积及重量。
此次的研讨会除了可以让观众更了解适用于车用领域的东芝产品外,亦能获得关于车载未来的发展趋势。
研讨会内容:
- 车用Power MOSFET(Discrete)介绍
- 车用SiC MOSFET bare die - 高信赖性、高性价比及开发计划说明
- 车用Si IGBT/FRD bare die – 提供客户多种选择,在设计Power Module时有更灵活的搭配。
直播时间:2025 年 5 月 15 日 10:00 - 11:00
报名地址:
驱动未来:东芝功率组件在车用领域的运用 - 大大通(简体站)
直播福利
报名参与直播有礼:
- WPG 手提电脑包,共 4 份
- WPG 保冷餐袋,共 2 份
- 无线蓝牙简报笔,共 6 份