多晶硅薄膜晶体管(Poly - Si TFTs)与有机TFTs技术解析
多晶硅薄膜晶体管(Poly - Si TFTs)
多晶硅薄膜晶体管(Poly - Si TFTs)目前已在小尺寸对角线显示屏领域实现大规模生产。凭借电路集成带来的成本优势,它们在与以非晶硅(a - Si:H)TFTs为主导的有源矩阵液晶显示器(AMLCD)技术竞争中展现出竞争力。
技术与性能
- 结晶技术 :当前的先进技术采用非晶硅(a - Si:H)前驱体薄膜,通过准分子激光结晶将其转化为多晶硅。如今的多脉冲商业处理工艺能够制造出电子迁移率高达约120 cm²/Vs的TFTs。一些创新技术,如能产生大晶粒或单晶体区域的技术,已实现450 - 900 cm²/Vs的电子迁移率。
- 器件架构 :最常见的TFT架构是自对准、顶栅器件,类似于绝缘体上硅(SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)。这种架构需要精确控制离子掺杂和掺杂剂激活过程,以减少离子损伤影响,尤其是在n沟道TFTs中。
电学特性问题及解决办法
多晶硅TFTs的电学特性存在一些不理想的现象,如低输出阻抗、漏极偏置应力不稳定性和场增强漏电流。这些问题与漏极结处的强静电场有关,是器件架构的固有问题,而非材料质量不佳。
- 场增强漏电流 :为了使en + ep的总和最小化,载流子会定位于近中间能隙中心,这一过程可以用离散的近中间能隙状态合理准确地表示。在漏电流过程的数值模拟中,使用了全陷阱分布。结果与上述定性
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