58、氢化非晶硅薄膜晶体管(a - Si:H TFTs)技术解析

氢化非晶硅薄膜晶体管(a - Si:H TFTs)技术解析

1. 大面积均匀沉积挑战与应对

在大面积上实现均匀沉积是一项重大的工程挑战。实际操作中,基板温度在整个区域并非恒定,而是经过调整以补偿基板边缘与中心之间不可避免的气流变化。此外,喷淋头中的气体注入孔形状也经过精心设计,以改善沉积均匀性,钟形设计较为理想,这样等离子体可在钟形底部形成。这些孔的设计受到相关系统主要制造商的重要知识产权保护,他们也严格保密其在沉积过程中的具体作用。这种系统本身就是令人印象深刻的工程杰作,使得有源矩阵液晶显示器(AMLCD)能够实现经济高效的生产,从而造就了该显示器的庞大市场。

2. rf - PECVD沉积工艺

rf - PECVD反应器可通过适当设置以下沉积参数,在一定程度上控制所得材料的性能:基板温度、气体压力、气体流速和射频功率。实际操作中,通常采用经验方法,为每个沉积参数定义合理的值范围,并在该范围内进行一系列试验性沉积。测量所得材料的性能,并根据结果确定特定应用的“最佳”生长条件。下面简单介绍每个沉积参数变化对材料结构的影响。

2.1 硅烷等离子体与材料生长

在rf - PECVD反应器中产生的硅烷等离子体已得到大量研究,目的是确定沉积的主要前驱体。在典型条件下,等离子体中的主要硅物种是SiH₃自由基,其形成还会产生大量的氢自由基。SiH₃自由基与a - Si:H表面的反应导致材料生长。

SiH₃自由基与生长中的a - Si:H表面化学键合时,会使用其悬空键。由于硅的另外三个键连接氢原子,因此a - Si:H表面主要是氢终止的,这对生长过程有深远影响。沉积的关键特征是,由于a - Si:H表面被氢终止,到达的SiH₃

感应异步电机转子磁场定向控制基于模型参考自适应观测器(MRAS)+模数最优法整定电流环和对称最优法整定速度环的无感算法(Simulink仿真实现)内容概要:本文介绍了感应异步电机转子磁场定向控制的无感算法,结合模型参考自适应观测器(MRAS)实现转速和磁链的在线估计,省去机械传感器,提升系统可靠性。控制系统采用经典的双闭环结构,其中电流环通过模数最优法进行PI参数整定,以获得快速响应和良好稳定性;速度环则采用对称最优法进行调节器设计,增强抗干扰能力和动态性能。整个控制策略在Simulink环境中完成建模与仿真,验证了其在无位置传感器条件下仍能实现高性能调速的可行性。; 适合人群:自动化、电气工程及相关专业的研究生、高校科研人员以及从事电机控制、电力电子与运动控制领域的工程技术人员。; 使用场景及目标:①用于研究无速度传感器电机控制技术,特别是MRAS在转速辨识中的应用;②掌握模数最优法与对称最优法在电流环和速度环PI参数整定中的设计流程与工程实践;③通过Simulink仿真平台复现先进控制算法,服务于教学实验、科研项目或工业原型开发。; 阅读建议:建议读者结合Simulink模型同步学习,重点关注MRAS观测器的构建原理、PI参数整定的理论推导与仿真验证环节,同时可进一步拓展至参数鲁棒性分析与实际硬件实现。
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