3、超薄芯片技术：现状、挑战与未来展望

超薄芯片技术：现状、挑战与未来展望

1. 半导体行业发展与ITRS路线图

在半导体行业的发展历程中，1965年戈登·E·摩尔提出的“摩尔定律”具有深远影响，它推动了行业持续的小型化进程，使得器件密度每18 - 24个月就会翻倍。随着时间推移，半导体制造商和设备供应商制定了更为详细的路线图，国际半导体技术路线图（ITRS）应运而生。自1998年起，ITRS整合了全球各国和地区的路线图倡议，成为全球半导体行业发展的重要指引，每年都会对未来15年的技术需求进行规划。

2. ITRS对超薄芯片的需求预测

ITRS在不同版本中逐渐强调了对超薄芯片的需求。2001年版首次提及在系统级封装（SiP）解决方案中需要薄芯片进行三维（3D）芯片堆叠；2003年版提到了非常薄的芯片，但未明确厚度目标，仅对堆叠芯片数量进行了预测；2005年版则着重关注了晶圆减薄和处理、小而薄芯片的组装和封装，提出需要厚度小于20μm的芯片，并预计在厚度低于10μm时，需要机械研磨、化学机械抛光（CMP）、湿法蚀刻、等离子处理和干化学蚀刻等一系列工艺来控制芯片厚度并消除应力，同时开发新的拾取和放置技术对于处理和组装超薄芯片至关重要；2007年版更加强调了硅通孔（TSV）的形成。

年份	2005	2006	2007	2008	2009	2010	2011	2012	2013